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测试了一下EDN文章的双端电流源

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发表于 2021-11-21 10:16:10 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 locky_z 于 2021-11-21 10:20 编辑

1.png
这是机械翻译END的英文原文
该设计思想是一种两线式电流调节器,在性能和零件数量之间取得了良好的平衡。采用三个晶体管,三个电阻和一个LED,与其他电路相比,它实现了良好的调节(在大多数电压范围内低于1%),较低的工作电压(典型值为1.2V)和更好的温度系数(0.07%/ K)。类似的复杂性。它的设计工作电流范围为数十毫安至几安。它不费劲地寻找零件;例如:LM10可用于制造性能更高的电路,但该IC不是多源的,因此很可能会停产。
红外LED用作1.05V基准,由Q1的自举电流源驱动。Q2和Q3构成主电流调节器。R1提供启动电流,R2设置参考电流,R3设置流经Q2的电流,Q2控制流经稳压器的电流的99%。在启动时,R1中的所有电流流入Q3的基极,这又使Q1和Q2导通,从而为Q3提供更多的电流。这一直持续到D1开始导通并且R3中的电流产生足够的电压以开始关断Q3,从而产生负反馈。由于Q3调节Q2中的电流,因此它也调节Q1中的电流,Q1接收相同的偏置,但发射极电阻R2减小电流。现在,Q1和Q2中的电流将稳定在R3设定的值,R2较小。
在Q1中保持恒定电流需要将其热耦合到Q2,因为Q2将消耗电路中的大部分功率。最简单的方法是使Q1与Q2成为相同的晶体管,并在散热器的相对侧都用螺栓固定。或者,可以将Q1粘贴到Q2。对于低电流,可以选择双晶体管。第四个选择是放弃热跟踪,并通过减小R1来实现补偿措施。由于Q2中的功耗将是电压的函数,因此这将使Q1中的电流减小也是电压的函数,从而允许通过R1进行补偿。不幸的是,所有四种方法都将显示出瞬态功率瞬变的热瞬态,最后一种方法最长且最长。
Q2中的电流由D1的电压与 Q3 的V BE(通常为0.3-0.4V)之差除以R3(V D1 – V BE)/ R3来设定。D1的正向电压的温度系数几乎与Q3的温度系数相匹配(相差0.25mV / K),从而为调节器创造了大约0.07%/ K的整体温度系数。由于R3通常为几欧姆或更小,因此通过修整R2最容易实现修整电流,这将改变D1中的电流,从而改变R3上的电压。
在大多数情况下,R1可以为几兆欧,因为启动电流非常小。当D1不导通时,反馈完全为正。R2通常为200到300欧姆;即使主通电流只有几安培,Q1和D1中的电流也仅需要一个毫安左右,因为Q2和Q3的增益会倍增。
对于测试电路,电流在1.2V时下降了5%。该最小电压由 Q1和Q3的V D1 和V sat设定。您应该选择具有低饱和电压的晶体管(例如,Q3使用2N3904,Q1和Q2使用MJE210)。该最小电压将随温度而变化,在较高温度下降低,但在较低温度下升高。PNP用于主传输晶体管,但电路很容易转换为NPN。
可以通过短接D1来关闭稳压器。电流将降至流经R1的电流。


但电路我改成了NPN形,Q1,Q2是TIP41C,Q3是MPSA94。R1是910K,R2是220欧,D1是红色LED,只是用不同的R3得到不同的电流

R3用1K时,电流是1.4mA,内阻大概1.4M
1.4mA.png
R3用10欧时,电流是114mA,内阻大概700K
114mA.png
R3更小,电流350mA,内阻大概30K,
350mA.png
但尝试再加大电流时,例如1.35A时,两端电压到达17V就开始发生震荡了。
这个电路最小压降也不高,2V就开始恒流了。最大电压看选用的管子和散热条件而定。估计到400V也行。
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