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发表于 2025-1-19 22:01:13
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本帖最后由 MT4S301 于 2025-1-19 22:25 编辑
BIT_BIASING.png
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常用的是这两种偏置方法,名字我自己取的
设计BJT电路的第一步是根据你需要的带宽、你能允许的管耗决定BJT的集电极静态电流Ic
确定Ic之后开始计算偏置电阻。分为2种情况:
【电流偏置】R2上流过的电流Ib1=Ic1÷β,R2两端的电压约为VCC-0.7V。用这两个参数就能算出R2
【电压偏置】先想好你要多大R1,R1越大温度稳定性越好但损失的Vce就越多(损失了输出电压摆幅)
本人一般保持R1上的压降小于VCC的十分之一。
流过R1的电流约等于Ic2,据此能算出VE2=Ic2×R1。随后VB2=VE2+0.7V,根据VB2和VCC就知道R3和R4的比例了。
最后根据R3和R4的比例确定R3和R4的大小,方法是:Ir4大于10倍的Ib2。这要求(R3+R4)小于10×VCC÷Ib2
尽管给的案例都是NPN型,只要调转极性便能用于计算PNP型的偏置电阻。
要注意PNP管的基极电流方向是流出基极。
---------------------------------------------------【补充】------------------------------------------------------
1、第一种偏置的温度稳定性比较差,第二种温度稳定性好一点。
2、但是第一种方法的总输入电阻比第二种大。
3、做高频放大电路,决定Ic时还要考虑强信号干扰。降低不同电台相互干扰一般需要Ic在3~30mA范围。
4、Ic在3~10mA的9018,应该用0.8V计算而不是0.7V(Ic小于1mA的非9018电路可以用0.6V计算)
补充内容 (2025-1-22 11:07):
勘误:第二种偏置的电阻总大小R3+R4应小于(VCC÷Ib2)÷10 |
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