尝试分析一下很多人都难以理解的三极管输出特性曲线图的放大区和饱和区

zhke

大孔景元 发表于 2019-4-24 21:27
曲线上再叠加一条Ib-Ube曲线，饱和区就好理解了

厉害~~~~~~~~~~~~~~

zhke

晶体管在饱和时的Vce的电压是小于小于Vbe电压的~

因为只有这时才能保证集电结正偏!

这就是晶体管在饱和时的压降(Vce)小于基极电压(Vbe)的真正原因~

夏国特

三极管发射结正偏，发射区高浓度多子注入基区成为非平衡少子；由于基区参杂低，基区来不及复合这些少子，同时又因为基区很薄，集电结面积大，这些非平衡少子大部分都在集电结电场力的作用下渡越到集电区，形成集电极电流。正常放大状态下，电荷流经基区并被复合掉一部分，形成基极电流。基极电流和集电极电流成比例，这就是共射电流放大系数β。
从放大条件来看，那就是发射结正偏，集电结反偏。
当这个条件不满足，比如发射结零偏，发射区就无法向基区注入多子，也就截止了；
集电结不满足反偏，那么加速电场力就会被外部电势抵消，从而基区少子不能顺利渡越，放大作用减弱。此时由于基区少子不能渡越，所以就会被“塞满”，这就是饱和一词的来源！
一种特殊的情况是集电结零偏的情况，集电结势垒电场没有被外部电场削弱，放大作用依旧，但由于没有外电势的加速，所以处在临界状态，就是临界饱和线，兼有放大特性和饱和特性；
除此之外，三极管还有击穿区和过载区，欲知详情请参《考晶体管原理》或《半导体物理与器件》。

外部特性与工作状态有关，而不是根据外部特性来界定工作状态的！
不知道楼主读的是那本书，不根据放大机理来对三极管工作状态来分区是不对的，这个逻辑应该是先分区后特性，希望要把顺序搞对。
以上，只是说明“饱和”一词的来源，恐有不准，欢迎拍砖！

zhke

夏国特 发表于 2019-4-25 13:37
三极管发射结正偏，发射区高浓度多子注入基区成为非平衡少子；由于基区参杂低，基区来不及复合这些少子，同 ...

好!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!

hc061218

今天学习三极管，又忘记了，找到以前自己学习三极管写的心得体会，自己都看不懂了  晕死。

60年代的爱好者

三极管输出特性曲线图的放大区和饱和区一点都不难理解，至少我们当年学习的时候并没有觉得困难，大多数人都理解。
楼主是少数不能理解的人，别把大多数明白人划到自己这一边。

傲雪三梅

其实很简单，人吃饱饭干活才有力气，车加满油才跑得远。晶体管要放大足够的Uce是必须的，当然不包括不计条件的放大。锗管0.5v硅管1.2v良好工作必须的。