mos管居然是负温度系数的

amduron

用mytt的测试仪，测试发现居然mos管导通电阻随温度增加而减小。，后查了哈资料还真是，这就是说mos管是负温度系数的，颠覆我认知了，，，

locky_z

FET(包括MOS）管的Rds是正温度系数，Vgs-Id是负的（也可能倒过来，反正一个是正一个负）。

但制造工艺上Rds肯定有相当大部分是映射串联在S端。因此实际管子pdf的Vgs-Id是由负向正过度，某一点是0温度系数。0温度点就是PDF上的Vgs-Id曲线的25C和150C两条曲线交叉点。
管子Rds越大，0温度系数点时的电流越小。

Fireflying

MOS管本来就是这样的啊，就是所谓的“自镇流”特性，所以在要求不太严格的场合，一个管子电流不够，可以直接并联两个、三个…… 而不用像BJT双极三极管那样串联均流电阻。

oceanwlk

mos管是多子器件吧，多数载流子导电，跟pn结不一样，不是很懂。

hzp4480

还有，资料上说它的噪声系数不随温度上升而增大，有条件测试证实一下么？

xiaoduan

Fireflying 发表于 2024-11-21 17:50
MOS管本来就是这样的啊，就是所谓的“自镇流”特性，所以在要求不太严格的场合，一个管子电流不够，可以直 ...

说反了吧，温度越高，电阻越小，并联的话，通过的电流越大，恶性循环，坏的更快。实际上大部分mosfet在电流较小时是负温度系数的，电流大时是正温度系数的。大电流下可以直接并联，自动均流。

xiaoduan

xiaoduan 发表于 2024-11-21 18:05
说反了吧，温度越高，电阻越小，并联的话，通过的电流越大，恶性循环，坏的更快。实际上大部分mosfet在电 ...

所以在某个点，是零温度系数的。

amduron

xiaoduan 发表于 2024-11-21 18:05
说反了吧，温度越高，电阻越小，并联的话，通过的电流越大，恶性循环，坏的更快。实际上大部分mosfet在电 ...

我全说反了，我发现温度升高电阻增加了。这应该是正温度系数。

amduron

xiaoduan 发表于 2024-11-21 18:05
说反了吧，温度越高，电阻越小，并联的话，通过的电流越大，恶性循环，坏的更快。实际上大部分mosfet在电 ...

原来如此，，，学习了

amduron

随着温度升高，导通电阻也增加。门阈值电压却在降低。并没转折点。

量子隧道

B区域，高栅压高电流。此处温度上升电流下降。此时相当于开关电源应用。然而功耗严重超标。
A区域，低栅压低电流（可能Vds/功率高）。这个区域大致上相当于线性应用，此处温度上升电流也上升，容易热失控，并联mos要小心。而且听说，很多开关电源MOS用作线性应用，也是工作于A区域，曾经出现过单管应用内部热失控烧毁，以及局部热失控导致”闪烁噪音“等等现象。

https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/vn2222ll-d.pdf
文献里的fig3，4都很说明问题。随温度上升，门限下降（相当于我图里的A区域）。随温度上升，做开关应用时的通态电阻也增大（一般来说相当于管耗增加），反正感觉随温度上升，无论线性应用还是开关应用，情况都会恶化。