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请教:关于SAF7751 核心供电1.2V的问题。

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发表于 2024-11-18 14:56:35 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 sfes1314 于 2024-11-18 14:58 编辑

各位老师,大家好,最近准备玩SAF7751,正在画原理图和PCB,参考了网上的图纸。发现芯片的核心供电1.2V,有两种做法:1.使用外部的LDO输出1.2V(这时芯片的71脚和72脚短接在一起),供芯片使用;2.使用芯片内部的调节器,通过71脚和71脚控制三极管,将3.3V调整成1.2V,供芯片使用,如下图所示。
现在请教一下各位老师,这两种方法,哪种方法对性能更好一些?(DIY不考虑成本)。

mmexport1731912172822.png
     
发表于 2024-11-18 16:55:58 | 显示全部楼层
查一下需要多大电流,试试这个LM1117  1.2能否使用     
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 楼主| 发表于 2024-11-18 17:21:15 来自手机 | 显示全部楼层
电流不大,200多mA,现在不是带电流的问题,是我想知道。这两种供电方式。那种性能更好。
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 楼主| 发表于 2024-11-18 17:21:41 来自手机 | 显示全部楼层
hbxftpd 发表于 2024-11-18 16:55
查一下需要多大电流,试试这个LM1117  1.2能否使用

电流不大,200多mA,现在不是带电流的问题,是我想知道。这两种供电方式。那种性能更好。
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 楼主| 发表于 2024-11-19 00:56:09 来自手机 | 显示全部楼层
有哪位老师指导一下吗?
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发表于 2024-11-19 07:29:45 | 显示全部楼层
外置的性能更好,减少对芯片内部的影响,内置的设计只是为了简化电路
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 楼主| 发表于 2024-11-19 09:49:32 来自手机 | 显示全部楼层
iffi123 发表于 2024-11-19 07:29
外置的性能更好,减少对芯片内部的影响,内置的设计只是为了简化电路

收到,谢谢您的回复。我计划用TI的LDO,输出18mV的噪声。不知道怎么样!
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发表于 2024-11-19 10:09:02 | 显示全部楼层
sfes1314 发表于 2024-11-19 09:49
收到,谢谢您的回复。我计划用TI的LDO,输出18mV的噪声。不知道怎么样!

18uV才对吧 还是比较高。
推荐TPS7A2012,只有6uV并且PSRR性能高
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 楼主| 发表于 2024-11-19 10:10:11 来自手机 | 显示全部楼层
MT4S301 发表于 2024-11-19 10:09
18uV才对吧 还是比较高。
推荐TPS7A2012,只有6uV并且PSRR性能高

是的,是我写错了,是18uv
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 楼主| 发表于 2024-11-19 10:10:28 来自手机 | 显示全部楼层
MT4S301 发表于 2024-11-19 10:09
18uV才对吧 还是比较高。
推荐TPS7A2012,只有6uV并且PSRR性能高

好的,谢谢,我去看看
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 楼主| 发表于 2024-11-19 10:12:02 来自手机 | 显示全部楼层
MT4S301 发表于 2024-11-19 10:09
18uV才对吧 还是比较高。
推荐TPS7A2012,只有6uV并且PSRR性能高

看了一下,这个电流有点小,才300。带7751的核有点勉强。按手册上说,1.2V最大电流有347mA
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发表于 2024-11-19 10:48:57 | 显示全部楼层
sfes1314 发表于 2024-11-19 10:12
看了一下,这个电流有点小,才300。带7751的核有点勉强。按手册上说,1.2V最大电流有347mA

俺当成模拟/射频核了,看上去这是个数字核?
那噪声其实无所谓吧
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 楼主| 发表于 2024-11-19 17:03:11 来自手机 | 显示全部楼层
MT4S301 发表于 2024-11-19 10:48
俺当成模拟/射频核了,看上去这是个数字核?
那噪声其实无所谓吧

模拟3.3V和数字3.3V那边,用了4.X微伏的LDO,核供电也不能太拉胯吧~
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