请教，关于MOS管Rds的问题

zhike

假定参数中说mos的Rds值，5V，1A下为5欧，那么50V，1A下是否也是5欧？
请对mos有了解的朋友指教下！谢谢！

补充内容 (2024-3-21 14:03):
谢谢各位老师的回复！可能是我没表达清楚吧，这么说吧，假定DS为10V 恒流0.5A 下的Rds值为10欧，那么DS电压变为100V 电流不变 此时的Rds值还是10欧吗？DS值不是GS值 你可以认为GS值足够MOS导通！

小鬼头

只有进入了相当于bjt饱和区的区域（可变电阻区），mos管才有Rds值。

你看看mos管的特性曲线，ds极低压（5v）时才有可能能进入这个区，50v就进入不了这个区，因此，就不存在这种类型的Rds值。

而50V时往往是mos管线性工作的区（饱和区），倒是有一个阻值很高的等效D极输出AC电阻，但他跟前面Rds是两回事。

galaxy008

5V指VGS电压，加不到50V

mov99

"5V，1A下为5欧"，这个5V指的是什么，漏、源还是Vgs电压

最近准备用场效应管做电源开关，也关注这个问题
个人观点，静态漏源导通电阻Rds主要和Vgs有关

另外，可用Multisim仿真，很直观

13952016708

买MOS管，你要问他要规格书，有的好MOS内阻非常小，效率很高的。关于源极漏极，三楼先生的图太明显了。我用时还要弄清楚电压和电流。譬如常用的15N10，号称是15A100V，实际上你用到5A24V差不多了，那个100V是指的极端峰峰电压。

scoopydoo

galaxy008 发表于 2024-3-20 11:53
5V指VGS电压，加不到50V

这个回答一针见血！

jckm

场效应管导通电阻呈线性与输入电压无关，这点是它与普通三极管的区别。

快乐年

1：栅极-源极不能加到50V
2：MOS上位恒流区（饱和区）与BJT的放大区相似。（有些说法不一样。）

安庆矿友

最近修自己的电动车充电器，原装的开关管RDS在0.5欧左右，宝上买了几个20N60的开关管，回来一测5欧多，假货

whyljh3333

随着电流的加大，导通电阻也会变高....

图中为70N06的资料

zhike

小鬼头 发表于 2024-3-20 12:03
只有进入了相当于bjt饱和区的区域（可变电阻区），mos管才有Rds值。

你看看mos管的特性曲线，ds极低压（ ...

谢谢老师的回复！可能是我没表达清楚吧，这么说吧，假定DS为10V 恒流0.5A 下的Rds值为10欧，那么DS电压变为100V 电流不变 此时的Rds值还是10欧吗？DS值不是GS值 你可以认为GS值足够MOS导通

zhike

mov99 发表于 2024-3-20 11:54
"5V，1A下为5欧"，这个5V指的是什么，漏、源还是Vgs电压

最近准备用场效应管做电源开关，也关注这个问题 ...

共同学习！

mov99

zhike 发表于 2024-3-21 14:05
共同学习！

随意下载几个MOS管的规格书看看，自已能找到答案

量子隧道

DS加10V，100V时，mos已经进入饱和区（也即恒流区）了，此时不宜用RDS来表征。RDS是在VDS极小时，VDS-ID接近线性关系时的参数。所以你的问题不合适。

岳耳

楼主知识点混乱，mos管导通后，Rds极小，所以Vds不可能太大的（电压=电阻x电流），否则功耗过大管子就烧了。

如果说的Vgs，那么Vgs通常小于20V,过大会损坏mos。

至于Vgs和Rds的关系，可以参考pdf文档，通常Vgs>10V 后Rds的值变化就不明显了。