锗管功率放大器末级最好用共基极电路

bluethinkksj

再考虑为了降低交越失真，末级会工作在甲乙类，甚至是甲类，那耐压就不能用BVces来算了。
这里面就包含著名的1969锗管单端甲类电路。

bluethinkksj

关于锗管的偏置，可以看看这个帖子。
http://www.crystalradio.cn/thread-709012-1-1.html

乙猪

第一次听说这种说法，
期待楼主制作出实际电路来，
否则吹水盖楼到1000层我都不信。

大孔景元

五里雾中啊，我们讨论共基极电路提高耐压，与OTL和1969真的有关系？难道楼主真的设计出共基极输出的OTL和1969？
BVcbo，定义是发射极开路，晶体管cb结可承受的最高反向电压。只看BVcbo指标，发射极就不能接入电路(或者接入电路后发射结反偏），在音频电路中也就没有任何意义

大孔景元

“3AD30C，BVcbo为70伏，而BVceo仅有24伏”，即使抛开BVceo、BVcbo的实际定义不谈，只讨论共基极下70伏和24伏这两个值，在bc极之间的电压为70v的情况下，能不能让ce极之间的电压不超24v？

bluethinkksj

网上找的截图。解释了集电结反向漏电流对耐压的影响。
原网址
http://www.diangon.com/wenku/rd/dianzi/201501/00017388.html
对于共基极电路，集电结反向漏电直接到地，无法注入发射结。所以耐压更高。

bluethinkksj

大孔景元 发表于 2017-2-25 02:48
“3AD30C，BVcbo为70伏，而BVceo仅有24伏”，即使抛开BVceo、BVcbo的实际定义不谈，只讨论共基极下70伏和24 ...

如果三极管干活，be结正偏，只有0.2伏，Vce约等于Vcb啊。

大孔景元

bluethinkksj 发表于 2017-2-25 03:23
如果三极管干活，be结正偏，只有0.2伏，Vce约等于Vcb啊。

虽然只有0.2V，但仍以3AD30C为例，集电极加上-75V，基极0V，发射极0.2V，集电极与发射极之间的电压就是75.2V，早已超过BVceo的24v，共基极又怎么能提高耐压呢？


在实际电路中，基极与发射极之间是偏置和激励信号，不管所接电阻是多大均不能按BVcer和BVces来看待，当偏置或激励信号使三极管导通时，所接电阻没有任何作用，此时三极管的耐压就是BVceo或更低，只有没有偏置没有激励或反向激励时才是真正的BVcer和BVces。

往事已去

大孔景元 发表于 2017-2-25 14:32
虽然只有0.2V，但仍以3AD30C为例，集电极加上-75V，基极0V，发射极0.2V，集电极与发射极之间的电压就是 ...

总算说明白了。

bluethinkksj

虽然只有0.2V，但仍以3AD30C为例，集电极加上-75V，基极0V，发射极0.2V，集电极与发射极之间的电压就是75.2V，早已超过BVceo的24v，共基极又怎么能提高耐压呢？

共基极连接时，集电结反向电流没有影响，所以耐压是高于共发射极电路的。

在实际电路中，基极与发射极之间是偏置和激励信号，不管所接电阻是多大均不能按BVcer和BVces来看待，当偏置或激励信号使三极管导通时，所接电阻没有任何作用，此时三极管的耐压就是BVceo或更低，只有没有偏置没有激励或反向激励时才是真正的BVcer和BVces。

三极管导通时，负载会造成三极管CE端压降，所以并不会击穿管子。

longshort

bluethinkksj 发表于 2017-2-25 23:10
虽然只有0.2V，但仍以3AD30C为例，集电极加上-75V，基极0V，发射极0.2V，集电极与发射极之间的电压就是75.2 ...

共基极连接时，集电结反向电流没有影响，所以耐压是高于共发射极电路的。

楼主别忘了，对交流信号是共基连接，但对直流来说，并不存在“共基”的说法，因为在基极还必须给它加上偏压，以便使管子工作在特定的工作点上。这样一来，C-E之间的耐压就和基极所接的下偏置电阻有关了，这时的Ice受偏置控制，BVce决不可能达到和BVcbo一样的程度。

bluethinkksj

longshort 发表于 2017-2-26 06:39
楼主别忘了，对交流信号是共基连接，但对直流来说，并不存在“共基”的说法，因为在基极还必须给它加上 ...

共基极偏置可以用一个稳压管接到基极和地之间。相当于稳压管是下偏置电阻。由于稳压管的动态电阻很小，可以很好的旁路集电结反向漏电流。
对于容阻偶合电路来说，共射放大是不能用稳压管做下偏置电阻的。

bluethinkksj

对于集电结漏电流对三极管耐压的影响可以用下面的电路图来说明
这个电路经常被用于作为可调稳压管，稳压值约等于0.7V*（R1+R2)/R2。
对于三极管的共发射极接法，R1就相当于集电结反向漏电流对应的电阻，R2就是发射结正向电阻。
如果外接一个电阻并联在R2两端，按照上面的公式，稳压值会上升。
如果漏电流较大，相当于R1较小，所以稳压值会降低。
锗管的漏电流较大，相当于一个较小的R1，而且漏电流受温度影响很大，高温时R1会变小。这就是为什么锗管功放容易烧管子的原因。
如果接成共基极电路，R1的作用相当于输出端口并联一个电阻，流经这个电阻的电流不会进入基极，直接到地了。所以R1的影响被排除。
这就是为什么共基极电路耐压更高的原因。

bluethinkksj

另外请大家注意共基极电路对频响的影响。共射极电路的频响只有2KHz左右，即使用标准的OTL（非变压器偶合）电路通过负反馈来拓展带宽，这也需要深度的大环路负反馈，是不利于功放保真度的。
而共基电路的频响能到100Khz, 不需要大环路负反馈来拓展带宽，有利于功放保真度的提高。同时也说明用大功率锗管做出高质量的音频功率放大器是可行的。

bluethinkksj

即使用输入变压器和很小的下偏置电阻来提高三极管的耐压到接近共基极耐压的水平，但是共射极放大的频响是无法改善的。这对于变压器偶合尤为不利。因为变压器偶合放大器无法施加深度的大环路负反馈来拓展频响宽度。