请教下各位，晶体管的交流放大系数，有没有测试比较过的？

量子隧道

MT4S301 发表于 2024-7-7 18:46
俺也梦想过这类夹具，可是如何夹紧SOT23/323/343又不大幅改变线路阻抗实在想不到。。。
我测过台产3356 ...

我感觉用个小塑料块压着那种表贴三极管，对特性影响不大。

MT4S301

量子隧道 发表于 2024-7-7 18:55
我感觉用个小塑料块压着那种表贴三极管，对特性影响不大。

塑料怕压接力不够，以及如何对准？如果手动对准有些痛苦

量子隧道

MT4S301 发表于 2024-7-7 19:09
塑料怕压接力不够，以及如何对准？如果手动对准有些痛苦

对准的事就没办法了，我们DIY表贴器件电路板，不就得忍受吗？

zzfjct

MT4S301 发表于 2024-7-7 18:34
直流hFE决定器件的静态工作点，影响一切交流性能，不能说毫无意义。
硅三极管hFE惹祸，说明人员并未理解 ...

在静态电流不变的前提下hfe对高频增益无意义，在AGC电路中hfe确实会影响工作点，但这是改变放大器的Yfe。
高hfe管在高频电路中会影响输入阻抗，导致反射阻抗增加，影响Q值、带宽，信号电压提高导致辐射加强，产生自激。
高hfe管在低频电路中因为Ib很小，有可能处于输入特性曲线的弯曲部分，导致线性失真和交越失真。

MT4S301

量子隧道 发表于 2024-7-7 19:16
对准的事就没办法了，我们DIY表贴器件电路板，不就得忍受吗？

俺设想的场景是为制作低频放大电路而进行直流hFE匹配：这种情况需要大量管子短时间完成夹取-对准-测量

MT4S301

zzfjct 发表于 2024-7-7 19:25
在静态电流不变的前提下hfe对高频增益无意义，在AGC电路中hfe确实会影响工作点，但这是改变放大器的Yfe。 ...

阻抗是匹配出来的，hfe=180的管子一种匹配网络，hfe=100的管子用另一种。您分别将它们匹配到50欧，反射损失都是-40dB
任何LNA都要仿真和试验，更要做器件公差分析。你输入hfe范围90-120验证的结果确实可能在hfe180管子上自激。但问题始终不在hfe身上，在于人的设计不严谨。
另一个角度想，目前SiGe微波管的hfe都有200-350，难道英飞凌、东芝飞利浦明知故犯？

zzfjct

MT4S301 发表于 2024-7-7 20:07
阻抗是匹配出来的，hfe=180的管子一种匹配网络，hfe=100的管子用另一种。您分别将它们匹配到50欧，反射损 ...

高hfe硅管的弊端都是针对现有电路而言，改变电路参数确实可以避免。
高hfe硅管也并非一无是处。在超高频大电流（几十到上百ma）场合，用hfe和Ic调整输入导纳（gie）很常见，这就是高hfe管存在的理由之一。

longshort

晶體管電流放大係數hfe，是從頻率為零時開始的描述，所以直流HFE是和交流hfe無縫連接的，沒有絕對的區別。如果可以搞到特定晶體管的增益／相位角曲綫圖，那麽只要讀取相關頻率上對應的hfe位置，就是它的交流放大係數。下圖是通用晶體管2N3904的增益／相位角曲綫示意：



2N3904產品的直流電流增益超過300，與圖上50dB正好吻合，其-3dB（47dB）增益點在1.5MHz上下，並大致按每十倍頻程20dB左右的速率下降，增益為1時的頻率約爲530MHz。

oceanwlk

忒复杂了。>_<

往事已去

zzfjct 发表于 2024-7-7 19:25
在静态电流不变的前提下hfe对高频增益无意义，在AGC电路中hfe确实会影响工作点，但这是改变放大器的Yfe。 ...

最后一句“高hfe管在低频电路中因为Ib很小，有可能处于输入特性曲线的弯曲部分，导致线性失真和交越失真。”，看《一个2倍频的电路》
http://www.crystalradio.cn/forum ... d=933284&extra=

ym78321

有本初级书上介绍到推挽管选管配对时说：
1）指标公布的是直流放大系数，与交流放大系数不同；
2)  晶体管的放大倍数是按在小信号测试的电流放大倍数标注的，此时俩管贝塔相同但大电流下就不一样了，只有在大电流信号下挑选贝塔相同的管子，才能制作出失真小的放大器。

该书说：因此要自己测，测得俩管贝塔相差<=3%，做出的推完放大器非线性失真才可能达到<=5%。