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发表于 2024-12-9 17:28:18
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本帖最后由 bumk 于 2024-12-9 17:29 编辑
纯个人观点:是必然的,没有必要追求锗点接触,通过几个产品手册,可以窥出一些端倪。
1) ON-semi的MMBD701产品手册:
专门的少载子测试平台
2) 锗点接触二极管资料不是很全面,但可以根据同期、类似定位的国外产品推断一二,比如经典的OA/AA系列(比如,OA90可以说是国外版的2AP9了,它同系列的二极管不少):
结电容是不大的,毕竟是点接触。但是反向漏电流很大,trr由于毕竟是PN结,根本没办法和金半结比。这大概就是为什么玩矿机的大佬,需要“冷冻”锗二极管的原因吧,低温可以让反向漏电流更低。但相对的,更低温也让二极管的“开启阈值”电压升的更高。在中放后的检波,则更明显,毕竟还可以调整偏置程度,更容易“适配”。 |
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