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本帖最后由 zzfjct 于 2025-1-5 11:41 编辑
二,二次自动增益控制二极管的正反向偏置之争
二次自动增益控制二极管,一端接变频负载中周初级热端,另一端接一中放集电极中周馈电端(相当于交流接地端)。因一中放馈电端与电源端有降压电阻,故该点电位低于变频馈电端。当PNP锗管电路电源为-6v、一中放集电极电阻为1.5K,电流为0.5ma时,一中放馈电端电为-5.25v。控制二极管正极接-6v,负极接-5.25v,为反向偏置,反向电压为0.75v。
但也有机友认为是正向偏置。
二极管在反向偏置时的电阻很大达数百K,接在电路中影响很小。当强信号时一中放静态电流在一次AGC控制下降低至0.1ma时,集电极电阻压降减小至0.15v,控制二极管反向电压降低至0.15v,反向电阻大幅下降至数十K,除降低变频级中周的Q值外,还分流了变频级输出信号。
从以上分析可以看出一中放集电极电阻不宜过大,否则同样电流下的反向电压偏高不利于降低反向电阻。
控制二极管接变频中周的哪一侧也有区别,接圈数多的一侧衰减作用更大,相位不同没有影响。
控制二极管的另一种接法是变频级也设置了集电极降压电阻。还以上述参数和变频管静态电流为0.5ma、降压电阻为510欧为例,这时变频馈电端电压固定为6-0.5x0.51≈5.75v,一中放馈电端电压在5.25~5.85v之间。当一中放馈电端电压>5.75v时,控制二极管将变为正向偏置,即使很低电压的正向偏置也会大大降低阻抗,提高二次AGC的控制功能。
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