请教一下这个电路无法达到预想的状态，应该怎么修改？

lichenzc

wanwenhao1 发表于 2018-12-18 15:04
此时你测量431的阴极电压（也就是Q1的基极电压）是多少呢。

谢谢，电路图我先收下，这个电压值晚上回去测一下，1.25V的TL432可以直接代换吧

wanwenhao1

lichenzc 发表于 2018-12-18 15:54
谢谢，电路图我先收下，这个电压值晚上回去测一下，1.25V的TL432可以直接代换吧

如果你说的是用TL432直接代换6206，则需要将TL432接成1.8V的稳压形式，如图。这个电路更容易将Vcc调整到2.5V。

ymyangyong

换TL432也可以，1.25v基准的。

lichenzc

wanwenhao1 发表于 2018-12-18 15:04
此时你测量431的阴极电压（也就是Q1的基极电压）是多少呢。

tl431刚开始导通时是2.05V，至mos管g极电压升到2.5V时，会降到1.8V左右
刚刚发现，mos管完全导通时我搭的电路外接电源处的电压被钳制在2.5V左右，可调稳压电源的回读值是2.58V左右

wanwenhao1

lichenzc 发表于 2018-12-18 18:40
tl431刚开始导通时是2.05V，至mos管g极电压升到2.5V时，会降到1.8V左右
刚刚发现，mos管完全导通时我搭 ...

按照431的资料，阴极电压应用值是Vref至30V，应该理解为阴极电压低于Vref时，是不稳定的工作状态，如果恰好能用也就是运气所在了。如果用我最后给出的TL432的电路，Vcc的钳制电压应该很稳定。

lichenzc

wanwenhao1 发表于 2018-12-18 16:23
如果你说的是用TL432直接代换6206，则需要将TL432接成1.8V的稳压形式，如图。这个电路更容易将Vcc调整 ...

没找到432，先用431模拟了一下，电路图如下，具体测了一下，2.8V以下时电流是0.05mA，2.9V电流0.5mA，3.1V电流2mA，3.2V电流10mA，3.3V电流720mA，431的AK间电压一直都是2.8V左右。感觉不是很理想啊，3.3V时测量R4的分压是2.2V左右，mos没有完全导通，手摸上去都有些烫。对比一下按我1楼的图，2.57V已经完全导通了。而且这个3.1V-3.2V之间是有电流的，而且对法拉电容来说，几毫安的静态电流不小了


补充内容 (2018-12-20 22:21):
R5为18K，图中标注错误了

sjtx1971

没必要加一个MOS管,直接用B772或TIP42足够了,隔壁3AG1的电路,简单实用

lichenzc

sjtx1971 发表于 2018-12-20 17:34
没必要加一个MOS管,直接用B772或TIP42足够了,隔壁3AG1的电路,简单实用

我原来用的是tl431加8550和d882，最高能达到2.5A左右，但有一个问题，就是电容电压超过保护电压0.2V以上才能达到最高电流，前期电流比较小，这个电路可以在超过保护电压0.07v左右就能达到最高电流，针对电容不均衡的情况更有利

wanwenhao1

lichenzc 发表于 2018-12-20 15:31
没找到432，先用431模拟了一下，电路图如下，具体测了一下，2.8V以下时电流是0.05mA，2.9V电流0.5mA，3.1 ...

你的电路有两个问题：

1、R4的阻值过大，Q1的漏电流都可能使Q2的G极电位升高至放大状态；
2、431在电压还达不到稳压值前，是能流过漏电流的，不会完全截止。在你所言的几毫安电流都不能允许的场合下，用标准的431并联稳压电路来稳压是不适宜的，应该另选择可胜任的电路（譬如你一楼的图，应该属于非标准的431稳压电路图，按照你的阐述，应该更适合这个场合）。

附图就是431在标准的应用状态下，VkA和Ik之间的关系，可以看到，当VKA=2V时，Ik已经达到0.2mA。VKA达到2.5V标准值情况下，Ik已经达到0.6mA，所以我提示过，标准的431并联稳压电路，其工作电流要达到至少1mA，才能稳定工作。



按照你给定的R5/R6的阻值计算，得到的稳压值是2.64V，不应该是2.8V，不知道哪里出了问题。

要Q1起作用，Q1的Veb应该到达0.6-0.7V，R3上的压降就是Veb，它流过的电流就已经达到3mA了（这个电流你已经不允许了）。此时的Vcc应该是=2.64+0.7=3.34V左右，所以Vcc在3.2V以下，Q1实际上还未真正工作。当Vcc达到3.3V时，虽然分流电流值达到720mA，但是Q1仍然未饱和（基极电流不足够大），否则MOS管G极电压就会接近Vcc，使MOS管完全导通。

发热问题，由于该电路电压升高总有一个过渡过程，所以MOS管必然有处于放大状态的过程，只是时间长短而已。放大状态下，电阻发热和MOS管发热的总功率是由当时的电压和分流的电流决定的。如果降低MOS管的温度（即加大电阻阻值），电阻的温度必然更高，只能在两者之间合理分配其发热量。满足不了就给MOS管加散热器，或者使用更大功率的电阻（电阻上也可以加散热器以增大耗散功率）。

暂时想到这么多，希望继续探讨。

lichenzc

wanwenhao1 发表于 2018-12-20 22:15
你的电路有两个问题：

1、R4的阻值过大，Q1的漏电流都可能使Q2的G极电位升高至放大状态；

上面R5的阻值标注错了，实际使用的是18K电阻。

1，R4选了几个阻值测量了一下，看下表


电路图



2，R4刚开始之所以选1M（实际应该是偏大，从上面可以推测出100K左右即可，手头最大的电阻就是1M就拿来用了），是因为我做过测试在不接MOS管的情况下，电压在2.5V时，R4可以分到2.49V以上的电压，我本来想用这个驱动MOS，应该可以使MOS管完全导通，但接上mos管的情况下，R4的分压就迅速降到不到1V，主要是这个问题我搞不明白

wanwenhao1

lichenzc 发表于 2018-12-20 23:22
上面R5的阻值标注错了，实际使用的是18K电阻。

1，R4选了几个阻值测量了一下，看下表

R4分压在MOS管接上与不接上的电压变化，个人猜测是Q1的工作状态变化了。可能的情况下，你在Q1的基极串联电流，或者串一个取样电阻测量压降表看看。

你的整个电路，应属于不稳定状态。接上MOS管，电路的电流会增加很多，Vcc会有一点降低，因此影响不稳定的Q1状态变化，造成R4分压变化。

wanwenhao1

个人认为一楼的电路，用于防止超级电容过充应该可以了。

如果还嫌电流增加较慢，可以去掉R3，让流经R3的电流全部流经Q1的发射结，Q1即可提前饱和。

这个电路在实际应用中，MOS管必然处于放大状态。理由如下：

1、如果需要分流的电流大于MOS管完全开通时能流过的电流（由电阻R//R2大小决定），则Vcc将继续上升，电路失败，需要改进，使MOS管饱和的电流大于需要分流的最大电流；
2、按照第一条，MOS管饱和的分流电流大于需要分流的电流，则MOS就需要退出饱和，进入放大状态，使其流过的电流等于需要的电流。靠这样的一个动平衡，维持Vcc基本不变，即：MOS管必然工作于放大状态。

因此，实际应用，还需要权衡R1//R2的大小，以达到MOS饱和时，分流电流能大于需要的最大分流值，且耗散的热能在MOS管与电阻之间合理分配。

你这个电路及其应用的例子，堪称431非标准应用的经典（没见人这样应用的）。这个分流稳压器在极小的压差范围内，能分流较大的电流，且还不需要电压源的内阻辅助。我打算收藏，且还想知道，在你所附的表中各个状态下，Q1基极的电位（或者说当时的VKA是多少）。如果朋友方便，请再补充一下数据。感谢！

lichenzc

wanwenhao1 发表于 2018-12-21 09:13
个人认为一楼的电路，用于防止超级电容过充应该可以了。

如果还嫌电流增加较慢，可以去掉R3，让流经R3的 ...

R3不能去吧，为了维持tl431的最小阴极电流，http://www.crystalradio.cn/thread-406346-1-1.html
2.49V时Vka=2.35V,2.5V时Vka=1.98V，2.6V时Vka=1.87V。R4阻值大小对Vka变化影响不大

wanwenhao1

lichenzc 发表于 2018-12-21 10:06
R3不能去吧，为了维持tl431的最小阴极电流，http://www.crystalradio.cn/thread-406346-1-1.html
2.49V ...

分析电路状态如图：

工作状态分析
Vcc                              2.49                                      2.5                                             2.6                v
VKA                               2.35                                       1.98                                             1.87        v
VR3（Veb）              0.14（这个压差Q1应该未导通）        0.52（这个压差Q1会初始导通）              0.73（这个压差Q1会完全导通）        v
R3                                200                                        200                                             200        Ω
IR3                                 0.7                                        2.6                                             3.65        mA


表中的数据提示我们，不去掉R3，也可以将其阻值加大（加大一倍，则IR3为0.7mA时，VR3=Veb=0.28V，Q1也仍然不会进入初始导通）。使后来的导通速度加快。

你给的那个帖子用的电路，是431标准的并联稳压电路，与你这个非标准应用电路的性能可能有较大的差别，不能同日而语。

两电路的区别在于，一个是当VKA≤Vref≤2.5V时，IKA为多少（你的电路）；一个是当Vref≤2.5v≤VKA时（他的电路），IKA为多少。

lichenzc

wanwenhao1 发表于 2018-12-21 10:18
分析电路状态如图：

工作状态分析

把R3阻值由200欧换成620欧，R3的分压大概升高了0.02V，2.50V时0.41V（R3=200欧），2.57V时0.56V，此时MOS正好完全导通，620欧（Vr3=0.58V）时也是这个电压时完全导通。如果换成1K，电路不能正常工作，此时R3分压一直在0.55V左右，即使电压低于2.49V，电路依然会有0.5A以上的电流。

另外根据你的提示的电路处于不稳定的状态，我测量了一下Vka的交流分量的频率（手头没有示波器，没法看波形，用万用表交流档的频率测量功能测的，直流电压能看到几毫伏的波动，但没法测频率），2.49V以下没有， 2.5V时能测到十几赫兹的波动，2.56V时涨到几百将近一千赫兹，2.57V时就完全测量不到了。