请教一个关于晶体管雪崩击穿的问题

量子隧道

https://www.semiee.com/file/EOL2/Renesas-2SC5773.pdf
网上看到了有人用这个晶体管来做雪崩脉冲发生器。
原理是，这个UHF晶体管的Vceo是6V，Vcbo是15V。
那么，我把基极接地，然后给它的C极接一个6V<Vce<15V的电荷存储元件，存储一定量的电荷，当然实际电压最好实验一下。此时虽然C极电压高于Vceo，但是基极接地，就能维持住不击穿。
然后，我把B极馈入一个小小的脉冲，给它一个刺激，让它的C-E迅速击穿。据作者说，此时C极的存储电荷会迅速放掉，产生一个雪崩脉冲。
我想了解的是，我从前一直以为，晶体管的C极到E极电击穿，击穿后就如同一个齐纳二极管一样，VCE维持在击穿电压上（例如6V），就好像一个稳压管一样。
而根据我从作者的描述读到的信息来看，不是这样的。而是击穿后Vce会降到接近0V。
我从未进行过类似的实验，也从未观察过这种击穿。请问是作者描述的吗？

60年代的爱好者

雪崩击穿后晶体管电流会迅速增大，导致过热损坏，血崩状态应用的药店是限流，就是使晶体管雪崩之后电流不至于增大到损坏。

60年代的爱好者

多年前发表在《无线电》杂志上的文章，供参考。

ym78321

本坛前几年有文章，利用三极管雪崩状态做微电流放大，uA级，制作超再生的。
本坛搜索很不方便（或者我不会），找了半天没有找到。

ym78321

ym78321 发表于 2023-5-21 11:02
本坛前几年有文章，利用三极管雪崩状态做微电流放大，uA级，制作超再生的。
本坛搜索很不方便（或者我不会 ...

谢谢原来发帖的坛友了，这是我保存的图片，供参考。
编辑：第一张图片不是的，就不删了。
另外文章，我试试。

jin9402

60年代的爱好者 发表于 2023-5-21 11:00
多年前发表在《无线电》杂志上的文章，供参考。

图3是反向接入，图4是正向接入，请问有区别吗？

60年代的爱好者

jin9402 发表于 2023-5-21 16:10
图3是反向接入，图4是正向接入，请问有区别吗？

仔细看看，一个是PNP管，另一个NPN管，极性相反，你明白了吗？

jin9402

60年代的爱好者 发表于 2023-5-21 18:53
仔细看看，一个是PNP管，另一个NPN管，极性相反，你明白了吗？

3AG是正向接入，3DG是反向接入。

QQ31353

图3A的3DG12能在9v电压下被击穿？印象中BVceo至少20v以上吧。

量子隧道

QQ31353 发表于 2023-5-22 09:22
图3A的3DG12能在9v电压下被击穿？印象中BVceo至少20v以上吧。

文章里说是要把CE调换。

量子隧道

刚刚用Multisim14仿真了一下BFP420，没法仿真出雪崩击穿来。看来这种工作状态不在晶体管设计的考虑范围，仿真模型也不支持。

大孔景元

锗管正接击穿电压低，硅管反接击穿电压低，为的是尽可能的适应低的电源电压，如果使用的电源电压较高也可以不受此约束

量子隧道

http://www.crystalradio.cn/forum ... page%3D1&page=6
见我这贴的81，82楼。我用BFP420射频晶体管也做出了雪崩模式。测出的边沿速度是目前我这个示波器能测到的最快的，600ps。而我的示波器标称带宽500M折算边沿也得有700ps呢。