简介MOS场效应管

Tieg3023

MOS场效应管
　　MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。
　　MOS场效应管主要特点：
　　在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。
　　MOS场效应管分类：
　　根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
　　以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。图（a）符号中的前头方向是从外向电，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。
　　国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。

沙尘

补充下，MOS管抗宇宙辐射，所以在卫星上工作的管子大多数都是这种东东，还有，具负温系数，温度越高，工作电流就会自动越小，也是个亮点。现在生产的MOS管已经没那么娇气，内部大多都有箝位电路，不再是“一摸死”，所以不必恐慌，不会无端损坏的

眉间尺

学习了.

songjiao

场效应管有许多好特性，但一是市面上不好找，二是价格也不低。因此老弄得人那里不舒服！

沙尘

原帖由 glff5 于 2009-6-10 12:30 发表
好像放大倍数比双集型小点

是滴，最可惜的就是这点，多个并联或VMOS工艺可以解决这问题，但又导致结电容增大……所以MOS怎么也代替不了电子管

沙尘

原帖由 tube 于 2009-6-10 22:52 发表
手里有几只FPD7045L，手册说只要是做DC/DC变换的，主要参数30V100A。不知道做点什么合适？

可以用来做低压大电流开关稳压电源、可以用来驱动电机……

[ 本帖最后由 沙尘 于 2009-6-13 10:57 编辑 ]

沙尘

原帖由 glff5 于 2009-6-13 11:14 发表
尺有所长，寸有所短。

是滴！电子管倒是有双极晶体管的放大能力，四极管以上还更强悍些，只可惜太没效率……

MF35_

原帖由 沙尘 于 2009-6-13 10:54 发表

是滴，最可惜的就是这点，多个并联或VMOS工艺可以解决这问题，但又导致结电容增大……所以MOS怎么也代替不了电子管

同样也代替不了双极晶体管,由于mos管的以上缺陷,在特别高的频率上,还是bjt占主导

MF35_

我觉得mos管最好的特点是输入阻抗高,不需要驱动功率,多级应用的时候很容易前后匹配,其他特性还是bjt好

FM30

原帖由 MF35_ 于 2009-6-14 03:26 发表
我觉得mos管最好的特点是输入阻抗高,不需要驱动功率,多级应用的时候很容易前后匹配,其他特性还是bjt好

由于表面漏电流和电容效应的存在还是要一点功率的