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晶体管特性图示仪的新用途

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发表于 2017-3-1 09:51:06 | 显示全部楼层 |阅读模式
琢磨出了一个晶体管特性图示仪的新用途:准确测量电解电容的反压和漏电流。
对于电解电容来说,这两个参数是很重要的。在没有专用仪器进行这方面的测量时,业余无线电爱好者在使用一只电解电容以前,大多都是用指针式万用表测量其绝缘电阻值。但由于万用表的电压很低,所以即便是测量出的电阻值很大,也只能大致了解其漏电流较小,而不能对一只电解电容得出比较全面准确的评估。如果用晶体管特性图示仪,就能简单准确地测量出电解电容的耐压值及漏电流值,可以对一只电解电容给出有参考价值的评估。
这次实验,用的是自制的晶体管特性图示仪,所以,参数只是比较准确而已,不能用精确来描述。晶体管特性图示仪的集电极电压置每格2伏位置,这样,X轴满十格是20V。集电极电压置每格2毫安位置,这样,Y轴满八格是16毫安。功耗电阻置1K位置,这样,即使是CE之间短路,最大电流也仅为20毫安,不至于损坏仪器。集电极极性置“+”,这样,C极是正极性,接电解电容的“+”极。
调节集电极电压,使满X轴10格。调节X扫描线位于Y轴最上端。取一只需要测量的电解电容器,把C极接其“+”极,E极接其“—”极,稍等一会,使其充电到稳定状态时,再读取屏上给出的参数。
下面,是几只电解电容的实验结果,供参考。


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发表于 2017-3-1 09:59:27 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2017-3-1 10:08:16 | 显示全部楼层
琢磨出了一个晶体管特性图示仪的新用途:准确测量电解电容的反压和漏电流。
对于电解电容来说,这两个参数是很重要的。在没有专用仪器进行这方面的测量时,业余无线电爱好者在使用一只电解电容以前,大多都是用指针式万用表测量其绝缘电阻值。但由于万用表的电压很低,所以即便是测量出的电阻值很大,也只能大致了解其漏电流较小,而不能对一只电解电容得出比较全面准确的评估。如果用晶体管特性图示仪,就能简单准确地测量出电解电容的耐压值及漏电流值,可以对一只电解电容给出有参考价值的评估。
这次实验,用的是自制的晶体管特性图示仪,所以,参数只是比较准确而已,不能用精确来描述。晶体管特性图示仪的集电极电压置每格2伏位置,这样,X轴满十格是20V。集电极电置每格2毫安位置,这样,Y轴满八格是16毫安。功耗电阻置1K位置,这样,即使是CE之间短路,最大电流也仅为20毫安,不至于损坏仪器。集电极极性置“+”,这样,C极是正极性,接电解电容的“+”极。
调节集电极电压,使满X轴10格。调节X扫描线位于Y轴最上端。取一只需要测量的电解电容器,把C极接其“+”极,E极接其“—”极,稍等一会,使其充电到稳定状态时,再读取屏上给出的参数。
下面,是几只电解电容的实验结果,供参考。
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发表于 2017-3-1 10:27:25 | 显示全部楼层
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发表于 2017-3-1 10:38:48 | 显示全部楼层
本帖最后由 fzh547611 于 2017-3-1 10:41 编辑

        这个测法直观有创新好。最后一个杭州CD11 6.3V470uf 所加电压超出太多了吧?应该在额定电压下看漏电流。建议求版,再用这办法测一些新近生产的电解电容看看结果。

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发表于 2017-3-1 11:19:13 | 显示全部楼层
        求版这个方法测电解耐压和漏电流有新意,但有一点不太合适,电解电容应在标称电压条件下测漏电流,图示仪扫描电压低于或高于电解电容耐压值,漏电流没有参考价值,除非依据电解电容的耐压值来设定扫描电压。

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发表于 2017-3-1 11:56:17 | 显示全部楼层
本帖最后由 奥德沃 于 2017-3-1 12:04 编辑

多年前即用过JT1、QT2测电解电容的耐压、漏电流了。也是用C、E间输出的扫描电压,但串入一只二极管,如1N4007,将二极管负极接电解电容正极,根据电容标称耐压数值选择扫描电压范围和功耗限制电阻,并设置到合适的X轴、Y轴相应的电压、电流偏转档位,从0V起缓缓增加扫描电压,可从X轴、Y轴分别读出直流耐压、漏电流值。(耐压值较低的电解电容读耐压值时可考虑减去所串二极管有约0.5V的正向压降)

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发表于 2017-3-1 12:01:15 | 显示全部楼层
奥德沃 发表于 2017-3-1 11:56
多年前即用过JT1、QT2测电解电容的耐压、漏电流了。也是用C、E间输出的扫描电压,但串入一只二极管,如1N40 ...

串入一只二极管后,可从屏上看到类似测稳压二极管稳压值时的特性曲线。

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 楼主| 发表于 2017-3-1 12:24:52 | 显示全部楼层
奥德沃 发表于 2017-3-1 11:56
多年前即用过JT1、QT2测电解电容的耐压、漏电流了。也是用C、E间输出的扫描电压,但串入一只二极管,如1N40 ...

朋友所说的方法,更具合理性。看来,我琢磨的这个方法,有缺陷。
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 楼主| 发表于 2017-3-1 12:27:14 | 显示全部楼层
岑蓉络阳 发表于 2017-3-1 10:27
电解电容不叫反压吧,是耐压。它不能接反向电压呀?

朋友所说极是。我在编辑这贴时,还是用的晶体管反压思路呢,没有根据电解电容的实际情况进行更改。所以,所说的测量电解电容的反压,其表达有误。
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 楼主| 发表于 2017-3-1 12:33:07 | 显示全部楼层
北极兵 发表于 2017-3-1 11:19
求版这个方法测电解耐压和漏电流有新意,但有一点不太合适,电解电容应在标称电压条件下测漏电流, ...

朋友所说极是。我琢磨的这个方法,看来是有不周到之处。仅具有用于两只电容进行性能比较的意义。
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发表于 2017-3-1 12:36:08 | 显示全部楼层
毫安级漏电流的电解电容器还叫“不错”?不大敢苟同啊。

现在市售的普通电解电容器,若所加锻炼电压不超过标称耐压值时,初始的漏电流基本都在几十微安至几微安级,锻炼时间超过十个小时,不少都可达到亚微安级,而经过24小时锻炼的电解电容器,能够挑出几百到几十纳安的也不在少数。

所以我不太建议使用老电解。

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发表于 2017-3-1 13:06:05 | 显示全部楼层
谢谢分享,有时间试试。

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 楼主| 发表于 2017-3-1 15:30:52 | 显示全部楼层
zeng_zww 发表于 2017-3-1 13:06
谢谢分享,有时间试试。

也算是一种检测电解电容的方法之一吧,反正有方法总比没有方法好。
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 楼主| 发表于 2017-3-1 15:35:38 | 显示全部楼层
longshort 发表于 2017-3-1 12:36
毫安级漏电流的电解电容器还叫“不错”?不大敢苟同啊。

现在市售的普通电解电容器,若所加锻炼电压不超 ...

老朋友好!
使用年限过久电解电容的漏电流比较大,确实是个不小的问题。这几只老电解电容,我已存放多年。今天有兴致,就用晶体管特性图示仪,象测量二极管的反压一样,把它们也测了测,结果,就是这个样子了。严格说来,都是应该被淘汰品。
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