刚才，设计了这个场效应管中频放大器

ace919

感觉很不错的设计，很值得试验！
若前面变频级输出阻抗很小，比如50欧姆，也许0.01uf的C2是合理的。但T5的输入阻抗并不低，感觉0.01uf的C22就大了点。当然都是感觉，具体数值并没有计算或仿真过。

高频部分建议独立本振，带微幅。变频用双JFET平衡混频，或JFET（或2SK241等这类FET管）高放+二极管环混

longshort

C1处的阻抗大体上是整个LC回路谐振阻抗的C2/C1倍，若谐振阻抗为20K，则输入端的阻抗在1K左右。1K的阻抗通常适合于首级晶体管中周的次级阻抗，在这里是合适的。

C1并非简单地会旁路输入信号，它与C2串联后和L共同形成谐振回路，C1与C2的结点是谐振回路的抽头或低阻抗引出点，所以它不能简单地用容抗来计算输入对地电阻。

乙猪

求知无足 发表于 2016-11-15 16:32
老板主开玩笑啊！要我帮忙？你是不动手，一动手定是大手笔！

要的，要的。

求知无足

园丁 发表于 2016-11-15 16:14
1。如果把R2和R12更换成毫亨级别的电感，效果会不会好一点呢？
2。如果T1和T3用3DJ6，T2和T4用3DJ7，不知 ...

1。如果把R2和R12更换成毫亨级别的电感，效果会不会好一点呢？
这样，那真是太好了。换成电感后，滤波效果好，也没有直流压降。是个更好的设计。

园丁

求知无足 发表于 2016-11-15 18:27
1。如果把R2和R12更换成毫亨级别的电感，效果会不会好一点呢？
这样，那真是太好了。换成电感后，滤波效 ...

谢谢【求知】朋友的回复与认可。  

求知无足

园丁 发表于 2016-11-15 16:14
1。如果把R2和R12更换成毫亨级别的电感，效果会不会好一点呢？
2。如果T1和T3用3DJ6，T2和T4用3DJ7，不知 ...

2。如果T1和T3用3DJ6，T2和T4用3DJ7，不知道行不行，效果如何？望老师们指点，谢谢。
这样的更换，可行。
但最好都用3DJ7，这种管子的互导比3DJ6的更大些，能保证需要的增益。
我做过实验的。这种级联放大器，放大能力强的，最好用作前面的那只管子，AGC控制，也是控制前面的那只管子。为了足够的增益和控制能力，所以，互导大的要用到第一只管子。

求知无足

qzlbwang 发表于 2016-11-15 15:00
伟大的计划开始进入前期实施阶段！

老朋友，对这个电路，斧正一下吧。

求知无足

园丁 发表于 2016-11-15 16:27
谢谢您的答复。

园丁版主看图十分认真！这个电路，前两级，我已经用元件临时搭建了电路，经实验，性能十分优良。优良的表现，是输入信号从十几微伏量级到数百毫伏量级这样广大的范围内，输出波形都很好，幅频曲线形状不变，无自激，十分稳定，很难能可贵的。

求知无足

ace919 发表于 2016-11-15 16:45
感觉很不错的设计，很值得试验！
若前面变频级输出阻抗很小，比如50欧姆，也许0.01uf的C2是合理的。但T5的 ...

高频部分的设计，宽裕度过大，一时不能下定决心进行舍取。我想，调谐式高放级是一定要有的。高放级，用双栅管？还是用结型低噪的场效应管？用共源共栅电路，还是直接用共栅？独立本振也是必须的，但优秀的振荡电路不少，用哪款？混频级更让人纠结。用二极管双混频？环形？还是用单只结型管（对于混频电路来说，由于输出信号与输入信号不同频，所以不存在稳定性的问题，用单只管子进行混频也可以稳定工作）?用双栅管？这些问题，在心里过于纠缠呢。

求知无足

longshort 发表于 2016-11-15 16:54
C1处的阻抗大体上是整个LC回路谐振阻抗的C2/C1倍，若谐振阻抗为20K，则输入端的阻抗在1K左右。1K的阻抗通常 ...

这个输入电路形式，很有可取之处。它可以很好地与前级变压器的输出匹配的。如果前级针对这个输入回路进行专门设计，则可以取得更好的效果。更难能可贵的是，这种输入形式，可以阻断外部对本放大器的不良影响。这一点，是专门的独立中频放大器所必须的。即便是与前面的高频部分共同是一块印制板上，这样的设计，也是很可取的，可以阻断前面对后级的各种影响。

天行健_....

虽然场效应管噪声低于双极性三极管，但级数多了还会低吗？不会出现淹没效应吧？还有就一般应用的场效应管结电容问题。

求知无足

所以要用共源共栅级联电路，就是要更有效地解决结电容的问题。在AGC起控时，后面的共栅电路的工作电流不变，当然其结电容也不变，所以不会影响其漏极所接LC回路的谐振情况。前面的共源电路，随着AGC的起控，这个用电阻作负载的电路，其漏极的阻抗极低，约几十欧姆，并且结电容也是由零点几皮法往更小变化，还由于LC回路的C值选取的较大，所以，对共源极场效应管栅极所接的LC回路的影响也是可以忽略的。当然，AGC的变化，由于共栅级的隔离作用，更不会影响后一个LC回路。所以，这个电路，LC回路的工作，都是稳定的！

求知无足

至于三级中放所带来的噪声增大问题，还真是个事呢。尽力减小吧。还有，噪声问题，不是还有前面的高放电路吗，在那里压低噪声，会更有效。这里，作为中放级，它的任务是提供尽可能大的稳定增益，符合要求的AGC量，以及必要的带宽。

求知无足

园丁 发表于 2016-11-15 18:32
谢谢【求知】朋友的回复与认可。

一旦使用过场效应管，就会被它优良的性能所深深吸引！众所周知的是它的高输入阻抗，可以不吸取信号源的功率，所以对其栅极所接的LC谐振回路几乎没有什么影响。仅仅这一点，就已经十分地难能可贵。可场效应管的优良性能，远不只是这一点呢。性能优良的高频场效应管，其零反压时的漏栅电容（也就是这只电容的最大值）仅仅零点几皮法，比常见的双极性管的低一个数量级呢！比如，常见的硅高频管，其集基之间的电容（零反压时）为3--5皮法，3DG12为十几到几十皮法。9018，这只典型的高频管，其零偏压下的集基电容，也有1--2皮法。所以，使用场效应管制作的放大器，稳定增益更大，不易自激。场效应管的输入端，可以加上很大的信号而不失真地进行放大，相比于双极性管，这一点尤其可贵！还有，场效应管的输入端的双信号输入，互调失真极小，而双极性管的这一项失真就很大！总之，用场效应管制作的放大器，性能会更上一个台阶！
如果用场效应管制作混频器，其性能的优良，更是双极性管不可比拟的。它几乎是理想的混频器件，对于加到其输入端的两个信号的混频，其输出只有这两个信号的和频与差频以及二次谐波，没有（或很少有）三次以上的谐波。如果用适当的电路形式比如双管混频，那么连二次项也没有（或很小）。这样的混频器，产生的各种噪声都很小，这真的是太棒了！不象双极性管混频器，简直就是个噪声源！

hotdll

求知无足 发表于 2016-11-15 19:56
一旦使用过场效应管，就会被它优良的性能所深深吸引！众所周知的是它的高输入阻抗，可以不吸取信号源的功 ...

版主的电路，什么都好，就是原件太多。并且还都是老贵的JFET。。。

用MOS吧，立马便宜很多很多。