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发表于 2024-2-6 19:40:55
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互补OTL功放两只异极性功放管基极之间的偏置电路,既需要起温度补偿作用,也需要起“稳压”作用,然而,用在此处的理想元器件到目前为止还没有出现,不论是固定电阻、热敏电阻、二极管、三极管还是发光二极管都不理想,实际设计电路,只能从众多不理想的元器件当中选择最合适的。
电阻的伏安曲线是一次特性,二极管或者三极管发射结伏安曲线是二次特性,如果OTL功放两只功放管基极之间使用电阻偏置,那么电源电压变化导致偏置分压电路的电流也近似成比例变化,电流变量又大部分走功放管发射结,这就会导致功放管静态电流非常不稳定,功放无法适应电源电压大范围变化,只有在使用稳压供电的情况下,OTL功放才可以完全使用电阻偏置——这里说的是硅管OTL功放而不是锗管OTL功放,锗管发射结导通压降低,可以通过适当减小静态偏置,以THD稍微加大为代价,避免功放管出现异常的大电流。
固定电阻没有温度补偿作用,硅材料三极管发射结导通压降随结温升高而降低,因此实际使用电阻偏置的OTL功放,偏置电阻大多采用负温度系数热敏电阻与固定电阻并联或者串联的方式,以起到合适的温度补偿效果。
理论上,二极管伏安特性与三极管发射结是相同的,但实际上不同型号的二极管伏安特性不同,不同型号三极管发射结伏安特性也不相同,因此,理论上使用两只串联的二极管做OTL功放的基极偏置,功放管静态集电极电流应该与电源电压成比例,然而实际并不是这样。如果选用的二极管型号较随意,那么组装之后就会发现问题:功放管静态集电极电流要么过大、要么太小,又或者在特定供电电压下合适,一旦电源电压发生变化,功放管静态集电极电流也可能发生较大变化,造成输出波形失真、功放耗电量偏大或者功放管烧毁的问题。把与功放管相同型号的三极管当做二极管,两只“二极管”串联起来作为功放管偏置,功放管静态集电极电流通常不会特别大或者特别小,对电源电压适应范围也比较宽,但是,如果功放管是大功率管、功放是大功率电路,用与功放管型号相同的一对大功率管做偏置,显然体积和成本都不划算。
关于三极管做偏置的“温度补偿”,当做偏置的三极管与功放三极管型号相同,那么它们的温度特性也大致相同,这可以使功放电路适应很宽的环境温度,末级功放的静态集电极电流几乎不受环境温度影响——然而,功放是需要放大信号波形的,当有信号输入,功放管的发热量会显著升高,而当做偏置的两只三极管不仅电压比功放管低得多,而且信号越大这两只三极管的平均电流反而越小,发热量也越小。显然,分立元件功放即使使用三极管为功放管提供温度补偿作用,也无法完美抑制因功放管自身发热而出现的工作电流增加问题。对于分立元件功放来说,较有效抑制功放管电流升高的措施,一是尽量改善功放管的散热条件,二是功放管降功率使用。理论上Pcm=500mW的功放管可以做出2W的功放,实际上为了改善功放的工作点稳定性,500mW的功放管一般只用在输出功率500mW的功放。 |
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