锗管功率放大器末级最好用共基极电路

bluethinkksj

锗管有几个缺点。
第一是频响比较差，共基极电路能提供更宽的频响范围。共基极放大器的功率增益轻松能做到10倍以上，对于末级来说是足够的。
第二个是耐压低，共基极电路的耐压比共射极电路的耐压要高不少，耐压上去了。末级功放才能输出足够的功率。
第三个是穿透电流的热稳定性差，共基极电路的穿透电流比共射极电路小β倍，所以热稳定性也好很多。
共基极电路由于没有电流放大倍数，所以推动级倒相变压器需要输出较大的电流，但是对于变压器来说，输出大电流是很容易设计的，比输出高电压容易的多。锗管的推动电压很低，所以和输入变压器很配。

大孔景元

bluethinkksj 发表于 2017-2-23 22:05
共发射极电路和共基极电路的是有显著的不同点的。
对于共发射极电路，集电结的反向漏电流等效于基极电流 ...

1由于人为设置静态电流，集电极漏流造成导通影响耐压的可能性不存在，导通不等于击穿
末级共发射极电路时，输入变压器的次级就是那个提高耐压的小电阻



末级推挽电路中，导通的一侧管子集电极电压低于电源电压，而截至一侧的管子集电极电压是高于电源电压的，如果发生击穿现象，一定是截止的管子被击穿，但截至的管子基极是处于反偏状态的，基极发射极反偏或短路的管子集电极与发射极之间的耐压称为BVces，与BVcbo是近乎相同的，共基极提高耐压一说也就无从谈起

深圳老朱61

实际使用中，使用共射极、共集电极电路的很普遍，还真少见共基极电路的。

vkjmmy

等看您的实验效果，范范的说没多大意义

大孔景元

第一，共基极高频特性好的根据是不受集电结电容的影响，此电容反馈信号直接入地，而共发射极接法会反馈到输入端，但在音频范围内此影响可以忽略，共基极接法并没有优势，相反却需要极强的推动，得不偿失
第二，由于输入变压器次级的接入，输出管耐压指标是BVcer，在激励信号的负半周起码是BVces（即基极、发射极短路时的耐压），并不是BVceo，一般认为发射结反偏时BVces不低于BVcbo，共基极电路不具耐压优势
第三，同样因为推动变压器次级的接入，三极管的实际漏流不是Iceo，而是Icer，在激励信号的负半周是Ices（即基极、发射极短路时的漏流），Ices等于Icbo，共基极电路同样不具优势

longshort

共基接法的输入阻抗极低，虽然驱动电压不高，但是驱动电流极大，前级需要给出一定的驱动功率才行。

功率增益并非随便说说就能让共基放大器达到10倍，这是需要设计的。一个电流增益只有2的晶体管也能达到10倍的功率增益，信不信？

wjx591010

或许是一种突破，

岑蓉络阳

6楼和7楼说得对极了。
楼主认为的共基极电路功率增益达到10倍，这在音频功放电路上很难实现，共基极电路输出阻抗比共射极大一个数量级，在高频信号的放大上面才有优势。60年代末，曾经是不好买到三极管的年代，我好容易买到一个3AG71，是中频管，465kHz的截止频率，为了做一个来复式单管机，才挖空心思去设计了共基极电路来用，也勉强能用到中波范围。
楼主既然认为共基极电路需要大电流驱动了，那何必多此一举，就用可以驱动共基极电路的大电流去直接给音箱岂不更好？
锗低频管的高频特性差是硬伤，用在高保真音响中，电路上能够采取的措施十分有限了。

未成之佛

fT只有几千赫的那些锗管可能真的需要共基极电路才能达到5千赫以上的频宽

hhui68

共基极接法的电流放大倍数< 1 做功率放大效果还不如直接喇叭～

leung_zh

锗管未级没搞头啦，用作怀旧或显摆承上启下鼓吹没意思，就像近日估算晶体管通频带上限频率硬给人归纳为实际频响最高点。

bluethinkksj

深圳老朱61 发表于 2017-2-17 03:56
实际使用中，使用共射极、共集电极电路的很普遍，还真少见共基极电路的。

锗管大功率放大器存在的时间很短。所以没有足够时间进化。

bluethinkksj

aojieage 发表于 2017-2-17 03:58
音频那点频率，不在意接法吧？

锗大功率合金管的ft惊人的低。

bluethinkksj

大孔景元 发表于 2017-2-17 08:27
第一，共基极高频特性好的根据是不受集电结电容的影响，此电容反馈信号直接入地，而共发射极接法会反馈到输 ...

第一，共基极高频特性好的根据是不受集电结电容的影响，此电容反馈信号直接入地，而共发射极接法会反馈到输入端，但在音频范围内此影响可以忽略，共基极接法并没有优势，相反却需要极强的推动，得不偿失

对于锗大功率管来说截止频率是很低的。你可以查一下3AD6，3AD30和3AD18这些典型的管子的频率。远远低于3DD15这类管子。



第二，由于输入变压器次级的接入，输出管耐压指标是BVcer，在激励信号的负半周起码是BVces（即基极、发射极短路时的耐压），并不是BVceo，一般认为发射结反偏时BVces不低于BVcbo，共基极电路不具耐压优势

击穿主要发生在正半周啊。



第三，同样因为推动变压器次级的接入，三极管的实际漏流不是Iceo，而是Icer，在激励信号的负半周是Ices（即基极、发射极短路时的漏流），Ices等于Icbo，共基极电路同样不具优势

为啥还是考虑负半周？正半周不考虑？

bluethinkksj

longshort 发表于 2017-2-17 09:06
共基接法的输入阻抗极低，虽然驱动电压不高，但是驱动电流极大，前级需要给出一定的驱动功率才行。

功率 ...

对，肯定要认真设计。我在帖子里也提到。低电压大电流的输入变压器制作很容易。而且一般铁芯都有几瓦的功率，如果末级的放大有10倍，30w输出功率需要的推动功率只有3瓦，一个小电源变压器铁芯正合适。