最快的npn小功率开关管 大家用过的是哪个型号？

e3po

请列举..........................






p.s.
http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/contents.htm
http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/title.htm


延迟时间(delay time)td产生
    当输入电压ui由–U跳变到U，随即出现基极电流Ib，但三极管不能立即导通，因为要使发射结由反偏转为正偏、阻挡层由宽变窄、使发射结电压由–U上升到门限电压Uon，这时发射区向基区发射电子，注入基区电子在基区内形成电子浓度梯度分布。扩散到集电结边缘的电子被集电区吸收，形成集电极电流ic。由此可知，ic的出现比ui上跳时刻要延迟一个时间td。这就是td产生的原因。


上升时间tr的产生
    发射结开始导通后，发射极不断向基区注入电子，但集电极电流不能立刻上升到最大值。这是因为集电极电流的形成，要求电子在基区中有一逐步积累的过程，需要一定的时间，不会随ib跃变而跃变。


存储时间ts的产生
    当输入信号ui由U下跳到–U时，基极电流ib为–U/Rb，这使基区存储的电子在反向电流作用下逐渐消散。随着多余电荷的消失，三极管由饱和退到临界饱和所需要的时间就是存储时间ts

下降时间tf的产生
    当基区超量电荷消散完后，三极管脱离饱和，集电结开始由正向偏置转向反向偏置，在反向驱动电流–U/Rb继续驱动下，基区存储电荷开始消散，电子浓度梯度下降。从而使集电极电流ic随之减小，并最后降至0。因此，下降时间tf就是三极管从饱和经过放大区转到截止区的时间。

[ 本帖最后由 e3po 于 2010-9-30 12:07 编辑 ]

longshort

您得说明是什么封装，封装外形是很影响性能滴。

e3po

原帖由 longshort 于 2010-9-29 09:23 发表
您得说明是什么封装，封装外形是很影响性能滴。

无所谓封装了， 只求一个型号

比如 3DK xxx ,   2SCxxxx,  2Nxxxx

2300mah

之前在做机载DSP项目的过程中，我们使用过2SC4937做直流变换，tf是≤1微秒的，是罗姆早期生产的一种中功率高速开关管，不过现在一般都用VMOS管了。

2300mah

NEC好像也有些三极管管在0.3微秒的开启时间，好像是A1743，也需是1473，记不清了

e3po

吾看到有个 2N2369
Ts 只有 13nS, Ton 12nS, Toff 18nS.

赶得上 MOSFET 了


还有个 2N2501 也是飞快的。

2300mah

那比一般的VMOS都快了

longshort

原帖由 e3po 于 2010-9-29 11:10 发表



无所谓封装了， 只求一个型号

比如 3DK xxx ,   2SCxxxx,  2Nxxxx

这个就容易了。七十年代末八十年代初时，烽火厂研制频率合成器的吞脉冲计数器前端的除以十／除以十一双模分频器，用的就是3DK3，上升沿和下降沿均做到了5nS，上升和下降的延迟大约是7~10nS，工作电压是3V。这个性能怎么样？

2300mah

印象中高速开关三极管的开关迟延主要指标都是Tstg吧，Storage Time，一般都在一百多ns到三百多纳秒之间吧，0.x个微秒。几个nS的延迟很少见吧。

longshort

原帖由 2300mah 于 2010-9-29 12:03 发表
印象中高速开关三极管的开关迟延主要指标都是Tstg吧，Storage Time，一般都在一百多ns到三百多纳秒之间吧，0.x个微秒。几个nS的延迟很少见吧。

几百nS也算高速开关管？

e3po

原帖由 longshort 于 2010-9-29 11:58 发表

这个就容易了。七十年代末八十年代初时，烽火厂研制频率合成器的吞脉冲计数器前端的除以十／除以十一双模分频器，用的就是3DK3，上升沿和下降沿均做到了5nS，上升和下降的延迟大约是7~10nS，工作电压是3V。这个性能 ...

        没有那么快吧？

3DK3A
Ton <= 20nS  Toff <= 40nS

3DK3B
Ton >= 15nS  Toff >= 20nS

您说的 3DK3 是专用的型号？？ 3DK3 的典型存储时间是多少 nS?

感觉 3DK3 和 2n3904 / 2N4401 差不多啊

[ 本帖最后由 e3po 于 2010-9-29 13:30 编辑 ]

longshort

也许是专用的，反正当年看到这个电路设计，并且采用的3DK3的测试参数，随后找的有关资料，产生的疑问也和您的差不多。

不过，晶体管参数表上的数据，是在比较高的额定电压条件下测试的，这并不影响管子的实际发挥。请注意它使用的工作电压只有3V，在同样的过激励条件下上升下降沿都会减少，同时再采取抗饱和措施，存储延迟降到接近零那是没商量滴。

在抗饱和措施中使用的国产开关二极管，反向恢复时间都在2nS水平，这也是个不可或缺的条件。

晶体管的集电极电流取得比较大，这是为了工作在特性曲线频响最好的一段。集电极负载电阻比较小，为克服分布电容的作用还须串联一个小电感，以补偿两沿的斜率损失。

能想起来的主要就是这些，其它就是布线方面的了。

假期里找找这些资料看，找到就贴点上来。

longshort

特别强调一下，数字电路并非都是工作在饱和／截止状态的。TTL是饱和／截止态工作的，但ECL（射耦逻辑）就是工作在放大／截止态，而上述使用分立晶体管元件的触发器则工作在临界饱和／截止态，运行性能介于TTL和ECL之间。至于工作在更高频率下的隧道二极管，则工作在两种不同的电流下，没有截止态。某些ECL电路也没有截止态。

2300mah

原帖由 longshort 于 2010-9-29 12:06 发表

几百nS也算高速开关管？

我说的主要是开关三极管，因为三极管BJT是少数载流子器件，有一个特有的性质就是储存效应，这也就是Tstg的由来，上升下降沿是挺快的，但储存时间太长，也是一般的开关三极管效率不太高的原因。而MOS管是多数载流子器件，没有这个储存效应，轻易可以达到2、30nS，影响速度的主要是栅极电容的充放电速度。所以现在在电源行业，普通用MOS管代替三极管，也是考虑这点。
据说现在有2nS的器件了，不过好像还没普及到我们这些山寨企业来。

longshort

原帖由 2300mah 于 2010-9-29 14:23 发表


我说的主要是开关三极管，因为三极管BJT是少数载流子器件，有一个特有的性质就是储存效应，这也就是Tstg的由来，上升下降沿是挺快的，但储存时间太长，也是一般的开关三极管效率不太高的原因。而MOS管是多数载流 ...

开关三极管的存储延迟在几百nS的，只能算中低速开关管，高速开关三极管都不超过50~70nS，一般的都在20nS~50nS左右，小于等于10nS的就算是超高速的了。

MOSFET的栅极电容直接制约了它的高速应用，它所带来的负面要求是驱动必须十分强大，例如2SK3819，上升下降时间均可以分别达到11nS和18nS的水平，但输入电容达到750pF，要在11nS的时间内将栅极电容充电到5V满开启，非有相当的驱动功率不行，您可以自己计算一下这个电流是多少。