用flash当eeprom用，实现掉电保存的疑问

爱咋咋地了 · 发表于 2021-12-4 22:04:56

编好的程序也放在flash中对吧，我在flash中划出一个区域当eeprom.我怎么知道这个区域是空闲可用的，万一已存放的是主程序代码，不会把主程序删掉么。

bis · 发表于 2021-12-14 15:34:08

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iffi123 · 发表于 2021-12-4 22:06:02

看编译信息, 占用的空间

爱咋咋地了 · 发表于 2021-12-4 22:16:20

iffi123 发表于 2021-12-4 22:06
看编译信息, 占用的空间

看来是有潜在冲突可能了，那我简单的从flash的最高处地址写，应该就能暂时不担心这个问题了，是这样的吗？

iffi123 · 发表于 2021-12-4 22:19:25

本帖最后由 iffi123 于 2021-12-4 22:24 编辑

爱咋咋地了发表于 2021-12-4 22:16
看来是有潜在冲突可能了，那我简单的从flash的最高处地址写，应该就能暂时不担心这个问题了，是这样的吗 ...

那可能是堆栈的空间

其实还有个办法, 程序先定义你需要的空间大小的数组, 然后通过指针获得空间起始地址, 这样就很安全

爱咋咋地了 · 发表于 2021-12-4 22:28:11

哦哦哦，好的

Fireflying · 发表于 2021-12-7 19:23:27

你不看芯片Datasheet的吗？

ka2209 · 发表于 2021-12-7 23:46:42

是STC的吗？

liu1248 · 发表于 2021-12-13 19:26:51

堆栈空间应该在RAM吧。

bis · 发表于 2021-12-14 15:32:51

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iffi123 · 发表于 2021-12-14 15:40:08

本帖最后由 iffi123 于 2021-12-14 15:41 编辑

bis 发表于 2021-12-14 15:34
那种单片机会让堆栈使用flash区域？讲给我听听让我也乐一乐。

头昏搞错了, 堆栈在RAM

JuncoJet · 发表于 2021-12-14 15:41:28

堆栈使用的SRAM，固件才是FLASH，一般来说有烧写地址信息
不要重复使用地址就没事了，但FLASH寿命有限，频繁写入的话建议外置24、25芯片

bis · 发表于 2021-12-14 15:56:31

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liu1248 · 发表于 2021-12-20 16:50:26

用休眠方式来保存数据（到RAM）也可，许多芯片的休眠电流已经做到1uA以下，与电池自然损耗差不多了。

杨白劳 · 发表于 2022-2-8 09:43:52

看stc的pdf，stc单片机模拟eeprom掉电存储我也做过，放心写好了，厂方是不会让你改掉程序的，有寄存器设定的，比24c方便多，毕竟可以少用一个芯片。但注意的是这东东擦写是整个扇区，我是把改写的字节全先放在单片机ram，然后一下子写入flsh

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