锗管功率放大器末级最好用共基极电路

bluethinkksj

乙猪 发表于 2017-2-25 02:02
第一次听说这种说法，
期待楼主制作出实际电路来，
否则吹水盖楼到1000层我都不信。

不知猪兄是干什么工作的，如果在北京，并且退休在家，可以来我实验室看看。
相关的测试仪器和元件我都可以免费提供，毕竟这些条件对于我的上千万经费的实验室不算什么。
我本人确实很忙，确实没时间动手。工作的人才理解身不由己的痛苦。

大孔景元

bluethinkksj 发表于 2017-2-26 22:29
对于集电结漏电流对三极管耐压的影响可以用下面的电路图来说明
这个电路经常被用于作为可调稳压管，稳压值 ...

这种论据就有想当然的嫌疑了，你忽略了三极管的基区电阻，即使基极外部对地电阻是0，基极也不会截留集电极漏流，

只要偏置正常，晶体管中的电流严格按着Ie=Ib+Ic来分配，是基极和集电极的电流都流过发射极，不存在集电极漏流从基极入地的可能，即使是发生击穿，在三极管彻底损毁之前仍遵循这一规律，不管是共基、共发、还是共集，所谓BVcbo与BVceo的差异仅在一个电极开路时才会存在

bluethinkksj

大孔景元 发表于 2017-2-26 23:45
这种论据就有想当然的嫌疑了，你忽略了三极管的基区电阻，即使基极外部对地电阻是0，基极也不会截留集电 ...

这种论据就有想当然的嫌疑了，你忽略了三极管的基区电阻，即使基极外部对地电阻是0，基极也不会截留集电极漏流，


基区电阻在上面的等效电路上应该是接在R1和R2的外侧。如果从PN结理论来说，集电结反向漏电流是由于集电极少数载流子穿过集电结（集电极和基极形成的PN结）形成的。少数载流子是由于PN结的热激发形成，和多数载流子由参杂形成根本不同，这也是反向穿透电流和温度很敏感的原因。对于锗晶体管，由于能带带隙比硅小，所以热激发形成少数载流子更容易，所以穿透电流比硅管大。集电极的少数载流子在反偏的集电结中感受到的是加速电场，会快速通过集电结进入基区，进入基区后，这部分载流子成为了基区的多数载流子，这和一个基极电流注入多数载流子的效果是一致的，会促进基极和发射极形成的发射结的导通，从而增加三极管的导通。这就是我上面等效电路的微观过程。

只要偏置正常，晶体管中的电流严格按着Ie=Ib+Ic来分配，是基极和集电极的电流都流过发射极，不存在集电极漏流从基极入地的可能，即使是发生击穿，在三极管彻底损毁之前仍遵循这一规律，不管是共基、共发、还是共集，所谓BVcbo与BVceo的差异仅在一个电极开路时才会存在

Ie=Ib+Ic对任何一个三端节点都是成立的（包括三极管，场效应管，甚至一个电阻网络），这不能给给我们任何新的信息，所以是无关的。

乙猪

bluethinkksj 发表于 2017-2-26 23:04
不知猪兄是干什么工作的，如果在北京，并且退休在家，可以来我实验室看看。
相关的测试仪器和元件我都可 ...

我广东最南边的，离北京太远了。
再说太高端的测试仪器也不敢玩啊，我只是业余水平。

bluethinkksj

我设计了一个3AD6单端放大器。如下图所示。

大孔景元

bluethinkksj 发表于 2017-2-27 00:58
我设计了一个3AD6单端放大器。如下图所示。

咱都共基极了，是不是应该按BVcbo供电？静待实验结果

Ie=Ib+Ic，至少证明了Ic不会流向基极，足够了

bluethinkksj

bluethinkksj 发表于 2017-2-27 00:58
我设计了一个3AD6单端放大器。如下图所示。

其中Q1是NPN中功率管，用8050， 工作电流通过偏置电阻R1调节到0.75A。由于管压降很小（<0.7V)，所以Q1的功耗也很小。
Q1是一个射极跟随器，起到电流放大的作用。
Q2用3AD6或更大功率的3AD30，3AD18当然也能用。工作在共基极放大模式。
工作电流的稳定源于Q2工作在共基极模式漏电流很小。还有硅管Q1的穿透电流很小。稳定性应该和硅管单上偏置电阻偏置电路类似。
由于共射和共基电路都是同相放大器，所以并没有简单的直流负反馈。
供电电压取12伏，负载为16欧姆扬声器，最大正弦波输出功率接近5W，请注意3AD6管的散热。
一个简单廉价的方案是用废旧的CPU散热器和风扇，在CPU散热器上钻3AD6的散热孔。
如果做双声道，最好用两个独立的散热器，3AD6不要用绝缘垫片，直接安装在散热器上。注意要在三极管和散热器之间抹一层导热硅脂。
电路采用电感和隔直电容设计，好处是效率更高(变压器效率影响较小），频响更好（漏感不会影响高频带宽）。
变压器的制作可参考其他单端功放电路。为了防止磁饱和，也要留出气隙。
电路采用共集电极和共基极放大级联，结构非常简单，频响特性也非常好。输入阻抗由于Q1的电流放大，要比单纯3AD6共基极放大器高很多。
3AD6管耐压要求Vcbo>30V, 3AD6系列的管子都可以满足要求。对于老管子，最好先测一下。
该功放适合中小房间的高保真听音需求。

longshort

bluethinkksj 发表于 2017-2-27 01:19
其中Q1是NPN中功率管，用8050， 工作电流通过偏置电阻R1调节到0.75A。由于管压降很小（30V, 3AD6系列的 ...

Q1管压降怎么会是0.7V？明明超过了2V。

大孔景元

只能作罢了，楼主赢了

大孔景元

longshort 发表于 2017-2-27 06:22
Q1管压降怎么会是0.7V？明明超过了2V。

兄弟，Q2的基极被D1嵌位，Q1的压降是0.5V左右，不建议再跟贴了，楼主的三极管集电极电流会流向基极，相互永远谈不到一起的

往事已去

总算明白了楼主的思路，好像有道理，那就看实验结果吧，事实说了算。先拿现在的小硅管试试，烧了不心疼。

乙猪

没看见输入变压器啊。

乙猪

往事已去 发表于 2017-2-27 09:57
总算明白了楼主的思路，好像有道理，那就看实验结果吧，事实说了算。先拿现在的小硅管试试，烧了不心疼。

肯定不能拿小硅管试验啊，应该拿小锗管试验，如3AX系列，什么3AX31/81/83之类的。
同时要设计一个小锗管共射的作为对比：
一是试验稳定性；
二是试验最高电源电压。

期待楼主能出一个图让大家试验试验。我手头上3AX83，好象还有很多。

longshort

大孔景元 发表于 2017-2-27 09:40
兄弟，Q2的基极被D1嵌位，Q1的压降是0.5V左右，不建议再跟贴了，楼主的三极管集电极电流会流向基极，相互 ...

嘿，真是眼拙糊涂了，真的不能再跟贴喽。

hhui68

bluethinkksj 发表于 2017-2-27 00:58
我设计了一个3AD6单端放大器。如下图所示。

呵呵，8050是射极输出因为串个共基极工作的3AD6做高阻输出，电压增益就大于能大于1？也就是就的3AD6的输出电压能比3AD6的工作电压还高？