|

楼主 |
发表于 2022-11-27 00:45:38
|
显示全部楼层
电路分析
前面说到,本设计核心有 2,其一是使用了 Vishay OSOPA1001 排阻,它现在比较容易以较低价格买到,具有 5ppm Track 温度系数,以及 20ppm Track 年稳定度。它当然不是最好的器件,但它是容易获得的,且经济的器件 OSOPA1001 内部是 10 个 1k 电阻,以 LM399 典型电压 6.95V 计,正好输出是 9.92857V,非常接近 10V,使得我们接下来的调整简单易行。
你可以使用比如 S102C 之类金属箔电阻,但它的价格更高,且不容易买到合适的阻值(比如 20k + 8.571k),但如果有,它固然更加理想,因为它的长期稳定性会好于 OSOPA 排阻,温度系数则接近或金属箔电阻更好一些。
另一个核心设计是调整网络,其实,它就是一个加法器如图所示
显然运放输出电压
Vout(VPR1) = (1 + R5/R3) * (VPR2 * R7 + V2 * R4) /(R4 + R7)
*VPR2 略高于 V1,因为仿真中加入了 LM399 内阻 R19
V2 只有两个取值,一个是接地(0V)一个是接到 Vout(取 10V 计算)。显然的,经过计算,当 R7 使用最大权重的 5k 时,
Vo=(1+ 3/7) * (7.0014317 * 5000) / 5100 = 9.805,926,7V(仿真给出的 9.805,939,8V 是因为使用了具有失调的实际运放 OP177 模型)
此时如果 R4 变化比如 +100ppm,变为 100.01Ω,代入计算,输出电压为 9.805,907,5V,变化了 19uV(约 2ppm),也就是说电阻的变化被抑制了 50 倍。
同样如果 R7 变化比如 100ppm,则输出电压变为 9.805,946V,变化率相当。
如果 R7 使用权重第三的 20k,代入计算
Vo=(1+ 3/7) * (7.0014317 * 20000) / 20100 = 9.952,284V,如果 R4 变化 +100ppm,带入计算 Vo 变为 9.952,278,9V,变化 5uV,也就是说,电阻的变化被抑制了 200 倍(抑制比等于 R4 和 R7 的比)。
从这个规律可知,从最大权重开始,5k 抑制比为 50(每 100ppm 变化 2ppm),10k 抑制比为 100(每 100ppm 变化 1ppm),20k 抑制比为 200(每 100ppm 变化 0.5ppm)...因此,20k 以后的电阻序列,其温漂和绝对值变化都不太重要,我们仅需要根据调整权重,慎重选择 R4,以及调整电阻,使得它的变化,不管是温漂还是绝对值的长期变化,不至于影响我们的设计目标即可。
显然的,对于 5ppm 温漂的设计(取 OSOPA 排阻指标)来说,调整电阻温漂哪怕是 100ppm 也是可以的 当然我们可以选择好一些的电阻,比如 25ppm 的电阻甚至 10ppm 的电阻,这样的贴片 0805 电阻也不贵,几毛钱一个。
从长期稳定性看,LM399 1 年的 3 倍西格玛大约是 10ppm(平均值大约 4ppm),也就是说,哪怕 1 年电阻飘了 100ppm,也不是什么大问题
当然如果希望尽可能好,可以考虑使用比如金属箔电阻(如果调整电阻权重较大,R4 也一样需要),否则我觉得用质量良好的金属膜电阻也可以了,毕竟这不是一个“非常精密”的设计。因此,本设计哪怕使用 0805 或 1206 的,10~25ppm 温漂的贴片电阻,也会有较好的性能。
|
评分
-
3
查看全部评分
-
|