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楼主: lq19512003

3DQ型双栅MOS管矿机输出阻抗的测试

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发表于 2012-12-8 19:10:00 | 显示全部楼层
每看楼主的帖子都很过瘾。详尽、严谨、玩得专业!
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 楼主| 发表于 2012-12-8 19:25:45 | 显示全部楼层
本帖最后由 lq19512003 于 2012-12-8 19:28 编辑
G4-AAA 发表于 2012-12-8 19:10
每看楼主的帖子都很过瘾。详尽、严谨、玩得专业!


您过奖了!这是一年多以前做的一次实验,如果您有兴趣就一起玩吧!
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发表于 2012-12-8 23:37:46 | 显示全部楼层
感谢楼主热情相邀。咱恰在同城,得机会一定拜访、学习。
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发表于 2013-6-20 15:03:36 | 显示全部楼层
顶起来。。。。。。
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 楼主| 发表于 2014-1-12 22:23:47 | 显示全部楼层
顶起来看看。
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发表于 2014-2-22 04:29:05 | 显示全部楼层
这个好帖,要收藏。
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发表于 2014-10-22 05:07:33 | 显示全部楼层
再顶!
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 楼主| 发表于 2014-10-22 23:17:13 | 显示全部楼层
这次实验得到的结论是:输出阻抗基本上与管子关系不大,但是与L1 L2之间的耦合程度有较大的关系,耦合越强输出阻抗越高,反之越低。

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1

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发表于 2015-1-29 15:29:09 | 显示全部楼层
调整L2距离和匝数匹配中低阻耳机取消变压器带来的变损。
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 楼主| 发表于 2015-1-29 22:28:05 | 显示全部楼层
et23v 发表于 2015-1-29 15:29
调整L2距离和匝数匹配中低阻耳机取消变压器带来的变损。

是的。     
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发表于 2015-1-29 22:55:15 | 显示全部楼层
lq19512003 发表于 2015-1-29 22:28
是的。

搞科研不要说一半不说一半,遇着我这些''半桶水"的就麻烦了。
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发表于 2015-4-26 21:42:50 | 显示全部楼层
好贴顶起来!
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发表于 2016-4-29 16:01:06 | 显示全部楼层
这寞好的帖子必须支持.
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 楼主| 发表于 2016-6-5 11:22:31 | 显示全部楼层
时间过得真快!这是五年前的帖子,转眼之间已经过去五年了。
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发表于 2016-6-5 13:02:00 | 显示全部楼层
楼主能否帮释疑一下,3sk143族线图(ID-VDS)在VDS电压<4V区域,沟道电阻是可变电阻区,而做出实验输出阻抗基本在1k上下,如测试信号加强输出阻抗是否发生变化?谢谢
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