炒概念技术——高速双向负阻晶体管及其应用

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高速双向负阻晶体管及其应用
        提出了一种新的负阻半导体器件结构，即由一个横向晶体管与两个纵向晶体管构成的“合并晶体管”结构，由此导致了双向负阻晶体管（BNRT）的发明。BNRT具有对称的双向Ｓ型负阻特性，其输出脉冲上升时间在纳秒范围，转折电压值为8~12V，转折电流为几十至几百微安，维持电流在2~10毫安范围内，最大允许导通电流为几十毫安。BNRT是一种低压小功率快速负阻器件，采用最成熟的硅材料和硅平面管工艺制作，易于集成。目前已用该器件设计了单稳、双稳、自激振荡器、正弦波振荡器、方波发生器、斜波发生器等近十种基本脉冲电路，被广泛应用于各种脉冲控制线路和系统中。BNRT的出现使半导体器件这个大家族增添了一个新的成员。

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    国内喜欢炒概念，集成电路发展到今天，凡是有市场应用价值的，外面早就开发了，这方面我们的邻居韩国和日本比较注重作这方面的事情。而美欧注重更多应用方面的开发。无论是精度还是市场，目前振荡电路：1MHz以下使用运算放大器，1MH以上使用晶振。

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其原理图

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类似的技术在上世纪已出现：
    通过继续增加反向二极管的掺杂浓度，可以使击穿电压为0V。而且，重掺杂使得正向导通曲线发生弯曲，具有这种特性的二极管称为隧道二极管。有关资料此二极管最先由日本发现。这种二极管表现出负阻特性。即正向电压的增加可以使正向电流。隧道二极管的负阻特性可用于高频振荡器电路。目前高频振荡电路采用晶振技术。遂道二极管振荡器是将直流能量转化为正弦波，采用晶振技术振荡器是将机械能转化为正弦波。由于遂道二极管高频振荡器精度受温度的影响较大，此技术应用受到限制。
    双向负阻晶体管（BNRT）是隧道二极管利用集成电路实现的一种方法，同样应用受温度的影响较大，同样此技术应用受到限制。

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运算放大器、时钟集成电路（NE555）、单片机电路发展逐步淘汰一些偏僻的二极管和三极管电路。