充电模块用二极管降压给法拉电容充电可以吗？

256838jjj

如下图

美人鱼999

好像4.2V，不用加二极管

美人鱼999

。。。。。。。。。。。。。。。

sandan

二极管压降与电流有关， 如对停止电压要求高的？ 不适合。

有点好耍

超级电容充电时初始电流相当大，不加限流电路，有可能烧坏充电电路。

sunstar126

二楼说得不错，二极管通常在额定电流附近的压降对于锗管在0。2-0。3V左右，对于硅管在0。6-0。7V左右，而肖特基的在0。2-0。3V左右，我们从I-V特性曲线可以看到，当电流为0时，压降也是为0的，而法拉电容充电终了时的充电电流通常维持在多少？可能 楼主要测量一下，如果这个维持电流很小，那么二极管上的压降也会很小，这样法拉电容就会以很小的电流充电到4。2V，这里的关键就是法拉电容的耐压有宽容度有多少？因为用二极管降压的话，理论上最终的法拉电容是可以充到4。2V的，如果一旦过压就会发生不可逆的损坏，这种方式就不能用，如果法拉电容的电压特性是超过耐压后不是陡降的，而是漏电增加的话，这样是安全的，因为过压后漏电增加的话，二极管的压降就上升，最终会平衡在某一个低于4。2V的电压上。
不过我这里有几个问题，不是通常的法拉电容耐压是2。7V吗？4V的是两个串联的吧？两个串联也应该是5。4V啊

256838jjj

sunstar126 发表于 2023-4-1 19:39
二楼说得不错，二极管通常在额定电流附近的压降对于锗管在0。2-0。3V左右，对于硅管在0。6-0。7V左右，而肖 ...

单个4V，
谢谢各位指导

bg1trk

sunstar126 发表于 2023-4-1 19:39
二楼说得不错，二极管通常在额定电流附近的压降对于锗管在0。2-0。3V左右，对于硅管在0。6-0。7V左右，而肖 ...

“当电流为0时，压降也是为0的”，这句话还是斟酌一下吧。

二极管的正向压降，实质是PN节内建电场的电势差，这个电势差与外部电流无关。当外接电压与内建电场反向，且大于内建电场的电势差后，电流开始出现，即正向导通。


您担心的过压问题，只能来自于二极管的漏电流，这个值与电容的漏电流比起来非常小，充的还不如放的多，不会过压的。

bg888

直接用就是了，电容无需那么精确

wanwenhao1

256838jjj 发表于 2023-4-1 20:37
单个4V，
谢谢各位指导

极其怀疑有耐压4V的单个超级电容，楼主是遇到类似于超级电容，实质是电池的那种玩意了吧。

美人鱼999

wanwenhao1 发表于 2023-4-2 12:28
极其怀疑有耐压4V的单个超级电容，楼主是遇到类似于超级电容，实质是电池的那种玩意了吧。

3楼，就是一种4V超级电容的指标。
看指标：额定电压4.0V，浪涌电压4.2V，最小额定电压2.5V，名称是锂离子超级电容。

电容为啥有最小额定电压？。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。电池放光了电，可能就废了。电容放光电应该没事吧？