三极管和中周

yang.fujiang · 发表于 2016-8-2 10:20:16

本帖最后由 yang.fujiang 于 2016-8-2 10:32 编辑

三极管的阻抗、结电容和中周的选择性。要想选择性好，尽量提高Q值，增大电路阻抗，进行匹配，中周适当增加变比

70后大叔 · 发表于 2016-8-2 12:15:46

你这个阻抗是Ie取多少ma時计出來的??

yang.fujiang · 发表于 2016-8-2 13:19:00

本帖最后由 yang.fujiang 于 2016-8-2 13:20 编辑

70后大叔发表于 2016-8-2 12:15
你这个阻抗是Ie取多少ma時计出來的??

用这个公式算一下，rbe，放大倍数取60，电流2ma时rbe=780欧姆

园丁 · 发表于 2016-8-2 13:25:48

一般认为Ie为变值（贝塔值也会有微小的变化），根据公式推算，可以得出rbe的值。

枫丹白露 · 发表于 2016-8-2 13:29:27

这样弄也行？中周的选择性高了其实也没有用，那个叫物极必反

yang.fujiang · 发表于 2016-8-2 13:39:07

rce取10k，rbe取0.5k，则N1/N2的平方=rce/rbe，N1/N2=4.47

雪地乌鸦 · 发表于 2016-8-2 13:46:27

学习一下但还是看不懂，自己缺少理论且比较懒，倾向于优选过的电路和“制式”中周。

yang.fujiang · 发表于 2016-8-2 13:52:13

枫丹白露发表于 2016-8-2 13:29
这样弄也行？中周的选择性高了其实也没有用，那个叫物极必反

考虑选择性的同时还要兼顾其它性能

yang.fujiang · 发表于 2016-8-2 13:58:20

雪地乌鸦发表于 2016-8-2 13:46
学习一下但还是看不懂，自己缺少理论且比较懒，倾向于优选过的电路和“制式”中周。

知道了三极管的阻抗，便可以实施阻抗匹配的原则，便可以利用中周变比进行匹配，根据电路设计的要求和特点就可以选择不同的中周匝数比N1/N2，实现不同的电路功能和特性

雪地乌鸦 · 发表于 2016-8-2 14:08:13

yang.fujiang 发表于 2016-8-2 13:58
知道了三极管的阻抗，便可以实施阻抗匹配的原则，便可以利用中周变比进行匹配，根据电路设计的要求和特点 ...

感觉特复杂，一接触公式就犯晕。另外比如一中放，由于AGC的存在，工作点和负载阻抗是不固定的，这时就更复杂了。

yang.fujiang · 发表于 2016-8-2 14:31:22

雪地乌鸦发表于 2016-8-2 14:08
感觉特复杂，一接触公式就犯晕。另外比如一中放，由于AGC的存在，工作点和负载阻抗是不固定的，这时就更复 ...

可以把AGC作用当成三极管本身特性，不影响电路匹配的分析

枫丹白露 · 发表于 2016-8-2 15:51:48

为啥都想做这样的东西？中放的输入和输出不仅受agc影响，输入信号大小对其也有很大影响，像这样纸上划划想解答这些问题，有点难

爱康木 · 发表于 2016-8-2 16:25:44

本帖最后由爱康木于 2016-8-2 16:36 编辑

先要定目标，比如理想的收音机中频要达到那些目标，我们尽量往理想端努力。

只要我们不惜重金,腾无限的空间(比如-如果需要,我们可以绕制每个中周体积几个平方米大-)以现在的科技和物质条件,应该能达到
接近理想的状态!

灵敏度是多少（增益）？选择性是多少（中频频宽,中频扫频图要达到怎样的图形)，?还有吗?

北极兵 · 发表于 2016-8-2 22:43:04

yang.fujiang 发表于 2016-8-2 13:19
用这个公式算一下，rbe，放大倍数取60，电流2ma时rbe=780欧姆

老师这对硅管和锗管都适用不？

yang.fujiang · 发表于 2016-8-3 12:13:25

北极兵发表于 2016-8-2 22:43
老师这对硅管和锗管都适用不？

老师不敢当这个公式只是估算而已，硅管和锗肯定有差异，而且是过去的公式，只能定性的粗略计算

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