场管检波双栅分接DS互换矿石收音机电路实践探索

gxg0000 · 发表于 2024-5-9 07:55:34

gxg0000 发表于 2024-5-9 07:44
GS短接，增强型MOS管，用万用表可以测出DS间寄生的二极管，
而且是个硅型的。耗尽型MOS管如3DQ，VGS=0v ...

如果耗尽型MOS管确定存在有个寄生硅二极管，对于100mV检波电压是检不出的，你是如何试验能检出信号的

爱鼓捣无线电 · 发表于 2024-5-9 09:07:25

gxg0000 发表于 2024-5-9 07:44
GS短接，增强型MOS管，用万用表可以测出DS间寄生的二极管，
而且是个硅型的。耗尽型MOS管如3DQ，VGS=0v ...

3xp 的2个栅极接在一起，用万用表电阻1k档,就可以测出d s 极是二极管特，性

爱鼓捣无线电 · 发表于 2024-5-9 09:09:02

gxg0000 发表于 2024-5-9 07:55
如果耗尽型MOS管确定存在有个寄生硅二极管，对于100mV检波电压是检不出的，你是如何试验能检出信号的

接在矿机上就可以检波了，d s极相当于二极管

gxg0000 · 发表于 2024-5-9 10:40:40

爱鼓捣无线电发表于 2024-5-9 09:07
3xp 的2个栅极接在一起，用万用表电阻1k档,就可以测出d s 极是二极管特，性

这应该是场管转移曲线特性，场管在可变电阻区，沟道电阻是非线性的，用万用表1K档、10K档或100K档，测出的电阻值都是不一样的，何况表棒反向。
矿机场管检波，保持栅压不压(等于0)，也能检出信号，就是利用场管在可变电阻区非线性特征而检波的，与开关检波相比效率不高。

爱鼓捣无线电 · 发表于 2024-5-9 12:19:22

gxg0000 发表于 2024-5-9 10:40
这应该是场管转移曲线特性，场管在可变电阻区，沟道电阻是非线性的，用万用表1K档、10K档或100K档，测出 ...

场管栅极悬空，相当于没有，d s 极相当于一个pn结，我这样理解对不对。

gxg0000 · 发表于 2024-5-9 13:51:39

栅极与衬底之间形成沟道，电流从DS极沟道中流过，衬底与D极有个寄生二极管，衬底与S极也有一个寄生二极管，一般衬底是与S极相连的，所以这个寄生二极管不起作用，早期也有衬底极单独引出的。
栅极悬空会引入静电的，G应与S极相连。
增強型MOS管，VGS=0V(GS短接)，场管是截止的，这样可以正确测量DS寄生二极管。
耗尽型MOS管GS极短接，场管是导通的，需要在VGS上加一定的负电压让场管载止，这样才能正确测量DS间寄生二极管。

gxg0000 · 发表于 2024-5-10 10:22:21

手上没有3DQ模型数据，暂用BF998替代，两者参数相近，区别在于BF998开启电压略低，约为-0.5V。

模拟仿真寄生二极管产生作用如下图
Image 1.png

栅极加-1V，让双栅MOS处于完全截止状态，绿线下方的曲线平头，为寄生二极管产生的负限幅，限幅值大于-0.5V，这明显是一个硅二极管，极其低的电压是不能检波的。
矿机检波线圈的电压不会超过0.5V的，可以完全不考虑寄生二极管的负面作用。
当然DS反接可以避开寄生二极管，两者输出有差别，这是另外一回事，暂且不说。

Jambalaya · 发表于 2024-5-10 10:41:22

楼主你画的矿机电路图，MOS D、S导通的话射频信号哪里来的，音频能量哪里来的？看着缺串联在DS回路的谐振或耦合绕组啊：

爱鼓捣无线电 · 发表于 2024-5-10 10:52:57

Jambalaya 发表于 2024-5-10 10:41
楼主你画的矿机电路图，MOS D、S导通的话射频信号哪里来的，音频能量哪里来的？看着缺串联在DS回路的谐振或 ...

我的图画的不规范，L2耦合L的能量。

Jambalaya · 发表于 2024-5-10 10:59:13

爱鼓捣无线电发表于 2024-5-10 10:52
我的图画的不规范，L2耦合L的能量。

哦，看明白了。

gxg0000 · 发表于 2024-5-10 11:05:40

检波线圈L2极性变换，输出影响大吗？

爱鼓捣无线电 · 发表于 2024-5-10 11:21:14

gxg0000 发表于 2024-5-10 11:05
检波线圈L2极性变换，输出影响大吗？

记得有影响的，

lengxinyu · 发表于 2024-5-16 16:58:01

重新分析了一下你的电路图，源极的电流来自于L2的感生电流，那么L2的相位应该跟L相差90度，作用在G1，G2还有D的电流同S极的电流相位差90度，你这个用相位差避开了二极管导通的负面影响

gxg0000 · 发表于 2024-5-19 10:15:01

爱鼓捣无线电发表于 2024-5-10 11:21
记得有影响的，

DS反接，与L2线圈同名端正反，确实对检波输出会有影响，折合到栅极的控制电压Vgs是区别的，具体多少有待分析。

1。你画的电路图： Vgs = LC谐振电压 - L2上的电压 + 耳机上的直流电压
2。你画的电路图L2方向：Vgs = LC谐振电压 + L2上的电压 - 耳机上的直流电压
3。传统DS不反接电路： Vgs = LC谐振电压

说明；上面提到的电压严格意义上讲应是矢量的。

gxg0000 · 发表于 2024-5-19 11:36:45

场管检波看看很简单的，仔细推敲后也挺复杂的，DS反接，耳机上的检波直流电压分量会改变栅极G的偏置电压，检波线圈L2正反接法，也会削弱或加强栅极的检波控制电压，问题变得复杂化。
3DQ传统接法电路（DS不接法），则要简单多了，栅极上的检波控制电压，就是等于LC上的谐振电压，与检波回路无关。

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