请教关于“温度的电压当量”的一些问题。

stalk12

最近复习华成英模拟电子技术基础课程，发现好多地方都提到一个“温度的电压当量”UT，这是一个常数，在室温27°C左右时，（相当T=300 K），则有温度电压当量为UT=26 mV。
然后发现晶体管内部很多体电阻的计算公式，和这个UT有关，而且还有很多其他的表达式里也提到这个UT。
难道说所有晶体管发射结体电阻rbe都只和发射极静态工作点电流IEQ有关？那不就是说所有晶体管的发射结体电阻rbe都是相同的值？

我现在被这个UT的相关表达式折腾得很惨，感觉总是神出鬼没，变幻无穷。
我想知道对于晶体管的UT，到底一共有哪些关系式？

松窗

现成的参数，拿来就用，哪来那么多废话？

想自己搞参数，就自己搞，也无需废话。

前人耗尽心血来的参数，你不用也可以。别废话。

不要废话，为什么普朗克常数是这个，为什么某常数是这个，有实力就自己证明，没实力就别废话。


如果执迷参数，我想问一下，你的学习方向是啥？想学电子技术，还是半导体材料方向？

yngz

UT是根据PN结的理论导出来的，对于理想三极管来说，rbe只与发射极静态电流有关。以理想化的方式处理问题，可以突出重点，简化问题。由于不描述任何特殊的三极管，因而结论也更具有普适性。这就象物理学处理运动问题，常常忽略空气阻力、摩擦力一样。实际的三极管，当工作在小电流、小信号状态，可以当成理想三极管来处理。

松窗

楼主走火入魔了。

其实告诉楼主，不搞这些参数也早出成绩了。

楼主目的想做什么？如果楼主想深入，详细探讨PN结原理和构成，研究10年，相信楼主会大成。

全国粮票

关键看楼主是想往那个方向发展？

longshort

确切地说，是半导体结的温度-电压当量Ut=kT/q。
将绝对温度归一化（即k=1），则T/q就大约等于86.2uV每摄氏度。这是一个单位温度常数，对锗、硅等都相同，意思是在绝对温度为1度时，半导体结所具有的温度-电势常量。
当k=300时，简单地乘以300就得到25.86mV，近似为26mV。这个值就是这么来的。

longshort

记住公式T/q，其中波尔兹曼常数T=1.381e-23，电子电荷q=1.602e-19；T被q除后得到常数86.2047440699......e-6

这是单位温度-电压当量。

w6955

longshort 发表于 2020-12-24 06:56
确切地说，是半导体结的温度-电压当量Ut=kT/q。
将绝对温度归一化（即k=1），则T/q就大约等于86.2uV每摄氏 ...

这个就是精解了，要明白就得看看固体物理。