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发表于 2022-7-21 16:05:07
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首先锗单晶不是自己制备的,校办厂没这个能力,而是采购,有了锗单晶,通过加热锑挥发对其进行掺杂形成N型锗,同时形成一个PN结作为集电结,这一步决定良品率,集电结的掺杂浓度和质量决定放大倍数,然后在其N面加一个铟镓小球并烧结形成发射结,基本就差不多了,后面就是焊接引线封装,整个工艺比硅工艺不知道简单多少倍
更简单的是平面工艺,直接用N型锗(没有PN结),两面加铟镓小球烧结,根据掺杂浓度区分发射结和集电结,不过这种工艺只能做低频管,大功率低频管都用这种工艺,成品率高 |
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