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发表于 2020-6-7 23:15:02
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1、VT3用K241不是太合适,K241据说是MOS管,且内部结构类似于共源共栅的复合管(所以其高频下的指标比较好,用作放大很好),用作变阻不是太适合(当然也能用),还是选用JFET比较好,比如K427。C8在中频频率下的容抗大约是30欧姆左右,对于VT2的输入电阻来说已经不算小,对信号的分流效果有一定的影响,建议改成104比较好。R4的选择一般几十欧到几百欧左右。
2、共射共基的输出阻抗足够高(一般至少有几百K),所以一般情况下T2的初级不需要抽头接入。谐振回路的电容是510p,其在中频频率下的容抗大约600欧姆,假定我们期望谐振时的有载Q值为50,那么谐振时的等效阻抗为30K。直接接入不会有问题。
3、VT2的静态电流要多大合适?不妨作下估算,处于电路不同的部位要求是不同的(因为可能的最强信号大小是不同的),假定我们这级是末级中放,我们按最大动态来考虑,根据你设定电路参数,T2初级最大峰值电压约为5V,那么峰值电流约为0.17mA,我们取略大0.2mA应该已够了。
4、假定我们所用VT2的电流放大倍数至少是100,那么基极静态电流就是2uA,流过其偏置电阻的电流即便按20倍取,那么R6取120K、R5取68K已经够小了。等效内阻是43.3k,基极偏置电流造成的压降只有0.087V。
5、流过R7的电流为0.2mA+0.04mA=0.24mA,压降按0.7V估计那么R7=0.7/0.24=2.9K,可根据调试情况取3k或2.7k。
6、VT4的电流放大倍数假定最小为120,则基极电流为0.8mA/120=6.7uA,我们设定偏置电流流过R8的最大压降为0.07V,则R8=0.07V/0.0067mA=10.4K
取10k。C9R8=10ms 时间常数合适。
7、假定VT3的夹断电压是1.5V,那么当AGC电压小于2.3V-1.5V=0.8V时,VT3不起分流作用,也就是说其起始门限是0.8V。AGC电压超过0.8V后,随着AGC电压的增高分流作用逐渐显现,电压越高分流越大本级增益越低。当AGC电压接近参考电压2.3V时,分流已经非常明显,一般不希望Jfet的PN结出现正偏,也就是最大分流控制在jfet0偏附近。至于增益的控制量大小,你可以实验测试,并且测试对比一下R4不同的数值其增益控制量和AGC电压与控制量的关系,选择自己认为比较合适的数值。 |
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