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发表于 2010-6-9 14:44:51
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半导体器件的贮存寿命
发布者 admin · 发表评论
转载来源:可靠性论坛 作者:张瑞霞，徐立生，高兆丰
１ 引言 高可靠半导体器件在降额条件（Tj＝１００℃）下的现场使用失效率可以小于１０－８／ｈ，即小于10FIT，按照偶然失效期的指数分布推算，其平均寿命 MTTF大于１０８ｈ，即大于１００００年。据文献报导，电子元器件的贮存失效率比工作失效率还要小 一个数量级
４.２ 特军级晶体管
ＪＴＸ２Ｎ２４０５为硅ｎｐｎ开关晶体管， ＰＣＭ为１Ｗ，ＴＯ-３９封装，生产日期为１９７４年，已经贮存了３２年。特军级晶体管的质量等级高于普军级（JAN），该批器件数量较大，共２０６支，管芯的图形较大，ＩＣＭ为１Ａ，内引线用金丝，在管芯处为球焊键合，为７０年代的典型键合工艺。在贮存期间，对电参数进行过多次检测，全部符合规范要求，仅有１支管子，小电流ｈＦＥ （１ｍＡ处）有退化迹象。管子的外引线镀金层质量良好，没有锈蚀现象，任抽１０支样管做可焊性试验，全部合格，气密性经检测漏率小于１０?９Ｐａｍ３／ｓ。
４.３ 早期的宇航级晶体管
JANＳ２Ｎ２２２２Ａ为硅小功率开关晶体管，ＴＯ-１８封装，相当于国产管３ＤＫ３，该批产品共５支，生产日期为１９７１年，已经贮存了３５年，是美国ＴＩ公司早期生产的宇航级晶体管。经电参数检测，全部符合规范要求，ｈＦＥ在微电流下也没有退化。
该管内引线采用当时典型的金丝球焊工艺，经过DPA检测，内引线键合拉力为２.９～６.５ｇ，芯片剪切力为１.９８ｋｇ。由于金丝和铝膜的键合在高温下会产生多种金铝化合物，严重时会产生开路失效，因此ＴＩ公司在８０年代生产的宇航级晶体管２Ｎ２２１９中内引线使用铝丝超声键合工艺，消除了金铝化合物的失效模式。从DPA的数据来看，金丝球焊的键合拉力在贮存３５年后，确有退化，２.９ｇ数据为键合点脱开，６.５ｇ为金丝拉断。该批器件的气密性良好，经检测漏率为１０-９Ｐａ;ｍ３／ｓ范围。
４.４ 国产晶体管长期储存实例
国家半导体器件质量监督检验中心从１９８４年起对各种国产高频小功率晶体管进行了许可证确认试验，当时每个品种从工厂抽样１５０支，用６０支分别进行高温储存、工作寿命和环境试验，其余留作仲裁用。全部样品在Ⅰ类贮存条件的试验室保存了２０多年，从２００６年开始进行了长期贮存器件可靠性研究，现报道其中一例。
３ＤＧ７９晶体管为中放ＡＧＣ专用管，生产时间为１９８３年，对库存１００多支样管进行了常温电参数测试，全部符合规范要求，对其中５支标样进行了对比测试，发现ｈＦＥ在贮存２０年后平均下降了１６％ （年下降率０.８％），说明存在ｈＦＥ退化机理，但未超出寿命试验失效判据（３０％）。
５ 结论
高可靠半导体器件的贮存寿命极长，对于气密性良好的金属或陶瓷封装器件，如果内部水汽含量小于５０００×１０-６，外引线镀层质量良好，在Ⅰ类条件的贮存期限可达到２５年，甚至更长。
我国航天部门制订的超期复验标准中对于有效贮存期订的过严，建议参考俄罗斯标准作必要的修订，作为过渡方案，可以将半导体器件的有效贮存期先放宽到５年，这在某重点工程中已证明是可行的。
国内有关部门应加强电子元器件贮存可靠性及评估技术研究，制定相应统一的标准规范。 |
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发表于 2010-6-9 17:35:35
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楼主|
发表于 2010-6-10 08:01:53
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发表于 2010-6-10 19:30:15
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