求个黄河741的输入变压器制作数据。

岳耳

   手上有E19的矽钢片和骨架，打算尝试diy输入输出变压器，目前看中黄河741的输入变压器OTL功放，求输入变压器绕制数据。

   E19矽钢片是最近买的，导磁率应该比741原版的高，请教一下如何绕制能取得更好的效果？

longshort

这个机器有意思，输入变压器的次级同时作为输出管的下偏置电阻。
电路比较模糊，上偏置电阻是220欧还是620欧还是820欧看不清，姑且按820欧和Vbe=0.18V算，下偏置电阻在71.3欧左右。因而次级恐怕需要用0.08mm线径。
电源使用4.5V，初级电感量在2H左右比较合适，这样初次级匝比为4:1可以满足要求，初级大约1000匝是少不了的。
仅供参考。

岳耳

longshort 发表于 2023-2-25 14:58
这个机器有意思，输入变压器的次级同时作为输出管的下偏置电阻。
电路比较模糊，上偏置电阻是220欧还是620 ...

多谢，我看到的图，上下偏置电阻都是820欧。

网上找到个绕制数据：初级1000砸，次级600x2。线径不知。

zzfjct

岳耳 发表于 2023-2-25 15:35
多谢，我看到的图，上下偏置电阻都是820欧。

网上找到个绕制数据：初级1000砸，次级600x2。线径不知 ...

线径可以用0.1。
R6应改为510~680欧，压降0.2~0.3v，用原来的2.2K基本没有AGC功能了（深度直流串联负反馈导致一中放Ic变化很小）。

岳耳

zzfjct 发表于 2023-2-25 16:10
线径可以用0.1。
R6应改为510~680欧，用原来的2.2K基本没有AGC功能了（直流串联负反馈导致一中放Ic变化 ...

是的，我也觉得R6太大了，红灯753这个电阻才200欧。

zzfjct

岳耳 发表于 2023-2-25 16:13
是的，我也觉得R6太大了，红灯753这个电阻才200欧。

低电压锗管机用200~300欧，4.5v以上锗管机用510~680欧，硅管机发射极直接接地（加电阻会降低AGC功能）。

NTRNA

初级2000圈，次级双线并绕610圈，都是用直径0.1mm的线。

纳米电容

岳耳

zzfjct 发表于 2023-2-25 16:19
低电压锗管机用200~300欧，4.5v以上锗管机用510~680欧，硅管机发射极直接接地（加电阻会降低AGC功能）。

我觉得锗管基本都用上下两个电阻设定基极电位，无论3V供电还是6V供电，基极电位都差不多。所以发射极电阻大小也应该差不多就能保证电路稳定工作。

岳耳

纳米电容 发表于 2023-2-25 18:15

多谢，终于看到原版数据了。抽空按照原版数据绕一次看看效果。

zzfjct

岳耳 发表于 2023-2-25 18:16
我觉得锗管基本都用上下两个电阻设定基极电位，无论3V供电还是6V供电，基极电位都差不多。所以发射极电 ...

低电压锗管机一中放发射极电阻用的较小有2个原因，其一是因为检波输出的AGC控制电压较低，较小的发射极电阻可以增强控制功能；其二是减小发射极电阻压降，确保有效工作电压，特别是1.5v机。

XCH

初级直流电阻约50欧，可否据此大致推算线径？

bumk

有没有一种可能，我是说，可能，这个AGC控制2中放的工作点控制的更明显。

岳耳

zzfjct 发表于 2023-2-25 19:46
低电压锗管机一中放发射极电阻用的较小有2个原因，其一是因为检波输出的AGC控制电压较低，较小的发射极电 ...

我的意思是，高压电路，也可以减少发射机电阻，来进一步增加AGC控制能力。

虽然这个会导致基极电位偏低，输出振幅受到影响，但是这毕竟是第一级中放，电压增幅可以靠第二级中放弥补。第一级中放更多的完成AGC控制。

金杯磁棒

岳耳 发表于 2023-2-25 18:17
多谢，终于看到原版数据了。抽空按照原版数据绕一次看看效果。

在咸鱼看了原版的输入变压器比EI  19的个头大一些，0.1的线径可能绕不下（EI 19铁芯）。