对ALD110800A器件文档的翻译

mike

虽然有不少朋友买了这种器件，但是器件的pdf文档，不便于大家的理解，而对于器件不理解就很难应用，所以小生虽然不才，但是还是决定把这篇文档翻译一下，便于大家对器件的理解和应用。因为是自己翻译的，如有不当之处，请各位斧正。

General Description 一般性描述

ALD110800A/ALD110800/ALD110900A/ALD110900是一个整体的，由四个或者二个配对的N沟道MOSFET构成，使用了ALD公司引以为傲的EPAD@CMOS技术。这些器件被设计用于低电压和小信号的应用。ALD110800/ALD110900的特征在于其零门限电压。这可以减小或者是消除从输入到输出的电压电平转换，包括在电路中，当信号接近地电位或者是电源正电压的时候。这一特性极大地减小了输出信号的电压电平转换并增强了信号操作的范围，特别是对于甚低的工作电压环境。用这些零门限电压器件可以构建多级模拟电路，并且该电路能够在极低的供电和极小的偏置电压电平下工作。例如，已经被证明，一个输入级的放大器能够在0.2V的供电电压下工作。

ALD110800A/ALD110800/ALD110900A/ALD110900配对MOSFET设计作为电特性配对性能优秀的器件。因为这些器件处于同一块芯片上，他们同样表现出优秀的温度跟随特性。他们作为设计组件可以灵活地运用于模拟应用的很多方面，例如，作为基本的构件用于电流源，差动放大器的输入级，传输门，以及多路开关选择器等等方面的应用。

除了配对的电特性，每一个独立的MOSFET也表现出良好的控制参量，确保使用者能够运用于苛刻的设计极限。甚至不同批次，不同时期制造的单元也能够表现出很好的配对特性。

构建这些器件用于最小的补偿电压和不同的温度响应，而且他们被设计用于+0.2V到+10V系统中的开关和放大应用，这些应用要求低输入偏置电流，低输入电容以及快速的开关速度。这些器件的VGS（th）被设置在+0.0V，这既可以将他们归类于增强型器件，也可以归类为耗尽型器件。当栅极电压设置为0.0Vde时候，VDS=1+0.1V时，漏极电流为+1微安（uA），这允许一系列的电路的输出电压电平偏置于或是接近输入电压电平而不存在电压电平的转换。这些器件同样表现出优良的开关控制和门限以下操作的特性，这就如标准的增强型器件一样。

ALD110800A/ALD110800/ALD110900A/ALD110900作为MOSFET表现出高输入阻抗的特性（10E12欧姆）和高的直流电流增益（>10E8）。一个计算直流电流增益的例子是，在25摄氏度下，当漏极电流为3毫安时，输入漏电流为30皮安，那么增益为3mA/30pA=100 000 000。对于大多数的应用，请将V+管脚连接到最高的正电位电极（或者悬空不用），将V-和N/C管脚连到电路中的负电位电极。其余管脚的连接的电压必须遵守各管脚电压的极限值。

TEATURES 特性
精密零门限电压模式
标称RDS（ON）在VGS=0.0V时为104K欧姆
MOSFET之间的配对
严密的特性一致性
VGS（th）的误差（VOS）在2mV到10mV
正向，零和负向的VGS（th）温度系数——这个我真不知道怎么翻译
低输入电容
低输入输出漏电流

APPLICATIONS 应用

甚低电压模拟和数字电路
零功率误差保护电路
后备电池电流以及功率失效检测器
低电平电压钳制以及零通过检测器
源极跟随器和缓冲器
精密电流镜像和电流源
电容探针和传感器借口
电荷检测器和电荷积分器
差动放大器输入级
高侧开关
峰值检波器和电平转换器
采样和保持
电流倍增器
模拟开关/多工器
电压比较器和极性转换

[ 本帖最后由 mike 于 2008-1-21 14:51 编辑 ]

mak1939

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[ 本帖最后由 mak1939 于 2008-1-22 08:01 编辑 ]