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发表于 2024-3-8 11:40:13
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你贴的资料里,有关单向可控硅的GK极之间的检测方法也有问题:
1、问题一。使用指针表测试,没有用上Lv概念/Lv测试法。
文中所说的正常管子GK极之间电阻测得的电阻值为20欧姆,表明他的判断好坏的标准是电阻值,而不是Lv值。
如果有Lv概念,就会明白,实际上他是指测得的Lv值约为0.7V——因为他使用的是1.5v供电的mf47——0.7v是Lv法测be结时判断be结好坏的一个通用标准。
假如换一块3v供电的表(比如mf368)、或欧姆刻度中值与他所用的1.5v供电表有明显偏差的表(比如mf14),那么,他这个“20欧姆”检测标准就行不通。
而有Lv概念的话,无论使用mf36还是使用mf14,都可以用0.7v的Lv值作为判断好坏的标准。
2、问题二。文中关于GK极反向电阻的说法/检测方法仅适用于灵敏度高的小电流单向可控硅,比如1A电流的CR03-AM。
大电流的单向可控硅,内部Q1的be结之间(即GK极之间)往往并联有一只电阻。5A电流规格的5P4M,这只电阻约为200欧。假如用指针表测GK极反向电阻,正常的管子也会测得电阻为约200欧。
文中资料没考虑过这种情况。他所说的Q1的be结之间的电阻(即文中的GK极反向电阻)应为无穷大,这个“标准”仅适用于小电流的单向可控硅,遇到5P4M这样的管子时就失效。
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