SiC可靠关断需要栅极驱动必须是负压吗？
和常规的MOS管比较，有人说SiC可靠关断需要栅极驱动必须是负压，这说法正确吗？ 不是必须的，一些场合使用0V也可以。使用负压关断的原因：
最重要的是，负压可以降低误导通的发生（碳化硅开关速度较快，开启电压较低，容易由寄生电容引起误导通），尤其是dV/dt比较高的应用场合，半桥比较危险（共通），反激则危险性不大（仅仅效率损失）。
负压有助于Eoff的降低，因为开启电压较低，0V驱动会拉长关断时间，导致Eoff增加。
本帖最后由 luosifu 于 2024-7-16 08:37 编辑
要看具体器件的具体数据。
负电压可以加快栅极电荷释放，提高关断速度，对于速度不高的应用，不需要加负电压。
另外，要看栅极开启电压，如果栅极开启电压底，那么它在干扰较大的环境中就有可能被干扰误动作，这时如果关断信号使用负电压，就可以提高抗干扰性。
跟卖碳化硅的人聊过，SiC驱动的要求是+18V,-5V。这个-5V是必须的。 会看手册数据就不会被忽悠，
例如2楼图片就写了Vgs=0下的id，基本几uA就可以认为是关断。 漏电流Id最大200uA，能算在可靠关断范围内不？ 本帖最后由 一驾 于 2024-7-22 21:21 编辑
CXFLBH 发表于 2024-7-16 08:23
跟卖碳化硅的人聊过，SiC驱动的要求是+18V,-5V。这个-5V是必须的。
可有18V/-5V的脉冲驱动电路？另外，18V已经快接近Vgs的极限电压20V了，为什么一定要18V，小一些不更好吗？ 一驾 发表于 2024-7-22 21:19
可有18V/-5V的脉冲驱动电路？另外，18V已经快接近Vgs的极限电压20V了，为什么一定要18V，小一些不更好 ...
普通的MOS是15V,碳化硅比较特殊，就是18V。另外极限电压不是20V是+22-8V。
你这个器件比较特殊，国产的我看过基本上都是20V/-5V是极限值 以前OBC上流行的NTW080N12SC1的极限值也是20V 一驾 发表于 2024-7-23 08:44
你这个器件比较特殊，国产的我看过基本上都是20V/-5V是极限值
应该不算特殊了，问过几家供应商都是同样的答复。1200V也是同样的要求。碳化硅驱动比较难做，毕竟要到1M左右的频率。如果100K以内就用不上碳化硅了。 我见过几十KHz的PWM信号驱动SiC的，OBC里的PFC和LLC都用的SiC，也都没超过1MHz吧 一驾 发表于 2024-7-23 09:13
我见过几十KHz的PWM信号驱动SiC的，OBC里的PFC和LLC都用的SiC，也都没超过1MHz吧
几十K你要碳化硅做什么？那不是用大炮打蚊子，IGBT足够了。除非你想减小散热片做小体积，那就不如用氮化镓了。话说回来就算做小体积你也要用1M高频才能减小变压器的体积。
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