偏置电阻的计算

笑咪咪

这是一张低电压放大器工作原理图，是从朋友们的帖子中截取的。






我们试着来计算上偏流电阻R2的阻值。

已知条件：

电源电压：1.5V
晶体管：小功率锗管
直流放大倍数：50
集电极电流：0.5ma
基极电流：0.01ma
发射极电流：0.51ma
发射极电阻：560
下偏流电阻：47K
上偏流电阻：待计算

由于已经决定设置静态电流为0.5ma，且发射极电流约等于集电极电流，所以发射极电流也是0.5ma。

发射极电压：发射极电阻x发射极电流=0.28V

基极电压：0.28V+0.2V=0.48V (0.2V为基极与发射极间的电压，它是一个常数)

下偏置电阻电流：0.48V/47K=0.01ma

上偏置电阻的端电压：1.5V-0.48V=1.02V

上偏置电阻的电流：基极电流+下偏置电阻电流＝0.02ma

上偏置电阻阻值：1.02V/0.02ma=51K

这样我们就可以通过简单的计算得到了上偏置电阻的阻值是51K。

当然影响偏置电阻的因素很多，所以会有一些偏差。


说明：

这虽然是基础知识，但由于几十年没有算过这个东西了，这几天也是凭着回忆一点点地想，所以其中也许会有错误。

如果有错误，请朋友们指出。

笑咪咪

zjd1103 发表于 2014-1-22 13:08
按流过两个串联分压电阻的电流大于等于流过基极的Ib的5~10倍就好估算了。

确实如您所说，这个电路的下偏置电阻用到了47K，让人不知为什么。呵呵！

园丁

补充一点：如果是用老（锗材料）三极管，穿透电流（Iceo）也是要考虑的因素之一哦。

笑咪咪

园丁 发表于 2014-1-22 13:49
补充一点：如果是用老（锗材料）三极管，穿透电流（Iceo）也是要考虑的因素之一哦。

确实如此。呵呵！

对于锗管来说穿透电流要比硅管大得多，但与集电极电流相比它还是可以忽略的，除非这个管子太差了。

发射极电阻也叫直流负反馈电阻，它的作用就是遏制因温度变化而引起静态电流的飘移。后来硅管的温度特性好多了，也有的就将其去掉了。

另外，谢谢您的多次加分。呵呵！

园丁

笑咪咪 发表于 2014-1-22 14:03
确实如此。呵呵！

对于锗管来说穿透电流要比硅管大得多，但与集电极电流相比它还是可以忽略的，除非 ...

您有好文章，提供大家学习，精神可嘉，加分是必须地，呵呵。  

笑咪咪

zfp2433 发表于 2014-1-22 14:59
写的好，给初学者提供了宝贵的资料

谢谢您的鼓励，呵呵！

笑咪咪

fuse 发表于 2014-1-22 16:21
部分锗管穿透电流非常巨大，穿透电流大就会使管子温度上升，温度上升穿透电流就会继续增大，所以实际设计电 ...

早年晶体管的成品率很低，所以有很多的处理品晶体管可以买，价格也便宜。

这些处理品中，多是漏电电流大，或是放大倍数太大等等。不过对于无线电爱好者来说也不强求什么，只要能响就行。

漏电电流其实是不受基极电流控制的，它是一种缺陷，如果漏电电流不大，那在晶体管电路设计中没必要考虑。

还有一种状态，就是温度的影响。在温度上升时，它的集电极电流会增大，放大倍数会上升。

为了减小这种因温度的影响，所以在设计中才使用了发射极电阻，它也叫直流负反馈电阻。

工作原理：

发射极电流的增加，引起了发射极电压的升高。

因基极电位是稳定的，所以会减小Vbe，也就是基极与发射极间的正向电压，它反过来又会使发射极的电流减少，这样就遏制了发射极电流的增加。

这也就是负反馈一词的来历。

笑咪咪

hayyp 发表于 2014-1-22 16:52
用戴维南定理就方便求得，无须这么烦琐！

如果方便，请您说说。呵呵！


另外，如果分压电阻设计的好，这样更简单：

R1/R2 = U1/U2

lygjhjz

用10K内的电阻分压效果好。

笑咪咪

lygjhjz 发表于 2014-1-22 18:00
用10K内的电阻分压效果好。

确实如您所说，呵呵！

只要分压电流是基极电流的10-20倍，那基极电流就可以忽略不计了，计算也容易多了。

没有想法

不知这是不是固定偏压偏置电路？

笑咪咪

没有想法 发表于 2014-1-27 03:25
不知这是不是固定偏压偏置电路？

确实如您所说。

也可以理解为晶体管工作状态的建立，呵呵！