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发表于 2014-6-22 09:08:48
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shbfkj 发表于 2014-6-22 08:15 
串联、并联等效电阻,是电容固有的东西,质量好的就低,我们常用的电解电容是2.2UF到10MF,ESR(等效串并 ...
也对也不对,容抗 Xc 是虚部,等效串联电阻(Rs or ESR)是实部,在 LCR 表测量的时候,这两个参数是分别给出的;在电路中,则表现为复阻抗 Z。坛里和淘宝上都有人做一些廉价 ESR 表,它们的原理是用一个足够高频率去测试电容的复阻抗 Z,随着频率升高,大容量的电解电容的虚部容抗 Xc 近乎于 0,而 Z(ω)=R(ω)+jXc(ω),jX=0 的话,测得的复阻抗 Z 自然就差不多等于 Rs,而此时 Rs 又差不多等于 ESR 了。但 ESR 实际上并不是这个意思,ESR 不等于或者不完全等于 Rs,ESR 是一个简化了的对电容的总体耗损的以串联电阻来描述的参数。
简单的电容等效模型中,一个实际电容器等效为一个理想电容 C 和等效并联电阻 Rp 并联后再和等效串联电阻 Rs、等效串联电感 Ls 的串联,而实际上比如薄膜电容器的 Rp 很大,通常几乎可以忽略,因此薄膜电容器可看为 C、Rs、Ls 三个器件等效串联,那么它的 ESR = Rs;电解电容通常 Rp 没有那么大,它对电荷(电能)充入电容再放出这个循环产生了必然的泄露/耗损,所以其实电解电容尤其是质量不咋样的电解电容在低频时的 ESR,其实是等效并联电阻(泄露)贡献出来的,只不过我们把这个并联电阻导致的充放电循环中的能量损失算到一个串联在等效模型中的电阻去了,所以一般电解电容的 ESR 认为是 ESR=tanδ/ωC,而 ω 也是 f 的函数(ω=2*pi*f),所以也不是“固定”的、在不同频率下差异不大。实际上的情况是,电解电容的 ESR 随着频率升高而降低,但频率很高后变化不明显,因此 120HZ 下给出的参数和 100KHZ(开关电源也会需要用到大量电解电容)下的实际工作参数依然可以差很多。
顺便说一下,如果用很高频率测试电解电容,由于容量 C 很大,那么 Xc 近乎于 0,其实也等于将模型中的等效并联电阻 Rp 短路掉了,所以高频率 ESR 表不考虑 Rp 也是因此。 |
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