G4-AAA 发表于 2012-12-8 19:10:00

每看楼主的帖子都很过瘾。详尽、严谨、玩得专业!

lq19512003 发表于 2012-12-8 19:25:45

本帖最后由 lq19512003 于 2012-12-8 19:28 编辑

G4-AAA 发表于 2012-12-8 19:10 static/image/common/back.gif
每看楼主的帖子都很过瘾。详尽、严谨、玩得专业!

您过奖了!这是一年多以前做的一次实验,如果您有兴趣就一起玩吧!:handshake :lol

G4-AAA 发表于 2012-12-8 23:37:46

感谢楼主热情相邀。咱恰在同城,得机会一定拜访、学习。

回到童年 发表于 2013-6-20 15:03:36

顶起来。。。。。。

lq19512003 发表于 2014-1-12 22:23:47

顶起来看看。

superbrother 发表于 2014-2-22 04:29:05

这个好帖,要收藏。

L.D.XIONG 发表于 2014-10-22 05:07:33

再顶!:victory:

lq19512003 发表于 2014-10-22 23:17:13

这次实验得到的结论是:输出阻抗基本上与管子关系不大,但是与L1 L2之间的耦合程度有较大的关系,耦合越强输出阻抗越高,反之越低。

et23v 发表于 2015-1-29 15:29:09

调整L2距离和匝数匹配中低阻耳机取消变压器带来的变损。:lol:victory:

lq19512003 发表于 2015-1-29 22:28:05

et23v 发表于 2015-1-29 15:29 static/image/common/back.gif
调整L2距离和匝数匹配中低阻耳机取消变压器带来的变损。

是的。   :lol

et23v 发表于 2015-1-29 22:55:15

lq19512003 发表于 2015-1-29 22:28 static/image/common/back.gif
是的。

搞科研不要说一半不说一半,遇着我这些''半桶水"的就麻烦了。:lol :handshake

386386 发表于 2015-4-26 21:42:50

好贴顶起来!:victory:

xuliya 发表于 2016-4-29 16:01:06

这寞好的帖子必须支持.

lq19512003 发表于 2016-6-5 11:22:31

时间过得真快!这是五年前的帖子,转眼之间已经过去五年了。:L

gxg0000 发表于 2016-6-5 13:02:00

楼主能否帮释疑一下,3sk143族线图(ID-VDS)在VDS电压<4V区域,沟道电阻是可变电阻区,而做出实验输出阻抗基本在1k上下,如测试信号加强输出阻抗是否发生变化?谢谢
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查看完整版本: 3DQ型双栅MOS管矿机输出阻抗的测试