这个source电流源的输出电路，这么做是为了啥目的？
本帖最后由 量子隧道 于 2024-4-5 11:15 编辑偶然在你的管上看到了这个电流源的分析电路。好像和以前在坛子里看到的washu的一个电流源电路类似。
其他地方都很容易懂，就是不知道输出电路红圈里那一堆级联晶体管是为了干啥。从连接方式上看和提高耐压有关。但是为啥要串一个这种电路？
输出部分单独来一张：
保护电路, 大概可耐1000V电压. 防止电阻挡测量电压. 见过用在音频输出上的，主要是静音时可以完全断开不会有声音漏过来。但电源上看不太懂了。 jforu 发表于 2024-4-5 11:21
保护电路, 大概可耐1000V电压. 防止电阻挡测量电压.
多谢回复。从电路原理上分析，感觉耐1000V电压的话，1000V是平均分给了4个管，而不是8个。电流的主体还是通过上边4个管流动的。
那么，做上下两层晶体管的目的是什么呢？这么做是否就可以同时做到了“达林顿结构”和“均分耐压”？ 本帖最后由 jforu 于 2024-4-5 14:20 编辑
一个方向, 是靠CR202.
如果是另一个方向,是靠三极管的BVCBO, 主要是上面4个, 下面是正常偏置电路.有时间可以仿真一下. 串叠bjt是提高耐压，接成达林顿是减少Ib引致的电流误差（降为原来的beta之一）。 本帖最后由 luosifu 于 2024-4-5 18:38 编辑
这个好像是惠普某个仪表的电路，我也没看懂。 本帖最后由 量子隧道 于 2024-4-5 19:44 编辑
luosifu 发表于 2024-4-5 18:37
这个好像是惠普某个仪表的电路，我也没看懂。
大致想通了。最右边二极管是防止正高压窜入电流源的。级联达林顿是为了防止负高压窜入的。靠级联晶体管的耐压。负电压加入时，会有一个微弱电流通过四个串联190k电阻分压，给4个晶体管匀压。电流主体还是通过两级达林顿放大，让最上边4个晶体管承担的。那么问题是，如何自适应电流大小和负压高低？在某个特定负压下，流过四个电阻，也即第一个晶体管基极的电流是正比于这个负压的，是与负压大小相关的确定值，必须让晶体管负担剩下的大部分电流。但是晶体管的电流放大系数不能跟随调节，不能指望电阻电流被晶体管倍乘后恰好负担剩下的大部分电流。奥妙在左下角的JFET。在负压下，多余的电流被JFET导走，不需让电阻电流改变即可改变晶体管基极电流而给予恰到好处的偏置，使得晶体管刚好通过电流源输出的电流。同时JFET的钳位保证电流源不会承受负压，只让那几个电阻和晶体管的电压跟着负压涨缩。 量子隧道 发表于 2024-4-5 19:13
大致想通了。最右边二极管是防止正高压窜入电流源的。级联达林顿是为了防止负高压窜入的。靠级联晶体管 ...
是的，很多人以为是防高压的，其实是防高负压的，在输出端加上-1000V电压后，这个电压会被几个晶体管均分，因此电流源的输出端就不会呈现高负压，如果三极管的耐压足够高，可以减少三极管的数量，正高压是靠那个二极管来隔离的，那个二极管用反向耐压超过1000V的即可，没有的话用两个1N4007也行 本帖最后由 joywyc 于 2024-4-5 21:35 编辑
量子隧道 发表于 2024-4-5 19:13
大致想通了。最右边二极管是防止正高压窜入电流源的。级联达林顿是为了防止负高压窜入的。靠级联晶体管 ...
这个电路的关键，还不仅仅是为了防高压电回串，还具有对地漏电流极小（一般不超过几十nA水平）的功能，因此可以确保用于测量电阻的恒流源精度及温度稳定性！该电路关键之处，在于JFET管的应用！
1. 在防高电压回串时：
a. 当正高压被误加入时，输出串联二极管反接，可以防止正高压的串入！
b. 当负高压被误加入时，输出串联二极管正接而不起保护作用，通过三极管基极分压串联电阻加给JFET管的S、D极与G极间的电压为正偏压状态，JFET管相当于一个导通的二极管，再加上二个功率管的B、E结串联二极管压降，可以确保恒流源内部输出点（恒流源JFET管的S极），不会超过二个二极管正向压降减去JFET正向压降的值（解释见图）！
2. 在正常状态下作为测量电阻的恒流源输出时：JFET管的S、D极与G极间处于反偏压状态，因此只有JFET管G极漏电流起分流作用，而一般好的JFET管G极漏电流不会超过几十nA量级！所以，可以确保精密恒流源的高精度和高稳定性！
joywyc 发表于 2024-4-5 20:59
这个电路的关键，还不仅仅是为了防高压电回串，还具有对地漏电流极小（一般不超过几十nA水平）的功能，因 ...
对地漏电小那是自然的。不加负压时，左下角那个jfet截止，栅极只会有极小的漏电。 luosifu 发表于 2024-4-5 18:37
这个好像是惠普某个仪表的电路，我也没看懂。
必须是大名鼎鼎流毒甚广的 34401A :lol 量子隧道 发表于 2024-4-5 21:11
对地漏电小那是自然的。不加负压时，左下角那个jfet截止，栅极只会有极小的漏电。
并非是自然的，而是有意为之选JFET的！如果，你选用普通二极管试试，其高精度和稳定性就会大相径庭了！而且，也并非随便什么JFET都能胜任的，而是经过精挑细选的结果。 joywyc 发表于 2024-4-5 21:30
并非是自然的，而是有意为之选JFET的！如果，你选用普通二极管试试，其高精度和稳定性就会大相径庭了！而 ...
我没法试。我没有这个表。总不能为了试去专门买个这表吧，哈哈哈
我要是有这个表，倒是想把JFET换成反向漏电小的二极管试一下行不行。 量子隧道 发表于 2024-4-5 21:40
我没法试。我没有这个表。总不能为了试去专门买个这表吧，哈哈哈
我要是有这个表，倒是想把JFET换成反向 ...
换二极管，根本就不可能实现高精度和稳定性要求！所以，我上面说的是分析技巧，而不是泛泛而谈。看电路是看他的精髓和要害，否则就是抓瞎、不得要领啊。
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