【请教】做宽带功放？高频MOS和电源MOS如何区分参数指标啊

中国心

同是场效应管的电源管和发射管，极间电容差不多也不宜代用。最大的区别是封装不同，电源管的g极从芯片到管脚的引线只有1根，并且比头发丝还细，通过安培级的高频驱动电流时发热很大，损耗驱动功率多，导致增益不高。专用发射管有多条金线并联，适合高频工作。曾用2n60c电源管实验过，100MHz增益不超过10倍，估计30MHz以下还不错。
劝一句，别图省钱而用电源管，还是用正规件好。小功率玩一下就算了，别太耗时间。

hotdll

中国心 发表于 2016-8-27 02:01
同是场效应管的电源管和发射管，极间电容差不多也不宜代用。最大的区别是封装不同，电源管的g极从芯片到管脚 ...

敢问这资料的出处在哪里？很感兴趣，多谢。

e3po

hotdll 发表于 2016-8-26 17:36
敢问这资料的出处在哪里？很感兴趣，多谢。

       烧得多了砸开一看就知道了吧   

longshort

hotdll 发表于 2016-8-27 09:36
敢问这资料的出处在哪里？很感兴趣，多谢。

这资料还是不相信的为好，因为其中一句话就让人觉得不真：“多条金线并联”——早年用金线是不得已，后来发现金铝化合物在高温下失效率大幅上升，改用铝线后解决了这个问题。所以如今的芯片接线不再是金线了。

场效应管有天然的高频能力，只要解决栅极的驱动问题就行了。大功率的开关管栅极都有过驱动的承受力，特别是由于较大的输入电容（达几千pF），要达到几十ns的开关速度，就必须有相当于源极最大电流的前级驱动电流来对输入电容快速充电，这就要求栅极连线有高的电流承受能力。说电源管（我理解是说电源开关管）不如发射管，其实现在已经区别不大了，至少设计得当，几乎任何一款功率场效应开关管，都可以工作在高频下。

新无线电

中波末级就有使用电源管的，例如；IRFP350

tianjiangtao

我曾经不小心砸开过一只高频管，型号记不清了，是470M的，功率好像是20W的，里面确实全部都是金线，好多跟并联，排列很均匀，当时以为管子坏了，其实不坏，现在想想真觉得可惜