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发表于 2012-1-2 21:30:51
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王正安也是从八三厂来的，他从来没有愁事，极为乐观。后来他得了一种塌胸的怪病，医生的结论是无药可救，活不了几年。可他一直快乐的活着，这种奇迹的出现只能从他快乐的性格中找原因了。
一车间的青工中，比较出色的有李林忠、赵沂波、董建军、于文涛、杨秀苹等人。李林忠是从济南去的，他在技术上进步很快，一直是四排学徒工中的尖子，是第一个掌握拉单晶技术并独立拉出单晶的学徒工，在厂期间还入了党。赵沂波是临沂去的，和我一个工序，是我的密友。他聪明，好学，工作勤奋努力，进步很快，得到领导重用。离厂后他在临沂干了公司经理。董建军、于文涛是外延片生产的业务骨干，董离厂后到深圳当了一名企业家，是我厂出去的人中少数拥有可观资产的老板；于文涛出身书香门第，离厂后毕业于山东大学，一直从事激光科研工作。杨秀苹是四排各方面都表现比较突出的青年女工。在一车间的青工中还有很多在政治思想上积极要求进步的，如：女青工赵素玲、曹绪华、李建等人。
二车间和我接触多一些的老工人有苏春源、宋云华等人。苏春源是八三厂去的，苏师傅对我的帮助是很大的，特别是在扩散工艺的操作上，他手把手教我，使我受益匪浅。他对我们工农兵大学生的成长是有贡献的。宋云华也是八三厂去的女工，一直在硼扩散工序。她是李维荣的夫人，工作起来认真负责，对技术也有自己独到的见解，她曾给我讲过她对硼扩散样片电阻率的控制方法，真是实践中总结出来的经验之谈。1976年我回厂到二车间时很多青工已在生产和业务工作中崭露头脚了。如前工序的：刘征然、李其平、李俊江、吴永宁、王兴菊、姜红、李明武、王连敏、李大头、小匡等人，后工序的：杨玲、刘荣、王金华、李克宁等人。刘征然、吴永宁、王兴菊、姜红都是光刻工序的好手，光刻工序在芯片生产中是非常关键的工序，需要在显微镜下手动对版，精细度只有几微米，相当于头发丝的1/10，难度可想而知，但他们都熟练地掌握了这项操作技术。李其平是二车间技术小组的成员，车间质量检查员，很能干。李俊江是生产的多面手，他干过扩散，光刻，蒸发等工序，工艺技巧方面很有自己的心得，在技术上对我的帮助不小，只是这家伙纪律性较差，是使车间领导比较头痛的人物之一。李明武是我的好兄弟，勤奋好学，孜孜不倦，工作也很努力，大学毕业后考取了研究生，成为我厂出去的人中少有的具有硕士学位的学者。
我记得杨玲在我到二车间时就在后工序（热压、封装工序）当排长（工段长）了，她严格干练，工作认真负责，在后工序的女青工中很有威信。离厂后杨玲到临沂银雀山博物馆工作，著有孙子兵法方面的考古专著，成为有成就的学者。刘荣是位活泼热情的姑娘，我曾和她还有俊江、王小英一起到上海学习P-MOS制作技术，她的单纯给我留下了深刻的印象。离厂后刘荣在临沂外贸当了一名老板，主抓活牛的出口生意。王金华工作大胆泼辣，认真负责，是领导很依重的生产骨干，在厂里就入党提干（二车间的副主任）了，后来嫁给了我的朋友薛群立，二人调往胶州市工作。李克宁也是一位很能干的姑娘，后来和我的好友赵沂波结婚，在临沂市质监局工作，因表现突出，被提拔为副局长。
除了上述谈到的人物外，我厂当年的学员中还有很多优秀的人士，如：济南学员队的尹敬宇、王宏林、李庆年、刘浩、田立娃、杨健；临沂学员队的薛克、袁浩；胶县学员队的任世光、高思恩、王立明夫妇、李鲁光、李鲁芳兄妹；烟台队的刘少荣、曲竹立、林志刚、王増林；青岛队的陈玉海等。这些人在厂里时就有着不俗的表现，离厂后更是在自己的事业和工作中取得了不小的成就。像薛克，担任了山东省发改委副主任，为山东省的经济建设作出了突出贡献，对八0七0厂的老人们也总是尽心皆力地帮忙，受到了大家的尊重。烟台队的曲竹立离厂回烟台后当了一名企业老板，在事业上取得了很大成绩，对朋友们也是全力帮助，这种兄弟般的情谊深深地温暖了我的心。
二、八0七0厂的生产情况
八0七0厂是文化大革命期间建厂的，当时的建厂指导思想是要建一个半导体器件生产方面的“小而全”的厂子。从1970年到1980年10年间经过全厂职工的努力，建成了一个从单晶硅片子的制备，直至能够独立生产晶体管成品和中小规模集成电路的军工企业。厂子有单晶硅和单晶硅片子的制备车间(一车间)，晶体管和集成电路芯片制造和封装为成品的车间（二、三、四车间），晶体管芯片制作用光刻版、母版制作及成品晶体管、集成电路测试车间（五车间），还有半导体器件制造所需的各种水、气制备和金加工车间（六车间）等。应该说在当时半导体器件生产方面是一个能力比较全面的企业。在70年代初期我厂的生产设备在国内可以说是比较好和比较先进的，在国际上也达到了中等技术水平。厂内的单晶炉、扩散炉、蒸发炉、光刻机、各类测试仪等生产设备都是当时国内研制出来的最新产品，或从国外进口的设备，特别是半导体器件生产的关键设备—工具显微镜都是德国进口的产品，这种显微镜能达到准纳米级了，连上海的半导体生产大厂都没有，我厂一进就是好几台。
到1978年，我厂生产的主要产品有低频大功率晶体管、高频大功率晶体管、G35、G36、G37和2Z210、2Z211高频小功率晶管和P-MOS系列中小规模集成电路。
1970年—1973年我在一车间工作。一车间当时有三台单晶炉、二台高频外延炉和一些切片、磨片设备。硅单晶拉制是一项高精细、高技术工作，其过程大体是：将装有多晶硅的石英坩埚放在单晶炉内电加热至摄氏1000多度，等石英坩埚中的多晶硅化为液体后用子单晶条（1mm见方、长30～40mm的单晶）去接触硅液面，使接触界面的硅原子按单晶条的单晶硅原子重新排列，逐渐提拉，生成新的单晶硅，直至将坩埚中的硅全部拉出。到后来一车间四排除几位老工人外，很多学徒工都能单独操作拉单晶的全过程，其中李林忠的技术是最好的。合格的单晶硅（最大直径一般为5～8cm，长约10～17cm，萝卜状）再经过切片、磨片、抛光、外延（高频大功率管用硅片）等工序后制成单晶片，即可送管芯车间制作芯片了。到我从大学回厂时几个管芯生产车间用的单晶片基本可由本厂自我满足供应。我的工序是负责对单晶硅、外延片的测试。测试设备当时有三探针测试仪，四探针测试仪等，比较简陋。三探针装置还是我和赵沂波、徐竹江等人用有机玻璃自制的。外延生产就是在中性单晶硅圆片上生长一层不同电阻率的单晶层，供高频大功率晶体管芯片制作的特殊需求，这在当时是较为先进的工艺技术。它的整个过程都是在高频炉里完成的。外延片生产时，高频炉内温度也有1000度左右，还通着氢气，技术难度和危险性都不小。除老工人外，当时掌握这项技术比较好的有董建军、于文涛、徐法文等人。我的几个朋友张胜军、李友谊、徐明等人当时都在一车间磨片工序上，他们聪明好学，技术也不错，就是太年轻有些淘气，周指导员对付他们有些吃力。
1976年—1980年期间我从大学毕业回厂到二车间工作。二车间用平面工艺生产高频小功率晶体管，主要有G35、G36、G37军用高频小功率晶体管和电视机高频头用2Z210、2Z211高频小功率晶体管。70年代后期还试生产了P-MOS集成电路。平面工艺生产PNP型晶体管的工艺过程大体是：单晶硅氧化（高温850℃～1000℃、通氧20～30分钟）—第一次光刻（刻扩硼窗口）—扩硼（高温、800℃～900℃左右，10～15分钟）同时第二次氧化片子表面—第二次光刻（刻扩磷窗口）—扩磷（高温800℃～900℃，时间10分钟左右）同时再次氧化—第三次光刻（刻铝接触窗口）—蒸铝—第四次光刻（反刻出铝引出条）—片子背面蒸金—管芯测试（选好管芯）—划片（将好管芯分离出来）—热压、封装（将好管芯引出管线并封装于金属壳中）—总测（对晶体管筛选、分类）—成品包装出厂。整个工艺过程的每个工序都要对片子进行反复的化学清洗处理，主要是用高纯硫酸、硝酸、王水等化学试剂（一般必须达到分析纯和优级纯）煮沸，再用高纯去离子水蒸沸冲洗。
这套工艺手段在70年代初期应该说还不太落后于国际水平。我厂当时生产产品的成品率较低，但由于我们的测试设备比较先进，所以选出的合格管子的质量还是可以的。我厂的各类晶体管都曾上过我国的卫星、导弹，受到国防科工委的表彰。大家在周建俊、宫衍民、贺继凯等车间领导的带领下，努力工作，也取得了一些成绩。记得当时车间还组织大家劳动竞赛，我和李俊江、李其平等组成的竞赛小组实力还不俗哪。建厂十年间，生产形势最好的一年是1978年，这一年我厂赢利20余万元。但到70年代末期，从一个工业企业的角度来看，它的一些本质弱点开始无情的显示出来：第一，技术生产管理的粗放性。下面举例说明一下这种粗放的程度。我在二车间的四年间，每个管型的生产都没有一本完整正式的工艺文件，生产凭工人自己确定工艺条件，自己操作，出了问题也不追纠生产者的责任，只是车间干部和技术人员到现场，大家商量，分析一下原因，接下来再干。因为车间的生产责任制根本没有建立起来，生产中浪费惊人。有一次一位工人把价值1000多元的石英管打碎，用簸箕一撮从后窗倒掉了事。半导体生产是有高清洁度要求的，但我厂清洁制度也没有很好地建立起来，使生产受到了严重影响。有一次，一批片子到后工序测试合格率很低，检查原因竟是由于前工序操作人员中午吃大包子没洗净油手所致。第二，由于我厂的生产车间楼都是用石头建的，又没有进行密封处理，所以生产环境（主要指清洁程度）很差，根本无法保证半导体生产所要求的高清洁度。第三，也是最重要的一个弱点，就是全厂职工不安心在山沟里工作，几乎100%的职工都是在努力争取调离，调到大城市或一个生活、工作环境更好的地方。由于这些本质弱点的逐渐突显，使我厂的生产水平与当时国内上海、北京、济南的一些半导体老厂的差距开始拉大，与国际水平比更是差距巨大。我车间生产的高频小功率晶体管从投片到出管的单管成品率一般只有5%左右，最好也很少超过10%，而当时上海的半导体生产厂的同类晶体管的单管成品率是30%左右，国际上则已高达98%。我记得，大概是1979年吧，国务院四机部组织了一次全国性的国内半导体生产工业水平与国际先进水平实物对比分析活动，分南片和北片进行。北片的地点在沈阳，南片在上海。北片的分析小组由北京、辽宁、山东、天津等省市派有关专家和技术人员参加。我受省电子局和我厂派遣参加了这次分析活动。北片分析小组的任务是：解剖从日本进口的电视机用C1070高频小功率晶体管（同时也解剖国产晶体管），从中对比分析我国与日本在此种半导体晶体管生产方面的差异，从设计和工艺技术角度提出我们的改进措施和发展方向。具体的解剖分析方法是：用烧结炉将日本和我国的塑封晶体管加热到800℃～900℃,去掉塑封壳,取出小米粒大的管芯在显微镜下观看其表面情况,以对比芯片生产的差异情况。说实在的,当我在显微镜下看到日本管芯表面时不由得倒吸了一口凉气：清洁透明的淡黄色隔离层覆盖于芯片表面(氮化硅表面，说明日本已广泛使用了离子注入的PN结生成技术),清澈整齐的光刻线条(自动激光对版光刻工艺的产物),整齐四棱的管芯边沿（说明了其芯片切割技术的完美),这一切都标志着当时我国半导体器件工业与日本的差距已有了一条几乎无法逾越的鸿沟。1970年到1979年短短不到十年的时间,我国半导体器件工业与日本拉开了这么大的差距是我们分析小组每位同志都非常吃惊也是十分伤心的。分析小组同志们的一致结论是:我国的半导体生产技术已落后于日本10～15年,这种落后也标志着我国电子生产设备技术、属于原子物理范畴的离子加速和注入技术、激光实用技术、机械制造特别是高精密机械设备和仪器的制造技术、冶金工业技术、化学工业的提纯技术等等科学技术领域的全方位的落后。当然这种落后是文革十年动乱造成的。
令我十分不解的是八十年代初期我国电子工业的发展方向为什么选在优先发展电子产品的整机生产上。其实，半导体器件生产、集成电路的芯片生产才是电子工业的核心，才是电子工业发展的永恒的主题。我个人认为，八十年代初的选向方面的问题加剧了我国电子工业水平与国际先进水平的差距。 |
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发表于 2012-1-3 02:47:00
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