LLC中的IGBT是追求ZVS还是ZCS

gia

在大功率LLC中的IGBT，有人说IGBT偏电流器件应该原边按ZCS为主来设计，有的说应该原边按ZVS而副边整流按ZCS来设计，这哪种说法更正确呢

CXFLBH

gia 发表于 2024-7-22 21:12
正常来讲，不是希望管子关的快些，而加电慢些，这样正好使得管子在无电压下启动吗？

我在实际应用中得到的是相反的结果，管子关的越快，越容易过压烧。dv/dt越高。干扰越大甚至到你系统死机。
切记：尽信书则不如无书。

吴大光明

个人认为：从理论分析分析和实践均证明，LLC谐振电路有三种工作模式，欠谐振、谐振、过谐振，其是通过控制开关频率来实现输出电压的恒定，即软开关技术，‌在过谐振状态下LLC谐振电路能使原边的某个开关管（导通）实现ZVS（管中的二级管0.7V钳位），在开关管关断之前，‌谐振电流与励磁电流相等，‌此时副边二极管电流为零，‌从而实现副边二极管ZCS。

gia

吴大光明 发表于 2024-7-20 21:58
个人认为：从理论分析分析和实践均证明，LLC谐振电路有三种工作模式，欠谐振、谐振、过谐振，其是通过控制 ...

较常见的说法是MOS在原边用ZVS，IGBT则用ZVC。但国外有些设计，IGBT也是原边ZVS。就不知道究竟用哪个了

吴大光明

gia 发表于 2024-7-20 22:18
较常见的说法是MOS在原边用ZVS，IGBT则用ZVC。但国外有些设计，IGBT也是原边ZVS。就不知道究竟用哪个了

个人认为：MOS管和IGBT管都存在导通损耗和关断损耗，主要表现就是在管子开通和关闭瞬间，其管子上加的电压和通过的电流有交点（VI=P)。MOS管有结电容，IGBT管没有结电容。MOS管就是利用了结电容充放电作用，才促使其管子上的二极管导通（0.7V），才有了ZVS。但IGBT管并没有结电容的充放电，其谐振腔中的电流无法通过电容充放电促使二极管的导通，对此无法形成ZVS。我也没有见到过LLC电源使用过IGBT管子的。

CXFLBH

吴大光明 发表于 2024-7-21 17:48
个人认为：MOS管和IGBT管都存在导通损耗和关断损耗，主要表现就是在管子开通和关闭瞬间，其管子上加的电 ...

看看我这个属于哪一类

JuncoJet

CXFLBH 发表于 2024-7-22 10:55
看看我这个属于哪一类

硬开关

JuncoJet

0电流控制就是ZCS
0电压控制就是ZVS
控制方式有区别表现形式没有区别，因为电压电流不会单独出现
IGBT接近于MOS，常见控制栅极怼18V电压，高阻抗（可能是寄生电容），需要泄放电阻

CXFLBH

JuncoJet 发表于 2024-7-22 11:01
硬开关

这个是IGBT管子有问题,反压510多伏这么高，换了一种管子反压立马就下来了。

JuncoJet

CXFLBH 发表于 2024-7-22 11:09
这个是IGBT管子有问题,反压510多伏这么高，换了一种管子反压立马就下来了。

这个管子速度慢吧，振铃严重一些

CXFLBH

JuncoJet 发表于 2024-7-22 11:37
这个管子速度慢吧，振铃严重一些

有时候管子速度慢一点不是坏事，就是希望管子在关的时候慢一点。

gia

正常来讲，不是希望管子关的快些，而加电慢些，这样正好使得管子在无电压下启动吗？

gia

吴大光明 发表于 2024-7-21 17:48
个人认为：MOS管和IGBT管都存在导通损耗和关断损耗，主要表现就是在管子开通和关闭瞬间，其管子上加的电 ...

有LLC中用IGBT的