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发表于 2017-7-25 15:39:22
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不知道楼主实验得如何?我最近学习功放电路的时候顺便也仿真了一下MOS管输出的功放电路,感觉一般的推挽输出用MOS似乎没有太大的优势。MOS管导通电压最少也在1V在上,大功率的MOS管低的也要2.5V以上。所以输出电压比前级电压低很多,模拟出来导通电压在1.5V左右的MOS管用在输出上摆幅大概是VCC-5V的样子。用大功率MOS模拟时,输出摆幅只有VCC-10V的样子。就像前面有人提到的,前级电压要比输出级高才能有效利用电源电压。而且用MOS管输出时,在小功率输出时,THD要比用一般的功率三极管高不少。接近满载时THD才会达到最小。这和用三极管模拟的结果有所不同。三极管在额定功率范围内THD相对稳定,随着输出功率变大而轻微变大。不过用MOS管有一些明显的好处,就是输出的负载能力明显要强一些。相同的输入信号下,MOS管输出时无论负载8欧还是4欧,输出摆幅变化很小。用三极管时不同的负载对输出的影响比较大。要达到MOS管相同的效果就要多并很多三极管,并且静态电流调得比较大。也就是说,用MOS管输出静态电流不用太大。再就是三极管输出时,推动管的电流比较大,用小功率管时会发热厉害,而MOS管是电压控制,推动管不用大功率的管子(我仿真了一个MOS管单端甲类功放电路,甚至不用专门的推动管直接用差放输出也可以推动MOS输出管)。 |
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