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楼主 |
发表于 2017-2-10 17:59:29
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本帖最后由 中国心 于 2017-2-10 18:14 编辑
你说地很对。
自己设计制作的电路会有不少问题，光倍频级就花了我一天时间，反复修改和焊接才到目前的样子。
第一，倍频信号波形的问题。BG3没有偏置，纯粹依靠2伏信号输入电压，克服1n4148和13001两级pn结1.2v的压降后，只剩下0.8v信号电压驱动导通。可以想见导通角很小，造成高次谐波分量高，是不利的。但有意利用13001的特征频率低的特点，输出波形还是很不错。下一级是MOSFET管2N60c其实只需要1v的信号电压就足以输出100ma的电流，3v的驱动电压让它工作在开关状态，不是线性放大故对驱动信号波形要求不严。
第二，BG3工作点的问题。你认为BG3是零偏置，实测基极直流电压为0.65v，这是低频管13001基区电容储存电荷多难释放造成的，已经是正偏置，故不再加有关偏置电路。两级直接耦合的低输入阻抗其实带来稳定问题，即输入信号电压幅度的变动会造成BG3电流的大变动，所以不得不在发射极串了20欧的电阻进行稳定。即便如此，实测BG3的电流会由刚工作时的10ma，5分钟后上升为15ma并稳定下来（可能是温度上升造成的），同时集电极输出信号电压也会随电流增大。
第三、功放级2N60c情况，在空载情况下因为2mH扼流圈10千欧阻抗的作用，耗电只有10ma。接入500欧负载，工作电流上升到100ma，基本不热，效率很高。减少负载电阻，工作电流可达到200ma以上，输出功率能达到10瓦以上，因散热片小，没有长时间测试。我在标题上标4瓦其实十分保守，因为再接下一级输出百瓦功率也不过需要1瓦驱动，4瓦已经超出我的意想了，我暂时不想搞百瓦功率。
四、改进计划。目前该倍频电路能满足需要，下步计划从次级绕组中心点给1N4148管加上0.8v的正偏置，同时适当减少次级绕组圈数降低信号电压，来增大导通角。在13001基极串入电阻，让驱动信号软一点，来稳定工作点。 |
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发表于 2017-2-9 08:04:09
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发表于 2017-2-21 19:04:56
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