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楼主: gxf26

晶体三极管直流偏执电阻如何选取(新手求救)

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 楼主| 发表于 2017-11-29 22:34:33 | 显示全部楼层
1996 发表于 2017-11-29 22:29
推荐本书,《晶体管电路设计》铃木雅臣,坛内有电子版下载,我说那些东西都出自这里,国内那些模电课本, ...

嗯,再次感谢,我去下来瞅瞅。
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发表于 2017-11-29 22:41:21 | 显示全部楼层
集电极电阻R3一般取10K到50K间.发射极电阻R4取200欧到2K间.这2个电阻不重要关间是上下偏值电阻.你将下偏R2做一固定值[取10K左右调上偏R1使静态电流达到要求.[不要加信号.]
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 楼主| 发表于 2017-11-29 22:46:45 | 显示全部楼层
电老虎 发表于 2017-11-29 22:41
集电极电阻R3一般取10K到50K间.发射极电阻R4取200欧到2K间.这2个电阻不重要关间是上下偏值电阻.你将下偏R2 ...

嗯,好的,我明天按你说的和按公式计算推到的综合看看。非常感谢~!
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发表于 2017-11-29 23:01:09 | 显示全部楼层
你太天真不是诉你了吗.原理你懂不清.你該从初级学晶体管电路[.我是70代末上的无线电学校的.]
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发表于 2017-11-29 23:45:21 | 显示全部楼层
闲着没事给LZ扯扯淡。
先搞清一个概念:静态工作点,简称Q点。Q点包含4个量:发射极-基极静态电压Ubeq,发射极-集电极静态电压Uceq,集电极静态电流Icq,基极静态电流Ibq。
一般来说,Ubeq就是PN结正向压降,近似为0.6V-0.7V,基本不用管;Icq与Ibq之间的比值就是电流放大系数,可以用万用表测出来,这样两者只需要确定一个那么另一个也就定了。设计时,先选定Icq和Uceq,小信号下Icq一般可取零点几到几毫安这个范围,Uceq可以取电源Vcc的一半左右。
接下来,R4主要起稳定Q点的作用,它上面的电压有个零点几V就可以了,比如选0.5V,那么用0.5V除以Icq就是R4的阻值。
再接着,Vcc减去Uceq和R4上的电压,就是R3上的电压,再除以Icq就是R3的值。不过R3会影响电路的输出阻抗,如果算出来R3不合适,那就回头去修改上面的步骤,直到合适为止。
R4上的电压定了之后,给它加上PN结的正向压降(小功率管取0.6V到0.7V)就是基极的电压。忽略基极电流,那么这个基极电压就是R1与R2对Vcc串联分压的结果。好了,自己根据这个分压比选择R1和R2吧,但要保证R1R2中的电流至少比基极电流Ibq大个5到10倍。
到此为止,几个电阻就全部定出来了。

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发表于 2017-11-29 23:52:04 | 显示全部楼层
补充一点,如果你想要增益接近23dB,也就是电压放大十几二十倍,R4要并联一个旁路电容,不然没戏
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发表于 2017-11-29 23:57:45 来自手机 | 显示全部楼层
负载才470欧,输出3v电压就得有6毫安电流R3最多1k
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发表于 2017-11-30 07:16:53 来自手机 | 显示全部楼层
Vce=5v, Ic=15mA, 是特性图告诉你的频率特性最好的工作点,以这两个参数代入。另外放大倍数取10倍为宜,Ib按1.5mA,前面的电阻也就出来了。至于偏压,要根据信号源的大小上浮一下即可。

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发表于 2017-11-30 18:49:17 | 显示全部楼层
本帖最后由 HQP 于 2017-11-30 18:55 编辑

Q1基极电压:电源电压(12V)*(R1/(R1+R2)),
R4上电流=(Q1基极电压—Q1be结(硅管0.7V,锗管0.3V))/R4    可以以此推算Q1的e极电压
Q1的基极电压在放大区要看器件的材料导通电压,硅管0。6V,锗管0.3V,当然也不能在“截止”区,要在放大区才有用,R1和R2的电阻大些可以减小工作电流,但R1+R4的阻值要满足Q1的基极电压的最低“导通电压”。


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发表于 2017-11-30 19:21:08 | 显示全部楼层
飞蟾 发表于 2017-11-29 23:45
闲着没事给LZ扯扯淡。
先搞清一个概念:静态工作点,简称Q点。Q点包含4个量:发射极-基极静态电压Ubeq,发 ...

还是你说的清楚明了
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发表于 2017-12-1 00:34:21 来自手机 | 显示全部楼层
1996 发表于 2017-11-29 20:55
如果你看懂了第三个图中曲线的含义,工作点自然不难选取,而工作点选好以后,如何确定四个电阻的值,那 ...

现在的书本上基本都没给出怎么求那些电阻值的,或者是根据电压增益求电阻值,包括很多大学的教材亦是如此。那么多年,我只见过一本书上有给出实例,还不是教材呢。当年为这个问题浪费了不少钱买书!!!具体方法跟二楼提出的基本上是一样的,但是二楼没有给出根据电压增益来求。
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 楼主| 发表于 2017-12-1 18:09:30 | 显示全部楼层
扬扬 发表于 2017-12-1 00:34
现在的书本上基本都没给出怎么求那些电阻值的,或者是根据电压增益求电阻值,包括很多大学的教材亦是如此 ...

你买了些啥书啊,国内的教材确实如此,我也是看了国内教材主要是重原理,很少提起如何设计和实际应用,国内缺一部理论与实践结合的教材书,也是到实验部分是研究生课题部分吧,本科内容都是讲原理多。
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发表于 2017-12-1 18:20:46 | 显示全部楼层
首先确定集电极负载电阻,按通频带的截至频率计算输出负载电容及分布电容的容抗,集电极负载电阻不大于计算容抗的三分之一。
其他就好算了。
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发表于 2017-12-2 09:28:00 | 显示全部楼层
楼主的这种电路,最常用在早期的锗管电路中,由于有强烈的直流负反馈,所以工作点一经设定,那是几乎不再随晶体管的β或外界温度的变化而变化的,也就是说,这种电路的直流工作点是极其稳定的。如果你是针对β为50的晶体管设计的元件参数,那么当你换用一只β为100的晶体管时,外围元件参数不用变,而原先设定的工作点也没有什么大的变化。
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发表于 2017-12-4 00:27:47 | 显示全部楼层
本帖最后由 扬扬 于 2017-12-4 00:37 编辑
gxf26 发表于 2017-12-1 18:09
你买了些啥书啊,国内的教材确实如此,我也是看了国内教材主要是重原理,很少提起如何设计和实际应用,国 ...





IMAG1928.jpg IMAG1929.jpg IMAG1930.jpg IMAG1931.jpg


图片顺序有点乱,楼主可以自己看看,实际算下然后用软件跑一下低频的仿真。
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