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MOS管的源极和漏极居然可以对换?

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发表于 2021-3-29 20:37:04 来自手机 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 分立元件 于 2021-3-29 20:40 编辑

以前一直以为不可以,在头条看了一篇文章,使用MOS做电源防接反电路,居然使用漏源对换用法,一开始还以为电路是错误的,后来怀疑,进行了实验居然是对的?这是什么原因,不是说源极和付底连接,漏源不能对换的吗,为什么会这样?请老师们指点!
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发表于 2021-3-29 20:41:41 | 显示全部楼层
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发表于 2021-3-29 20:44:49 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2021-3-29 20:49:40 来自手机 | 显示全部楼层
飞翔鸭2016 发表于 2021-3-29 20:41
你真无视NMOS 带的那个二极管?

当然在电路中不能忽略这个二极管,我主要是有些疑惑用法
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发表于 2021-3-29 20:50:42 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2021-3-29 20:52:35 来自手机 | 显示全部楼层
飞翔鸭2016 发表于 2021-3-29 20:50
找个万用表 再找个NMOS 测试下
再对比下你的电路图

试过N管了,可以正常使用
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 楼主| 发表于 2021-3-29 20:56:22 来自手机 | 显示全部楼层
飞翔鸭2016 发表于 2021-3-29 20:44
把第二图和三图的S D 反过来 才能用    NMOS 不是不能用在高电位  用在这里 驱动电压要高出很多 同时也要注 ...

图2、3是P管
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发表于 2021-3-29 20:58:09 | 显示全部楼层
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发表于 2021-3-29 21:22:08 | 显示全部楼层
在用电池或电源接头没有防插错的场合,

一直都是这样用的,想一下MOS管的导通条件.

MOS管达不到导通条件时有二极管的特性,

而在完全导通时压降很小,简直就是完美的电源防反接.

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发表于 2021-3-30 06:18:40 | 显示全部楼层
没错呀,就是这么用的。
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发表于 2021-3-30 08:41:50 | 显示全部楼层
最常见的锂电池保护板就是这么用的。
保护板.png
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发表于 2021-3-30 10:02:14 | 显示全部楼层
场管在DS电压很低甚至负偏置(对于PMOS是正偏置)的时候,是呈现变阻特性的,此时体电阻和GS电压相关,这里的原理并非是DS互换使用,就拿第二图第三图来说,单电压刚刚加上的时候,PMOS不导通,左边的供电电压通过体二极管传到右边,虽然DS电压为正值,但是G电压是低于S电压的,GS为负,因此MOS导通,DS电压相等(导通电阻很低)进一步降低体电阻,电路进入稳定。

很多人对于晶体管和场管有个误区,就是:CE或DS必须有偏置电压才能工作。其实这是错误的,在开关电路里,是可以不需要偏置的。
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 楼主| 发表于 2021-3-30 11:57:02 来自手机 | 显示全部楼层
MF35_ 发表于 2021-3-30 10:02
场管在DS电压很低甚至负偏置(对于PMOS是正偏置)的时候,是呈现变阻特性的,此时体电阻和GS电压相关,这里 ...

就是通过这个二极管来实现导通的吗?好像可以这样解析额!
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发表于 2021-3-30 12:04:09 | 显示全部楼层
分立元件 发表于 2021-3-30 11:57
就是通过这个二极管来实现导通的吗?好像可以这样解析额!

是的,很巧妙,通过体二极管使得GS之间形成开启电压,然后开启电压导致场管通道维持GS上的开启电压,此时体二极管上电压很低
没有体二极管的MOS要想这么用可以外接一个二极管 ,这种比直接用二极管防反接要省功耗
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发表于 2021-3-30 14:20:26 | 显示全部楼层
本帖最后由 locky_z 于 2021-3-30 14:23 编辑

只要GS满足偏置就能通,管你D是多少。
DS之间同一种物质,是纯电阻,没有P或者N的壁垒。
那个二极管是衬底和D之间形成的,并不是S和D之间的二极管,只不过分立元件MOS管的衬底和S接在一起了。
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