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有没有三极管偏置电阻计算器?

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发表于 2025-1-19 21:23:29 | 显示全部楼层 |阅读模式
请问各位老师,有没有三极管偏置电阻的计算器?

或者偏置电阻阻值计算方法的详细介绍?

感谢!!
     
发表于 2025-1-23 18:02:59 | 显示全部楼层
koei 发表于 2025-1-23 14:16
只要三极管的贝塔值 > 40,基极电阻分压,发射极接有电阻,就是这个结果。锗管的Vbe取0.2伏

那是不一定的,要看晶体管性状和晶体管工作在什么状态。比如说一只管子的放大是160或250,一只管子放大倍数是40.一只管子是工作在变频状态,一只管子是工作前置推动状态,又有一只管子是工作在电子滤波状态。还有一只管子是工作在稳压状态。晶体管是电流放大器件,由于管子的性状不一样,工作的性状也是不一样的。一般都要根据具体的情况来决定。主要调的并不是基极电流和电压,主要调的是的集电极的电流。不是别的,这是因为双极形晶体管是电流放大器件。
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发表于 2025-1-19 22:01:13 | 显示全部楼层
本帖最后由 MT4S301 于 2025-1-19 22:25 编辑

BIT_BIASING.png (38.84 KB, 下载次数: 1)
常用的是这两种偏置方法,名字我自己取的

设计BJT电路的第一步是根据你需要的带宽、你能允许的管耗决定BJT的集电极静态电流Ic
确定Ic之后开始计算偏置电阻。分为2种情况:

【电流偏置】R2上流过的电流Ib1=Ic1÷β,R2两端的电压约为VCC-0.7V。用这两个参数就能算出R2

【电压偏置】先想好你要多大R1,R1越大温度稳定性越好但损失的Vce就越多(损失了输出电压摆幅)
    本人一般保持R1上的压降小于VCC的十分之一。
    流过R1的电流约等于Ic2,据此能算出VE2=Ic2×R1。随后VB2=VE2+0.7V,根据VB2和VCC就知道R3和R4的比例了。
    最后根据R3和R4的比例确定R3和R4的大小,方法是:Ir4大于10倍的Ib2。这要求(R3+R4)小于10×VCC÷Ib2

尽管给的案例都是NPN型,只要调转极性便能用于计算PNP型的偏置电阻。
要注意PNP管的基极电流方向是流出基极。


---------------------------------------------------【补充】------------------------------------------------------
1、第一种偏置的温度稳定性比较差,第二种温度稳定性好一点。
2、但是第一种方法的总输入电阻比第二种大。
3、做高频放大电路,决定Ic时还要考虑强信号干扰。降低不同电台相互干扰一般需要Ic在3~30mA范围。
4、Ic在3~10mA的9018,应该用0.8V计算而不是0.7V(Ic小于1mA的非9018电路可以用0.6V计算)

补充内容 (2025-1-22 11:07):
勘误:第二种偏置的电阻总大小R3+R4应小于(VCC÷Ib2)÷10

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发表于 2025-1-21 19:37:32 | 显示全部楼层
模拟电子线路中简单计算方法:

Ic2 ~= ( R4 / ( R3 + R4 ) * Vcc  - 0.7 )/ R1

原理就是因为这是一个电流负反馈电路,当三极管放大倍数 > 40 ,流过R3和R4的电流 > 三极管基极电流的时候,集电极电流基本上由电流负反馈决定

屏幕截图 2025-01-21 192658.png
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发表于 2025-1-20 22:44:01 | 显示全部楼层
MT4S301 发表于 2025-1-19 22:01
常用的是这两种偏置方法,名字我自己取的

设计BJT电路的第一步是根据你需要的带宽、你能允许的管耗 ...

名字起的好,通俗又易懂,混沌的认知顿时清晰起来
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 楼主| 发表于 2025-1-21 18:40:26 | 显示全部楼层
MT4S301 发表于 2025-1-19 22:01
常用的是这两种偏置方法,名字我自己取的

设计BJT电路的第一步是根据你需要的带宽、你能允许的管耗 ...

感谢这位老师的帮助!
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 楼主| 发表于 2025-1-22 08:07:55 | 显示全部楼层
koei 发表于 2025-1-21 19:37
模拟电子线路中简单计算方法:

Ic2 ~= ( R4 / ( R3 + R4 ) * Vcc  - 0.7 )/ R1

感谢帮助    我也试试这个
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发表于 2025-1-22 08:43:55 | 显示全部楼层
asd0109 发表于 2025-1-22 08:07
感谢帮助    我也试试这个

这个公式的来源,或者分析方法就是:

1. 三极管的基极电流 <分压偏置电阻流过的电流,电阻中点的电压,即基极电压,基本上取决于电阻的分压:Vb2 ~= (R4 / (R3+R4) ) * Vcc
2. 三极管的基极-发射极压降 : Vbe ~=0.7V,即Vb2-Ve2=0.7
3. 三极管的集电极电流 ~= 发射极电流

最终:Ic ~=Ie=(Vb-Vbe)/Re 就是那个公式。

实际上,只要把楼上坛友那个图中,假设为Ib2=0,Vb2-Ve2=0.7,就是这个结果。这种基极分压电阻+射极电阻的直流偏置电路,基本上可以消除三极管的分散性,工作点基本上由电路参数决定。
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发表于 2025-1-23 11:58:53 | 显示全部楼层
本帖最后由 grandchen99 于 2025-1-23 12:03 编辑
koei 发表于 2025-1-22 08:43
这个公式的来源,或者分析方法就是:

1. 三极管的基极电流


说是这么说。除了晶体管的集电极和基极的工作电压外,基极电阻的取值大小还和晶体管的直流放大倍数有很大的关系,而且和管子的穿透电流关系也很大(锗管更加明显)。所以在现实中往往对这些计算公式关心得不多,而对具体的调试关系非常重视。比如先断开集成极回路,串入满度约为5毫安的直流电流表,根据需要调节基极的可调电阻,直到晶体管的这一级直流工作电流调到符合要求为止。
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发表于 2025-1-23 14:16:36 | 显示全部楼层
grandchen99 发表于 2025-1-23 11:58
说是这么说。除了晶体管的集电极和基极的工作电压外,基极电阻的取值大小还和晶体管的直流放大倍数有很 ...

只要三极管的贝塔值 > 40,基极电阻分压,发射极接有电阻,就是这个结果。锗管的Vbe取0.2伏
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发表于 2025-1-23 18:32:34 来自手机 | 显示全部楼层
若是知道怎样进行“等效折算”,计算就不是难事。
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发表于 2025-1-23 18:35:34 来自手机 | 显示全部楼层
当然前题是电工基础知识扎实

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发表于 2025-1-23 20:16:35 | 显示全部楼层
这个是最基础的,难的是电路的输入输出阻抗,以及增益的计算。
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发表于 2025-1-23 21:32:27 | 显示全部楼层
grandchen99 发表于 2025-1-23 18:02
那是不一定的,要看晶体管性状和晶体管工作在什么状态。比如说一只管子的放大是160或250,一只管子放大倍 ...

1. 三极管都是工作在线性放大区
2. 整个电路增益,同晶体管贝塔值几乎无关(射级电阻没有并联交流旁路电容)
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发表于 2025-1-24 19:53:22 | 显示全部楼层
本帖最后由 grandchen99 于 2025-1-24 20:09 编辑
koei 发表于 2025-1-23 21:32
1. 三极管都是工作在线性放大区
2. 整个电路增益,同晶体管贝塔值几乎无关(射级电阻没有并联交流旁路电 ...


双极型三极管根据需要可以工作在不同的曲线工作区段,和不同的场合。你说的只是在某些特定的场合的特定情况有用。《开关电路和门电路》这本书你看过吗?对工作电流来说,主要是看集电极电流。有时基极电流和电压对了,集电极电流和电压不一定对。

翻开晶体管收音机的制作书,几乎都能看到某一级的晶体管要求放大倍数大致多少,性能要求怎样,如果各级的放大倍数都是40,装出来的机子都是高一流的了?实践证明放大倍数过大的管子,无论你采取何种方法,装出来的机器都是会自激的,是不适合装机的。这样自从自晶体管诞生时就有不合格的放大过大的或过小的处理品管子了。
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