哪位帮我清爽地阐释一下开启电压、死区电压、导通电压等6个概念的区别。

stalk12

开启电压、死区电压、导通电压、门槛电压、门限电压、阈值电压，这六个概念之间的区别和联系。
以及除了这六个概念之外，还有没有我没想到的第七、第八。

MF35_

这概念也够乱的，都不是一回事儿
开启电压和死区电压是一回事，指PN结正向偏置时，从无电流到有电流变化的那个点的电压，一般会规定一个判断有无电流的阈值，所以开启电压或死区电压，是个相对参数，比如0.6V@1uA
导通电压也是个相对参数，指PN结正向导通后两端的电压，也就是正向压降，比如0.7V@1mA
阈值电压指PN结V-I曲线剧烈变化的拐点（中点），没什么用的参数，一般器件也不会给，而且随温度变化的
门限电压和门槛电压是一回事，这个是针对逻辑电路而言的，指判断高低逻辑需要的达到的电压，逻辑器件手册给出的VHI或VLO就是指这个

szlz61

我来冒昧的说一句：知道晶体三极管有截止、放大、饱和三个区，其对应电压就比较好理解了吧？

JuncoJet

虽然不知道这些东西
一概 硅三极管0.6V，二极管0.7V

fiveyes

本人水平很有限，讲不清楚。推荐“哔哩哔哩”网站看一看视频教程，看“模拟电路”的就可以，有清华的，也有上海交大的，等等，选一个自己感觉比较好的就可以了。实际上都是水平非常高的教学视频了，讲的非常清楚。

60年代的爱好者

连没想到的第七第八都感兴趣，为什么不读几本基础教材？
有些东西，不是三言两语能讲清楚的，学点基础知识，益处无穷。

jinpf

你这个问题是指晶体管的吗？不同的电子元器件上的定义各有不同

stalk12

MF35_ 发表于 2020-9-2 12:29
这概念也够乱的，都不是一回事儿
开启电压和死区电压是一回事，指PN结正向偏置时，从无电流到有电流变化的 ...

总算遇到个明白人了。十分感谢。

往事已去

其实二极管电流是指数规律，无所谓什么开启电压，参考《一个2倍频的电路 》
http://www.crystalradio.cn/forum ... d=933284&extra=（21ic那边更详细）。所谓开启电压可以这么理解，一般管子工作电流都是mA级，开启电压就是管子电流达到这个电流时对应的电压。低于这个电压管子电流小，好像没开通似的（其实早开通了）。

shiuyipyuen

其实你可以利用现代科技轻易找到答案的,试一下;百度

门限电压通常被定义作为门电压，是指逆温层形成在绝缘层(氧化物)和基体(身体)之间的接口晶体管。
中文名门限电压外文名a MOSFET定义为门电压理想门限电压为0
在nMOSFET晶体管的基体由p类型硅组成，正面地充电流动孔作为载体。 当正面电压是应用的在门， 电场造成孔从接口被排斥，创造a 势垒区包含固定消极地被充电的接受器离子。 在门电压的进一步增加最终造成电子出现于接口，在什么称逆温层，或者渠道。 电子密度在接口同一样孔密度在中立粒状材料称门限电压历史的门电压。 实际上门限电压是有足够的电子在做MOSFET来源之间的一个低抵抗举办的道路和排泄的逆温层的电压。
如果门电压在门限电压之下，晶体管被关闭，并且理想地没有潮流从流失到晶体管的来源。 实际上，有潮流甚而为门偏心在门限之下(次于最低限度的漏出)潮流，虽然它是小的并且随门偏心变化指数地。
如果门电压在门限电压之上，晶体管在渠道起动，由于那里是许多电子在氧化物硅接口，创造低抵抗渠道，潮流可能从流失流动到来源。 重大电压在门限之上，这个情况被要求强的反向。 渠道逐渐变细，当 vD > 0 因为电压下落由于当前流动在抗拒渠道减少支持渠道的氧化物领域，当流失接近。