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请问高手能查到这是哪个厂家出的裸管芯吗

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发表于 2024-2-26 09:26:24 | 显示全部楼层 |阅读模式
工作频率1-6GHZ,功率10瓦左右,栅极电压为-2.2V,漏极电压为+21V左右,实际尺寸长和宽不到1厘米
请高人不吝赐教
142850cvvzv1vrgc3cskvn.jpg
     
发表于 2024-2-26 09:45:25 | 显示全部楼层
  这个难度有点大。华为的麒麟9000s芯片被全球的专家反复研究,也没弄清楚谁代工的。
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发表于 2024-2-26 10:12:53 | 显示全部楼层
撇微主 发表于 2024-2-26 09:45
这个难度有点大。华为的麒麟9000s芯片被全球的专家反复研究,也没弄清楚谁代工的。

是不是证实是7纳米的?
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发表于 2024-2-26 10:14:15 | 显示全部楼层
看不清楚啊
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 楼主| 发表于 2024-2-27 09:28:37 | 显示全部楼层
这个管芯没有丝印,这个没有手机那么高端
只是功率放大器上一个芯片而已
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发表于 2024-2-27 18:11:58 | 显示全部楼层
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发表于 2024-2-27 18:47:42 | 显示全部楼层
本帖最后由 量子隧道 于 2024-2-27 18:53 编辑

看样子是 RF LDMOS FET啊,也即射频功率横向MOS。这个是好东西。但是要想用好也是相当困难的。用好这种芯片的手艺,去顶尖通信大厂卖个年薪50-100万是没问题的。微波射频基站,电台上用这玩意儿。
可以去NXP,infineon,CREE(wolfspeed),skyworks等厂家查查看有么有这个芯片。
我有两个更大的同类家伙,能出120-170W微波功率的,一直想用来做点东西,但是还没想好做啥用。
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发表于 2024-2-27 18:49:06 | 显示全部楼层
撇微主 发表于 2024-2-26 09:45
这个难度有点大。华为的麒麟9000s芯片被全球的专家反复研究,也没弄清楚谁代工的。

他们早就研究清楚了。就是委托SMIC用DUV光刻机,四重曝光搞出来的。良率和成本不如EUV,但是比没有强。
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发表于 2024-2-27 18:50:05 | 显示全部楼层
本帖最后由 量子隧道 于 2024-2-27 18:59 编辑
bis 发表于 2024-2-27 18:11
为什么上下各要两个金属板过渡一下?


一般来说,据说那两个板是G极和D极的匹配电容。也即对S极的匹配电容。这种芯片,整个底座都是S极,接地接散热片。
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发表于 2024-2-28 20:07:21 | 显示全部楼层
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发表于 2024-3-2 13:34:34 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2024-3-7 13:35:57 | 显示全部楼层
量子隧道 发表于 2024-3-2 13:34
https://www.richis-lab.de/FET03.htm
https://www.eevblog.com/forum/projects/transistors-die-pictures ...

谢谢,不是同一个器件,我这个非常小,
我看了那个英文网站,内部也不太一样
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