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LM2596 扩流仿真

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发表于 2024-3-2 12:43:32 | 显示全部楼层 |阅读模式
首先,我不赞成对 2596 扩流,如果需要一个大于 2596 输出电流的 BUCK 不如用专门的 BUCK 控制器加外部摸死

不过我还是仿真了 2596 扩流电路
屏幕截图 2024-03-02 121101.png

本贴对
http://www.crystalradio.cn/forum ... &extra=page%3D1

而发,该贴主使用的扩流方案在网络上也常见,但这是不妥的,因 N 沟增强型摸死需要较高的栅极电压驱动,而从仿真看,此电路摸死后脉冲是不到 20V 的(源电压 24V),因此效率也较低只有 75% 这样
未标题-125963.png


因此,我以常见的 34063 扩流电路做改动(因 34063 内部输出 BJT 发射极可接地而 2596 不可),增加 Q2,使用 P 沟摸死仿真了 2596 扩流电路,效率达到 92%+,此仿真是成功的

*仿真使用的模型中,2596、续流二极管、摸死都是有实际器件模型的,但电容和电感是理想的,所以不清楚此电路实做效率能达到多少

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发表于 2024-3-4 10:06:04 | 显示全部楼层
bg1trk 发表于 2024-3-3 10:46
哈哈,继续晋级,把续流管也换成MOS。

还没见过续流二极管换成MOS管的应用,
由于大部分功率MOS都含有体二极管的缘故,需要两颗MOS抵消体二极管,
没有做过实验如何,主要是MOS管的开关速度比二极管慢太多了.
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发表于 2024-3-2 15:09:43 | 显示全部楼层
P 沟摸死比N管导通电阻大很多,瓦叔老师能否也设计仿真个用N管做的扩流电路下?驱动可以使用补助电源,我手头有几块2596板想折腾折腾
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 楼主| 发表于 2024-3-2 16:05:46 | 显示全部楼层
红河310 发表于 2024-3-2 15:09
P 沟摸死比N管导通电阻大很多,瓦叔老师能否也设计仿真个用N管做的扩流电路下?驱动可以使用补助电源,我手 ...

来了,但我觉得意义不大,因为 Rds<0.1 欧姆的 P 沟管也不见得很贵(eg. IRF4905,0.02 欧姆,也就几块钱)
屏幕截图 2024-03-02 155853.png

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发表于 2024-3-2 16:07:00 | 显示全部楼层
24V降到12V,能不能用升压的6腿SX1308带一个PNP管去驱动调整N型摸死管开关,实现高效率buck?
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发表于 2024-3-2 16:13:46 | 显示全部楼层
这是不是就叫“正事儿不干,扯着骆驼下蛋”
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发表于 2024-3-2 16:41:57 | 显示全部楼层
washu 发表于 2024-3-2 16:05
来了,但我觉得意义不大,因为 Rds

IRF250的管子低压使用内阻还是显大了,我手头还有点这种管子想玩玩。
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 楼主| 发表于 2024-3-2 17:01:40 | 显示全部楼层
红河310 发表于 2024-3-2 16:41
IRF250的管子低压使用内阻还是显大了,我手头还有点这种管子想玩玩。

我后面用 IRF5305 仿真,和首贴数据并无区别,也就是说 Rds 0.1 欧就差不多了

IPI/IPP041N12N 在 MS 里有模型但反正不过,懒得折腾了
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发表于 2024-3-2 17:11:24 来自手机 | 显示全部楼层
washu的一楼电路,解决了效率下降问题,但又引入了一个新缺点,即最低工作电压明显上升。

一楼要求电源电压至少要大于Vsat+Vdiode+Vth(大约为5v)。这样,就不能用于单体锂电池(3.7v)的应用中。
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发表于 2024-3-2 17:16:51 | 显示全部楼层
washu 发表于 2024-3-2 17:01
我后面用 IRF5305 仿真,和首贴数据并无区别,也就是说 Rds 0.1 欧就差不多了  

IPI/IPP041N12N 在  ...

IRF5305导通电阻50毫欧,IRF250电阻75毫欧,5安电流损耗是差不多。041N12N导通电阻3毫欧,如果在10几安下发热就见小多了。
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 楼主| 发表于 2024-3-2 18:00:48 | 显示全部楼层
小鬼头 发表于 2024-3-2 17:11
...一楼要求电源电压至少要大于Vsat+Vdiode+Vth(大约为5v)。这样,就不能用于单体锂电池(3.7v)的应用中。


等下,2596 最低工作电压都比单体锂电池高吧
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 楼主| 发表于 2024-3-2 18:02:18 | 显示全部楼层
红河310 发表于 2024-3-2 17:16
IRF5305导通电阻50毫欧,IRF250电阻75毫欧,5安电流损耗是差不多。041N12N导通电阻3毫欧,如果在10几安下 ...

我觉得辣么大电流不太适合用 2596,当然,2596 有 2596 方便的地方

那你就试试呗 反正我只仿真不动手
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发表于 2024-3-2 18:19:48 来自手机 | 显示全部楼层
washu 发表于 2024-3-2 18:00
等下,2596 最低工作电压都比单体锂电池高吧

lm2596的电源电压我没有查。如果至少要求有5v的话,那就不算缺点。

一楼电路稍改动一下,引入自举电容,应该能把pmos换成nmos。而总体性能基本不变。

改动方法是:把2.4k电阻一分为二,比如改为2只1.2k电阻串联,在这2只电阻的中点接一只电解电容至nmos的s极。
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发表于 2024-3-2 18:25:44 | 显示全部楼层
我进行了扩流,效率是降低了,但比317和431扩流等电路效率高多了,基本不发热,实际应用应该没太大问题,
另外请教如果我把那种大屏幕5伏的LED电源里的驱动变压器接在2596里是否能提高效率呢,就是把驱动变压器接在2596的2脚,变压器次级接MOS的g和s。我不太懂啊希望赐教,我这样做是因为手里有几十块那种电源
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 楼主| 发表于 2024-3-3 10:37:55 | 显示全部楼层
jiachangchun 发表于 2024-3-2 18:25
把那种大屏幕5伏的LED电源里的驱动变压器接在2596里是否能提高效率呢,就是把驱动变压器接在2596的2脚,变压器次级接MOS的g和s
...


很多 ATX 电源就是这样做的,但那个驱动摸死的变压器怎么做我不是很清楚,不知道你随便拿个变压器行不行
屏幕截图 2024-03-03 095341.png
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 楼主| 发表于 2024-3-3 10:43:28 | 显示全部楼层
小鬼头 发表于 2024-3-2 18:19
lm2596的电源电压我没有查。如果至少要求有5v的话,那就不算缺点。

一楼电路稍改动一下,引入自举电容 ...

2596 是用于较高电压 BUCK 且用二极管续流的,如果是单体锂电池本身电压较低(低于 2596 最低工作电压)再 BUCK 到更低电压,显然不合适:续流二极管压降很大。

自举供电是 N 沟摸死的 BUCK 电路常用方式,我在之前那个贴也提到过,但终究就是,为什么不图省事用 P 沟


自举供电的 N 沟摸死:
屏幕截图 2024-03-03 104236.png
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