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发表于 2025-3-8 21:11:12
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无论是玩胆还是石,我们做电阻负载的放大电路必须了解一个重要的限制:你的元器件至多能产生多大增益?
GMID_TRADEOFF.png
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假设电源电压VDD确定,漏极电阻上直流压降随之确定。Id=VDD/2R
又假定漏极电阻R1上压降是电源电压的一半,那么FET漏极电流Id也确定下来。
从IN到OUT的电压增益(低频)约为Alf=gm×R,可以看到R1、VDD、Id相互彼此制约,决定电路的最大增益。
每个器件都有一定的【电流效率】即【每份Id能取得多高gm】,表达为gm/Id。
给定电源电压下,器件的最大增益Alf_max=(VDD/2)×(gm/Id)
假设电源电压VDD=3V、FET器件在10mA偏流工作点具备10mS跨导,那么:
Alf_max=(3/2)×(10m/10m)=1.5倍
1.5倍增益低到简直没有意义
再假设电源电压3V、NPN管在2mA具有75mS跨导,则:
Alf_max=(3/2)×(75m/2m)=56倍
所以k596的问题是:平方律区【电流效率】过低,无法提供体面的增益;
欲提升【电流效率】可将场管工作点下移到几乎将截止的低电流区,但也不及BJT的【电流效率】。
再者,降低工作电流虽能提升【电流效率】但跨导亦降低、负载电容几乎不变。
根据单管共射单位增益上限频率公式fug=gm/C,电路的带宽降低失去高频放大的能力。
所以FET想要放大倍数高·频带宽,提升电源电压最简单效果也好。。。 |
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