矿石收音机论坛

 找回密码
 加入会员

QQ登录

只需一步,快速开始

搜索
查看: 3715|回复: 14

老调重弹:场效应管检波公式的改进与拟合状态

[复制链接]
     
发表于 2022-10-5 19:28:18 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 暖风轻音 于 2022-10-5 20:43 编辑

这是很久以前干的活了,发上来仅供参考。
(注意,我这里使用了图床,更高清的图片可以通过每张图片下面的链接进入外面图床直接下载)


老调重弹:场效应管检波公式的改进与拟合状态

Old tune: improvement and fitting state of FET detection formula



0:选取本课题原因
1:仪器与材料介绍
2:测试电路图
3:测试
4:第一次尝试拟合
5:计算
6:再次拟合
7:总结
8:预示与指导
9:参考资料

[提前提醒]
本案例没有什么特别的发现,只是对现有进行了指正,以及对情况进行了讨论。
本测试和状态仅针对本次测试所用元器件,如果有不同的测试结果和意见,欢迎在评论区进行讨论和发表。




0:选取本课题原因:

手头有两只“YOKOGAWA”【横河】便携微安表,它们的灵敏度都是很不错的状态,精度也是可以让人相信的,他们不仅可以用于矿石收音机的DC输出电流测试,还可以玩一些更奇葩的东西,比如此例,一直想了解场效应管弱信号的测试,正好进行一下本次实验。



1:仪器与材料介绍:

第一只表是横河的3uA-100uA,他在3uA电流端子下的内直流阻抗为5100Ω,换言之,可以作为一个333K/V的15.3mV F.S.(满偏)的直流毫伏表。

第二只表是横河的5uA,虽然它的电流精度仍然可以令人满意,但是它的内阻已经偏差过大,这是由于其结构并不是通过精密电阻进行多端子分流的结构,所以内阻就是铜阻,而铜的温度系数和漂移是不令人满意的,所以我将此表只作为电流表来使用。

毫伏电压源:使用手机耳机3.5毫米孔配合软件来进行DAC控制输出

3DQ:购买的一只,焊接在一个转接板上,转接板使用0.8毫米的电解铜丝镀锡连接在仪表的接线柱上

有了这些材料,3DQ的比较小的信号状态就可以测试了。

更小的信号测试需要使用比较优秀的有源表,但是
1/纯属无趣而做,所以目前并没有一些高级的专门的弱信号测试仪器,而且这两个表也足够满意使用。
2/环境不够允许,在下面的案例中我将会讨论这个问题。



2:测试电路图:

如下

Screenshot_20221005_172656_com.kruegersystems.circuitdroid_edit_128866001112625.jpg
https://s1.ax1x.com/2022/10/05/xlqRX9.jpg

本电路图结构选用了《古典矿石机欣赏和现代矿石机制作》里面许剑伟先生的测试思路,即:

1:对于这种fT很高的器件,直流信号可以代替在中波的信号。
2:“在Vds<40mV时,有:I=β(Vgs+Vth)Vds”
    I: 漏-源电流
   Vgs: 栅极对源极电压
   Vds: 漏极对源极电压

当然,由于仪表受限,所以这里D极和G极是直接接一块的,有

Vds=Vgs,I=β(Vds+Vth)Vds

方便了测试。

Vgs可以通过读取3uA表的示数得出
I可以通过读取5uA表的示数减3uA表的示数得出
(由于栅极绝缘性很高,所以栅极电流不考虑,所有电流均为漏极到源极的电流)

由于测试可以具有双向性,在测试负栅压信号时,只需如图处理即可:

Screenshot_20221005_173839_com.kruegersystems.circuitdroid_edit_129889163867678.jpg
https://s1.ax1x.com/2022/10/05/xlLP1g.jpg



3:测试:

如下图

70f79a58b266c314.jpg
https://s1.ax1x.com/2022/10/05/xljn4P.jpg

测试过程,实际上这个测试电路是有一点问题的,因为3 DQ的零点阻抗并不高,结果就导致3uA表形成被部分短路,这种高灵敏度的表本身就像老太监一样慢,给部分短路之后动的就更慢,当然可以通过改进本电路来解决。如果您使用有源表,那么这些问题将可以得到极大的改善。

最终测试的值如下图:

Screenshot_20221005_174717.jpg
https://s1.ax1x.com/2022/10/05/xlLeA0.jpg

我们可以像许先生一样,取3-4个值就可以获得一个不错的结果,但是测试总是有误差的,所以我这里决定使用

实测数据统计--公式计算参数--公式再次拟合实测数据

的思路去获得一些比较好的结果。



4:第一次尝试拟合:

使用公式计算参数问题还是不大的,和许先生一样,都获得了当时感觉“偏差不大”的结果(但是此时已经偏差很大了),然后在二次拟合的时候发现了一个很严重的问题:

使用许剑伟先生的公式去估计,结果公式估计画出的图的曲率远远比测试的要更弯曲,也就是这个公式拟合的虚拟管子平方律检波效率要远高于实测数据,(此时我并没有一些比较好的书籍,不知道这是为什么)。

但是由于我有一些电路模拟软件,这些软件可能会内置一些比较好的函数来模拟实际器件,我用我的电路模拟软件去模拟,结果拟合程度比许先生的公式还要好(哈哈),结合电路模拟软件的模拟结果和制造公差,我得出了这样一种推论:

由于场效应管可以视作是一种压控变阻器件,那么很明显,从漏极到源极上的电压是在一个电阻体上进行电位梯度变化的,而场效应管的栅极是一个平面去控制这整段电阻体,所以控制的效果最具有代表性的可能是源极到漏极的电压梯度的中间值。

所以在当时的条件下,通过总结和大胆猜想,推出了这样的一个公式:

在小信号下有:

I=(Vgs+Vth-Vds/2)Vds

当然,这就是大名鼎鼎的萨氏公式。

如果想了解其具体物理推导,可以参考《微电子器件》(陈星弼,张庆中)

小信号下它模拟得很精确,以至于我的电路模拟软件使用的就是这一公式。

但是如果Vds很高,那么很明显,控制区域将不能视为一个均质电阻体,因为栅极的电压和源极的电压梯度决定了这个电阻体上某个点控制的导通带的电场强度,而电场强度控制导通带的形状,导通带的形状又会重新塑造电阻的形状以重新分布电压梯度,所以产生的电阻和电流会有明显较高的高次项,萨氏公式将会与实际偏差。

但是由于【喜闻乐见】(其实可以说是歪打正着)我这里测试的时候Vth+Vgs=Vth+Vds远大于Vds(大约最高测试信号的时候都保持着7~8倍),所以电场的分布还算均匀,萨氏公式还是比较精确的。



5:计算:

把我们对这个公式进行推导,那么又有:

While Vds<10mV:
I=β(Vth+Vgs-Vds/2)Vds
Vgs=Vds
g=β*Vth+β*Vgs/2(这里很明显,电压随电导是一次的关系)
g'=β/2,   β=2g'

可以看见可以实现线性回归来计算β/Vth值。

线性回归可以综合离散值和偏差值,并且可以有效利用所有的测试数据,可以让我们获得更精确的结果。

使用excel以及线性回归公式进行线性回归,表格如图:

Screenshot_20221005_182351_cn.wps.moffice_eng_edit_132286262446999.jpg
https://s1.ax1x.com/2022/10/05/xlXies.jpg

当我们对线性回归的电导值进行绘图观察时,有图如下:

Screenshot_20221005_182726.jpg
https://s1.ax1x.com/2022/10/05/xlXZWT.jpg

我们可以观察到,由于这个图的中心测试值是0mV,而这个值由于无法测试,我选用的是-1.02mV和+1.02mV的简单算术平均值。

我们可以观察到随着测试负电压的绝对值增大和正电压的绝对值增大,测量结果趋于稳定,而接近0mV的时候,由于表的系统误差,读数误差和测试源的噪声带来的不应该具有的检波电位误差,误差开始变得逐渐变大,理论上应该在0mV附近达到无穷的误差(但是由于我这里使用的周围两个电压的算术平均值,所以它并没有显示出这样的效果)

那么我们可以得到这个管子的最终测试值:

零栅压D-S电阻:

2528.72Ω

截断电压Vth=59.9mV

β=0.0066




6:二次拟合:

我们使用这个结果去重新拟合原来的参数:

Screenshot_20221005_183639_cn.wps.moffice_eng_edit_133058553186465.jpg
https://s1.ax1x.com/2022/10/05/xlX00A.jpg

这张图从左到右,则:

第一条的蓝色线是简单的一次线性拟合,换言之换一个2528.72欧姆的电阻测试就可以得到这样的结果,但是很明显,一个电阻是不能检波的,因为它是一个线性器件。

左侧第二条的橙红色线是实测值,可以看到他有不很明显的弯曲,这是非线性的标志,也是检波的重要之处。

从左数起第三四条两条线是重合的,上面黄色的线就是预测值,第五六两条线也是重合的,但是五,六两条线只是简单的算数平均值求电导而得的结果,它和实际测量的方差值大于线性回归的结果,所以我这里只给出线性回归的结果。



7:总结:

那么很明显,许先生的公式缺少了一项,这里我们的工作是将许先生的公式进行了补全,它将可以进行更好的拟合,同时也解释了检波的一些基础原理,对于自身的理解也进行了更加扎实的把握。



8:预示与指导:

1/如果我们想要测试更低的信号时场效应管的状态,首先需要更精密的仪表设备,还需要更精密的电压源和治具。

我测试的电压源是通过手机耳机里面的DAC模块,通过软件控制直接合成直流电压值输出,虽然他的绝对精度不高,但是他的短期稳定性足够进行此类测量(长期稳定性依靠两只仪表来确定)。

测试的时候手机严禁充电(周围环境也尽量避免充电器的存在),因为充电会直接导入高频变压器的残余电压和交流50赫兹,这些电压将会串入测试的直流电压源,这会导致3DQ进入检波状态,出现一些极其不正常的测试情况,比如两个表偏转方向相反。

2/这里引入一个问题:我没有这样的仪器,与我也不想费这样的功夫,我要的只不过是一个好的检波器件,那么我应该如何去挑选?

由于这样的测试必然是小信号的状态,而实际上工艺和误差只会让这转移曲线进行左移或右移(当然在我的拟合图上就是绕着原点进行旋转压缩变形),所以你愿意进行这样大费周章的测试去确定一个参数,那么自然是有价值的,但是如果不愿意的话,简单的用万用表测试一下电导也具有定性的测试乐趣。

实际上,还得是上机,哪个声音大就用哪个,呵呵



9:参考资料:

《经典矿石收音机欣赏与现代矿石收音机制作》(徐蜀 著)
《微电子器件》(陈星弼,张庆中著)
《场效应管的小信号模型》pdf 原创力文档

补充内容 (2022-10-5 23:23):
补遗:
1:本次测试使用完整的萨氏公式,拟合效果好。
2:对于矿机检波输出效率,我们可以使用许先生的公式结构去继续进行推导。结果上是会令人兴奋的,场效应管公式不会是A/0.126,而是一个更大的值,但是结构复杂。

评分

4

查看全部评分

     
发表于 2022-10-6 08:45:35 来自手机 | 显示全部楼层
很好的尝试,更能反映场管转移特性的等效模型,这是检波原理所必须的,填补矿坛的空白,楼主辛苦了

评分

1

查看全部评分

回复 支持 1 反对 0

使用道具 举报

     
发表于 2022-10-5 21:57:23 来自手机 | 显示全部楼层
好文章!请问高手能把《古典矿石机欣赏和现代矿石机制作》里关键页面拍个图片吗?尽管许老师就在本坛,但好像很久没关注矿石收音机了。
另外,如果只是想对买到的若干个场管检波性能做下比较排序,万用表能胜任吗?
谢谢!
回复 支持 反对

使用道具 举报

     
 楼主| 发表于 2022-10-5 22:08:07 | 显示全部楼层
18038003904 发表于 2022-10-5 21:57
好文章!请问高手能把《古典矿石机欣赏和现代矿石机制作》里关键页面拍个图片吗?尽管许老师就在本坛,但好 ...

这位朋友你好,感谢您对本文章的热心阅读和补充指正!

这本书我只有电子版,您可以通过百度阅读进行观看,我对其中的第一页关键页进行摘取,在测试篇第260/511页。
Screenshot_20221005_220317_com.baidu.yuedu.jpg

第二个问题就是万用表测试,这里我可以告诉您万用表测试是可以定性的,您可以多筛选一批同型号管子,并且在矿石收音机上测试最好的一只,然后再拿下来使用您的万用表进行测量,记录下环境温度和测试值,这就可以作为一个参考。
也就是可以排除万用表的因素,只要选用的【本型号】管子,万用表测试在这个值上,那么基本就是灵敏的。

再次感谢您的参与!
回复 支持 反对

使用道具 举报

     
 楼主| 发表于 2022-10-6 00:05:58 | 显示全部楼层
本帖最后由 暖风轻音 于 2022-10-6 00:11 编辑

关于后期场效应管检波效率公式A/0.126和二极管检波公式A/0.104:

很多朋友在这个公式上折弯了腰,认为场效应管天生比理想二极管低一头,但是事实上经过推导,匹配关系是有改变的,0.126会变得更小,至少在我的实验组上,他肯定会<0.12(因为就算在检波效率里不计入萨氏的二次项,本身Vth=59.9,也足够意味着<0.12,如果要统计进入完整的萨氏方程,那么会更小)。

当然具体是多少,极限的理论又是多少,可以做到A/0.104吗?这就又是一个坑了。
回复 支持 反对

使用道具 举报

     
发表于 2022-10-6 08:57:16 | 显示全部楼层
进一步完善了场管的特性

评分

1

查看全部评分

回复 支持 反对

使用道具 举报

     
 楼主| 发表于 2022-10-6 12:25:47 | 显示全部楼层
本帖最后由 暖风轻音 于 2022-10-6 12:28 编辑

IMG_20221006_121621_edit_172643755543445.jpg
计算方法参考原有公式
不同之处在于本次设置的从接地点到G极线圈热端参考电压为kAsinx,S线圈参考电压为-Asinx。

全新的计算项和传统的计算项相比,多出了一个0.5/2Vth和Vdc^2/2Vth。

由于平方律检波直流输出极小,所以Vdc^2/2占比极小,可以省去。

而多出的这个0.5是很有关系的,这可能代表检波效率还可以再摸索,变换效率等于(A(1+0.5/k))/0.1198,明显小于书上的公式A/0.1260(k为G线圈和S线圈的比例)。
回复 支持 反对

使用道具 举报

     
发表于 2022-10-7 19:21:12 | 显示全部楼层
楼主知识丰富,根据已有的经验,能否提供场管转移特性的数学模型?微变等效公式已做线性化处理,场管转移特性曲线底部是弯曲的,显然是不行的
回复 支持 反对

使用道具 举报

     
 楼主| 发表于 2022-10-8 00:07:52 来自手机 | 显示全部楼层
本帖最后由 暖风轻音 于 2022-10-8 00:48 编辑
gxg0000 发表于 2022-10-7 19:21
楼主知识丰富,根据已有的经验,能否提供场管转移特性的数学模型?微变等效公式已做线性化处理,场管转移特 ...


0:三端口的MOSFET目前【没有简易的微变等效公式】(毕竟现在没有人把三端口的MOS接成两端口器件用,萨氏方程可以说是最经典的和最简单的转移公式)。

1:并没有做线性化处理,这个公式只是证明了在Vds电压【明显低于】|Vth+Vgs|的萨氏方程在微信号上的特性,凭借此公式可以轻易得出各类弱信号下需要的转移特性。

2:在本例中线性化处理的是电导,电导是随着的激励电压Vgs呈现一次变化的(本关系要成立的前提是必须要满足前面的条件关系)

3:本公式为场效应管重要公式,第一提出者萨之唐先生也是微电子学的宗师级人物,自创立伊始已历经实践的检验,并且被国内外众多教科书使用。

拟合精度极高,并且对【矿机应用的环境计算的直流输出项】也是对许先生的结果做出了改进,可以查看本贴后续增补项。

4:大激励电压:

|Vgs+Vth|>>Vds在全相位不满足时

输出特性不做保证,原因已在主文中进行了阐明,高次项的求解极其复杂,这个大信号的公式在我介绍的书籍里也是有的,只能说在大激励电压的时候从平方律检波开始转向线性检波(在实际应用中这个值大约是栅极激励电压55-58毫伏,输出数pW级)。

5:高电压测试和低压微功率测试结果不同,就是因为第四点的关系不成立,此时可以使用含有高次项的函数去拟合,但是太过麻烦,本人对此掌握不精。

在实际工程应用中,高电压测试(也就是有源使用)多数是实测值。我这个帖子实验已经一年多了,最近想到才发出来,高电压测试可以参考3 SK143系列的技术手册。




您的观察之所以显示有线性的错觉,那是因为

1:   测试的电压极小,16组测试结果测试电压范围不过是是-0.00816~+0.00816 V,测试的整个电压区间不过是多数从前测试的数伏特的几百分之一。

如果测试的电压更小,弯曲量会更少,因为电导的变化更小,这也是为什么需要更高精度的设备的原因(如果各种设备精度不够,任何机会的测试误差和错误对于测量结果都是致命的)

在最后的拟合图里面沿着曲线斜着看是可以看到一点点弯曲的,就像看一条铁路的弯曲,必须要顺着铁轨去看。

就是那一点点的弯曲,就是平方律检波的根本所在(拟合图上的最左侧的的那个线性拟合才是真正的一点弯曲都没有,那代表了一个纯电阻代替场效应管的栅-漏接在上面的转移特性)

2:测试的小信号是【真正的小信号】,基本满足萨式方程的所有规范条件,萨氏方程在矿机应用中并不是一个线性方程。我通过许先生后期的检波输出方程重新带入新公式去验证,结果也确实如此。



欢迎继续提出疑问和改进意见!
回复 支持 反对

使用道具 举报

     
发表于 2022-10-8 12:20:11 | 显示全部楼层
谢谢你的回答,我的本意是想知道Id与Vgs之间的关系,公式里没有第三者变量,或容许变量设定为常数。
回复 支持 反对

使用道具 举报

     
 楼主| 发表于 2022-10-8 12:29:37 | 显示全部楼层
本帖最后由 暖风轻音 于 2022-10-8 12:31 编辑
gxg0000 发表于 2022-10-8 12:20
谢谢你的回答,我的本意是想知道Id与Vgs之间的关系,公式里没有第三者变量,或容许变量设定为常数。


Ids
=β(Vgs+Vth-Vds/2)Vds
=βVgsVds+βVthVds-βVds^2/2

公式中的各项分别为:

Ids : 在某时刻t时漏极至源极电流

Vgs: 同上时刻t时栅极对源极电位

Vds: 同上时刻t时漏极对源极电位

Vth: 特征夹断电压,类似于二极管的uT,【可能】是一个常数,但是对于一个固定的器件来说,它是一个固定的数字,在本次测试中,它的值约为59.9mV。
β:和半导体的本身特征,制造尺寸,掺杂等特性均有关系。对于一个固定的器件来说,它是一个固定的数字。在本次测试中,它的值约为0.0066。

β*Vth:对于一个固定的器件而言是一个固定的数字,它代表了零点的电导。

在本次测试中,它的倒数也是一个常数大约为2528.72欧姆,这就是零点D-S电阻(可以视为类似Rd),它影响着匹配的S线圈圈数(在统计中,这个线圈圈数在3DQ时通常为3到4圈)

评分

1

查看全部评分

回复 支持 反对

使用道具 举报

     
发表于 2022-10-8 14:32:07 | 显示全部楼层
暖风轻音 发表于 2022-10-8 12:29
Ids
=β(Vgs+Vth-Vds/2)Vds
=βVgsVds+βVthVds-βVds^2/2

能测量出场管的Rd非常好,这很重要

我还是看不出萨氏公式,取Vds定值,转移特性是非线性的
sss.png

这是以前矿坛大佬测试的转移特性曲线,底部明显弯曲。
Image 39.png



回复 支持 反对

使用道具 举报

     
 楼主| 发表于 2022-10-8 16:18:15 | 显示全部楼层
本帖最后由 暖风轻音 于 2022-10-8 16:44 编辑
gxg0000 发表于 2022-10-8 14:32
能测量出场管的Rd非常好,这很重要

我还是看不出萨氏公式,取Vds定值,转移特性是非线性的
...


原因已经说明了,第一是电导的原因,我想已经不用再叙述,他确实是线性的关系,但是这会和第二点有关。

第二是李清先生(现在的版主lq19512003) 测试的Vds严重不满足萨式公式(这一点我也已经在原帖中叙述阐明了萨氏公式应用的条件),当然不可以用萨式公式。

在任一时刻,均有条件|Vth+Vgs|>>Vds时,萨氏方程才会成立

(在我的实验中他们的关系至少保持了6.34倍以上(59.9-8.16)/8.16=6.34,最大则是60倍左右)

因为差不多满足了这个条件,所以萨氏方程成立。

当您继续观察我的曲线拟合的时候,可以发现正电压和负电压两端是并不完全拟合的,因为我的电压两端并没有做到真正的远大于(>>)条件,所以在两端只有6.34-8倍的情况下,已经与萨氏方程预测产生了偏离,而这也是在微电子器件中所叙述完成的,这就是高次项的力量

而矿坛李清先生的叙述我已经阐明了。他的恒定Vds使用的不是小电压,所以他的测试|Vth+Vgs|>>Vds严重不满足,自然会引入占比极高的高次项,曲线自然就不奇怪了。

但是矿机内部的Vds是恒定而且很大的吗?

并不是,他是和激励信号没有相位差或者相位差正好180度的,所以在激励G-S电压的峰值明显小于Vth的情况下,萨氏方程是满足的。

而Vgs电压峰值开始不明显小于Vth时,萨氏方程开始不满足。

例如:

如果Vgs的Vpeak=59.8mV时,栅极线圈45圈,源极线圈3圈,那么在Vgs的相位最低点时:
|Vgs+Vth|=|-59.8+59.9|=0.1mV  
Vds=59.8/45*3=3.99mV

这个时候萨式方程条件|Vth+Vgs|>>Vds明显不满足,低端阻抗明显变大,负电流开始减小,检波效率开始上升,从以萨氏方程占主导的平方率检波开始转向线性检波。

各种测试仅供参考,要先知条件,再得结论。

补充:非饱和区测试精密电流拟合方程(只要不是饱和区就可以,萨氏方程的条件可以不用管)
Screenshot_20221008_162638_cn.wps.moffice_eng_edit_301745845036767.jpg

又有简化之方程
Screenshot_20221008_163403.jpg

在正文里,我也叙述了我为什么没用这两个,第一是这组方程的所有参数根本无法通过本次测试测试出来,第二是在本次测试的情况下后面的级数都可以算作小量,小信号(就是要满足前面的远大于条件)萨氏方程严格遵守本精密方程。

欢迎继续探讨!

评分

1

查看全部评分

回复 支持 反对

使用道具 举报

     
发表于 2022-10-8 16:36:31 | 显示全部楼层
暖风轻音 发表于 2022-10-8 16:18
原因已经说明了,第一是电导的原因,我想已经不用再叙述,他确实是线性的关系,但是这会和第二点有关。 ...

谢谢你的解答
回复 支持 反对

使用道具 举报

     
 楼主| 发表于 2024-8-26 01:00:51 | 显示全部楼层
本帖最后由 暖风轻音 于 2024-8-26 01:04 编辑

Screenshot_20240821_003316_com.microsoft.emmx.jpg
最近在浏览MOSFET的相关文章时,有相关人员提出了MOS的体效应,也就是当源电压显著高于衬底时,空穴会被吸引到衬底,导致实际可用载流子变少,等效Vth升高--此效应并不对本文结论产生显著差异影响,因为本文的管型和应用场景两者都没有这个问题。但是此效应可能会在实践过程中对于其他场效应管应用产生其他影响,放在这里作为其他相关参考(这个拓展也对应于场效应管精密公式里面的计算项。有兴趣的人可以自行研究)。
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 加入会员

本版积分规则

小黑屋|手机版|矿石收音机 ( 蒙ICP备05000029号-1 )

蒙公网安备 15040402000005号

GMT+8, 2025-4-28 06:01

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2023 Discuz! Team.

快速回复 返回顶部 返回列表